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公开(公告)号：CN104592896A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410852464.5
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下组分及重量百分含量：氧化物抛光颗粒5~50wt%，氧化剂0.1~2wt%，螯合剂0.01~2wt%，络合剂0.01~2wt%，表面活性剂0.01~2wt%，余量为pH调节剂和水。采用本发明中公开的化学机械抛光液能够达到高的金属移除效率；高的金属表面质量，无明显橘皮、腐蚀坑和划伤等缺陷。
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公开(公告)号：CN104559927A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410838043.7
申请日：2014-12-25
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种多孔二氧化硅颗粒以及含有所述多孔二氧化硅颗粒的化学机械抛光液，所述多孔二氧化硅颗粒通过如下方法制备获得：采用聚乙烯吡咯烷酮作为保护剂吸附于二氧化硅实心球颗粒表面，再利用氢氧化钠刻蚀形成表面具有多孔结构的多孔二氧化硅颗粒。本发明采用表面保护和刻蚀的方法制备获得的多孔二氧化硅可用于抛光液的磨料，所采用的表面保护剂为抛光液中所需要的成分或不影响抛光性能的成分，该方法不需要经过高温过程，保持了二氧化硅溶胶良好的分散性和稳定性，抛光液中的化学成分可有效地吸附在二氧化硅表面，增强磨料的化学活性，提高抛光效率。
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公开(公告)号：CN104559800A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410857244.1
申请日：2014-12-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02
Abstract: 一种化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下原料组分及重量百分含量：无机研磨剂0.1~50wt%、氨羧型螯合剂0.01~5wt%、余量为pH调节剂和水。本发明化学机械抛光液的有益效果为：通过本发明提供的化学机械抛光液可以显著提高抛光速率，其抛光速率是现有技术中化学机械抛光液的至少1.5倍；应用于蓝宝石衬底时衬底材料表面无划痕、粗糙度显著降低；能够实现对蓝宝石材料的高效抛光处理，使得蓝宝石衬底及窗口片能够工业化生产。
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公开(公告)号：CN104556060A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410854330.7
申请日：2014-12-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/141 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及CMP技术抛光领域，特别是涉及一种线形二氧化硅溶胶及其制备方法。本发明提供一种线状二氧化硅溶胶，包括液体介质和溶胶颗粒，所述溶胶颗粒为线状二氧化硅颗粒。本产品的有益效果是：通过特选的酸性溶液与处理方法，形成线状二氧化硅溶胶。由于二氧化硅胶体颗粒为线状，其在芯片上的拖曳面积比单一球状的粒子要显著增大，故而能够提高抛光速率。同时，由于线状二氧化硅颗粒自身有一定的柔软度，对芯片的损伤也较煅烧二氧化硅较小。使用本发明的线状纳米二氧化硅颗粒作为CMP研磨颗粒，能有效提高抛光速率与降低表面损伤。
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公开(公告)号：CN103497688B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201310462116.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种相变材料化学机械抛光方法。本发明提供一种相变材料化学机械抛光方法，包括如下步骤：1）提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一电介质层，在所述第一电介质层形成底部电极，再在第一电介质层和底部电极上方覆盖第二电介质层；2）所述第二电介质层经过光刻和刻蚀工艺，形成柱形开孔，使底部电极暴露；3）在所述柱形开孔中填充相变材料，并将柱形开孔填满；4）利用化学机械抛光工艺去除柱形开孔外的相变材料；5）在第二电介质层上生长一层第三电介质层；6）利用化学机械抛光去除第三电介质层；本发明所提供的相变材料化学机械抛光方法可以减少相变材料和电介质的高度差，即减少碟形坑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103896321A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210587502.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及化学工程领域，具体涉及一种氧化铈复合颗粒及其制备方法和应用。本发明的氧化铈复合颗粒的制备方法为：将无机颗粒分散液与有机连接剂混合后，加入铈盐与沉淀剂，搅拌均匀得到混合分散液；将前一步骤制备的分散液转移至密闭高压反应釜中，加热进行反应，获得反应产物；反应产物离心，取沉淀物多次水洗，即得到氧化铈复合颗粒。本发明通过有机连接剂结合无机颗粒内核和氧化铈纳米颗粒，形成复合颗粒，通过高温水热促成氧化铈良好的结晶性。
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公开(公告)号：CN103497688A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310462116.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种相变材料化学机械抛光方法。本发明提供一种相变材料化学机械抛光方法，包括如下步骤：1）提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一电介质层，在所述第一电介质层形成底部电极，再在第一电介质层和底部电极上方覆盖第二电介质层；2）所述第二电介质层经过光刻和刻蚀工艺，形成柱形开孔，使底部电极暴露；3）在所述柱形开孔中填充相变材料，并将柱形开孔填满；4）利用化学机械抛光工艺去除柱形开孔外的相变材料；5）在第二电介质层上生长一层第三电介质层；6）利用化学机械抛光去除第三电介质层；本发明所提供的相变材料化学机械抛光方法可以减少相变材料和电介质的高度差，即减少碟形坑。
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公开(公告)号：CN111635701B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010618662.0
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钴基材抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体50‑80％；磨料0.1‑10％；氧化剂≤1％；铵盐化合物0.005‑20％；抑制剂0.1‑100mM。本发明通过选择合适的氧化剂、铵盐化合物以及抑制剂并将他们合理组合，通过提高机械和化学作用来提高抛光速率，控制Co表面腐蚀情况以及改善表面质量，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111662641A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010628968.4
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种高选择比的化学机械抛光液及其应用，按重量百分比，包括如下组分：抛光颗粒0.1wt％-30wt％；保护剂0wt％-10wt％；表面活性剂0wt％-10wt％；氧化剂0.001wt％-10wt％；其余为水和pH调节剂。本发明可以明显改善相变材料的划伤，抛光速率得以提升，选择比大大提高，满足产业化应用对于相变材料抛光过程的要求。
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公开(公告)号：CN106010297B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610445394.0
申请日：2016-06-20
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1436
Abstract: 本发明公开了种氧化铝抛光液的制备方法,包括如下步骤:1)将硅烷偶联剂、乙醇和水混合形成水解液;2)在95~110℃加热和搅拌条件下,将水解液加入到氧化铝粉末中,保持边搅拌边加热,直至液体挥发完全获得改性氧化铝;3)将改性氧化铝研磨成粉末分散到水里,调节溶液pH为9.5~10.5即为氧化铝抛光液。使用本发明的氧化铝抛光液可达到pH=13.00时的抛光效率,同时抛光片较少有划痕出现。
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