-
公开(公告)号：CN115552216A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180035092.5
申请日：2021-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N5/04
Abstract: 一种原位实时程序升温分析方法，包括：将待测样品滴加在至少一个测试传感器(1)的样品涂覆区；将测试传感器(1)在第一预设温度范围内进行程序升温以获得基线；基线为通过记录测试传感器(1)在程序升温过程中的谐振频率变化数据得到；将测试传感器(1)在第二预设温度范围内进行程序升温以获得测量曲线；测量曲线为通过记录测试传感器(1)在程序升温过程中的谐振频率变化数据得到；根据基线和测量曲线得到程序升温分析曲线。采用自身集成有加热和数据采集功能的测试传感器(1)对待测样品进行程序升温分析，减少了检测结果的滞后性，且精确度高、反应灵敏，简化了程序升温分析方法，实现对样品的精确定量化分析。
-
公开(公告)号：CN112461312B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011332943.6
申请日：2020-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种热堆式气体质量流量传感器及其制造方法，包括：(111)单晶硅衬底；与衬底相连接的隔热薄膜，且共同围成隔热腔体；加热元件；一对呈“<>”状且对称分布于加热元件两侧的热电堆，每个热电堆尖端处两条轮廓线的夹角为120°，热电堆由至少一对悬挂于隔热薄膜下表面的单晶硅热偶臂和位于隔热薄膜上表面的多晶硅热偶臂组成的单晶硅‑多晶硅热偶对构成，两个热偶臂及热电堆与加热元件之间通过隔离槽隔离。本发明选择塞贝克系数较大的单晶硅及多晶硅，且可在有限的尺寸下将热偶臂的等效长度做的更长，提高传感器的灵敏度；另外还可增大单晶硅‑多晶硅热偶对热端与单晶硅加热元件之间的间距，调整传感器量程和测量精度，满足不同应用需求。
-
公开(公告)号：CN113295224B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110573330.X
申请日：2021-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种气液两用热式流量传感器及其制备方法。传感器包括单晶衬底、隔热介质膜、支撑柱、加热电阻、热敏电阻和环境测温电阻，单晶衬底内形成有隔热腔体，隔热介质膜覆盖隔热腔体，隔热介质膜包括氮化硅层；支撑柱位于隔热腔体内，且一端与单晶衬底相连接，另一端向上延伸至与隔热介质膜相连接；加热电阻和热敏电阻位于隔热介质膜的上表面，环境测温电阻位于隔热介质膜外侧的单晶衬底上。本发明经改善的结构和流程设计，利用具有低应力和高强度的氮化硅层作为隔热介质膜，在隔热腔体内部形成若干支撑柱，支撑柱一端固定在隔热腔体下表面的衬底内，另一端与隔热介质膜下表面相连接，提升了隔热介质膜的机械强度，使其能够抗液体流量冲击。
-
公开(公告)号：CN113295224A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110573330.X
申请日：2021-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种气液两用热式流量传感器及其制备方法。传感器包括单晶衬底、隔热介质膜、支撑柱、加热电阻、热敏电阻和环境测温电阻，单晶衬底内形成有隔热腔体，隔热介质膜覆盖隔热腔体，隔热介质膜包括氮化硅层；支撑柱位于隔热腔体内，且一端与单晶衬底相连接，另一端向上延伸至与隔热介质膜相连接；加热电阻和热敏电阻位于隔热介质膜的上表面，环境测温电阻位于隔热介质膜外侧的单晶衬底上。本发明经改善的结构和流程设计，利用具有低应力和高强度的氮化硅层作为隔热介质膜，在隔热腔体内部形成若干支撑柱，支撑柱一端固定在隔热腔体下表面的衬底内，另一端与隔热介质膜下表面相连接，提升了隔热介质膜的机械强度，使其能够抗液体流量冲击。
-
公开(公告)号：CN113189357A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110489038.X
申请日：2021-05-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开了一种浸渍式点样仪及微悬臂梁传感芯片的制备方法，通过控制注射器的针头中的敏感材料样品液充满针尖，再控制移动平台将待点样微悬臂梁传感芯片的待点样区域插入针头中，使得样品液粘附在待点样微悬臂梁传感芯片的待点样区域，如此，无需将样品液挤出针尖，适用于粘稠质地的样品液，并且可以防止样品液飞溅而造成的器件失效和样品浪费。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113125552A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010027371.4
申请日：2020-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N29/02 , G01N29/036 , G01N5/00
Abstract: 本发明公开了一种测定固液界面上动力学及热力学参数的方法，根据多种不同待测浓度配体溶液各自对应的频率‑时间曲线图和两种不同温度下另一待测浓度的配体溶液的频率‑时间曲线图，通过分析微悬臂梁传感器输出频率‑时间曲线并计算，得到固液界面上核酸适配体与其配体的动力学及热力学参数(结合/解离平衡常数KA/KD，吉布斯自由能△G°，表面覆盖度θ，结合/解离速率常数ka/kd，反应活化能Ea)。本方法克服了传统方法仪器昂贵，操作繁琐，参数测定单一等缺点，具有灵敏度高，成本低，操作简单快捷，无需标记与校正，可有效避免系统误差，一次性测定相关参数等优势，适用于多种核酸适配体与其配体的动力学与热力学参数的测定。
-
公开(公告)号：CN107561201B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201610507286.1
申请日：2016-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/60
Abstract: 本发明提供一种高分离效率的硅基微气相色谱柱及其制备方法，所述制备方法包括：1）于硅衬底上制作微沟道及微流控端口；2）制作掩膜层保护所述硅衬底上的键合面；3）于所述微沟道内构筑纳米介孔氧化硅；4）将一封装盖板键合于所述硅衬底的键合面上；5）基于所需分离的组分于所述纳米介孔氧化硅表面形成相应的修饰材料。由于纳米介孔氧化硅具有较大的比表面积及孔容，且具有较好的热稳定性及机械强度，本发明将其构筑于硅基微气相色谱柱内，能极大地提高色谱柱的分离效率；纳米介孔氧化硅表面具有高密度的硅羟基（Si‑OH），可根据分离对象的不同在其表面进一步构筑具有不同分离功能的单分子层，实现所需的分离效果。
-
公开(公告)号：CN110040682B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910318111.X
申请日：2019-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高灵敏度加速度传感器结构的制备方法,包括：提供衬底；于衬底正面进行硼离子注入；于衬底的正面及背面依次形成第一氧化硅层及低应力氮化硅层；于衬底的正面形成释放窗口；形成深槽；形成内部刻蚀缓冲腔体；于释放窗口的侧壁、内部刻蚀缓冲腔体的侧壁及内部刻蚀缓冲腔体的上下表面形成低应力多晶硅层；于低应力多晶硅层表面形成氧化硅钝化层；于衬底的背面形成沟槽；去除位于内部刻蚀缓冲腔体底部的氧化硅钝化层；于衬底的正面制备引线孔、金属引线及焊盘；提供键合衬底，将键合衬底键合于所述衬底的背面；释放悬臂梁及质量块。本发明可以避免对悬臂梁过刻蚀，从而可以确保任意尺寸悬臂梁的厚度的可控性及均匀性。
-
公开(公告)号：CN110040678B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201910313786.5
申请日：2019-04-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微传感器及其制备方法，微传感器包括：衬底，衬底的上表面形成有凹槽；热匀散结构层，悬置于凹槽的上方；支撑梁，位于凹槽的上方，且位于热匀散结构层与凹槽的侧壁之间；支撑梁一端与热匀散结构层相连接，另一端与衬底相连接；主体支撑层，至少位于热匀散结构层的上表面；限定环，位于主体支撑层的下表面，且位于热匀散结构层的外围；测试电极，位于主体支撑层的上表面；加热元件，位于主体支撑层的上表面；焊盘，位于衬底的上表面上，且位于凹槽的外侧。本发明的微传感器中加热元件下方设有热匀散结构，增强加热区域的散热能力，使得加热区域的温度均匀性好；加热元件与测试电极之间绝缘隔离，可以避免漏电，确保微传感器的性能。
-
公开(公告)号：CN109682711B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910067922.7
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于TEM构效关联直接原位表征的芯片及其制作方法，芯片包括主芯片及辅芯片，其中，主芯片包括：具有观测孔的悬臂梁、主芯片凹槽、主芯片窗口及气孔；辅芯片包括：辅芯片窗口；通过悬臂梁的谐振用以检测位于悬臂梁上的待测样品的质量变化；通过将主芯片及辅芯片相对设置，并分别固定于TEM样品杆上，以在主芯片、辅芯片及TEM样品杆之间形成闭合空间，并通过辅芯片窗口、观测孔及主芯片窗口观测位于悬臂梁上的待测样品的形貌变化。本发明可以在TEM内实现对同一待测样品的形貌变化观测及质量变化检测，以进行直接、原位、实时表征，可广泛应用于纳米材料在气固反应过程中的TEM原位表征。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
394
records
(took 0.078 seconds)
