公开(公告)号：CN106299015B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201610847176.X

申请日：2016-09-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 马英杰 ,  张永刚 ,  顾溢 ,  陈星佑

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明涉及一种采用低维量子点倍增层的半导体雪崩光电探测器，在半导体雪崩光电探测器的倍增层中包含有若干层量子点层，所述量子点层具有比倍增层更窄的禁带宽度，且与倍增层材料形成I型能带结构。本发明增益系数显著提升、过剩噪声得到抑制，可广泛应用于增强Si‑Ge、GaAs‑InAs、InP‑InGaAs、InAlAs‑InGaAs、GaAs‑AlSb等不同波段的雪崩探测器性能，提升高速光通讯、单光子计数、激光雷达、量子信息等雪崩探测器系统的应用水平。

公开(公告)号：CN105609585B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510952593.6

申请日：2015-12-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈星佑 ,  张永刚 ,  顾溢 ,  马英杰

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种组分递变过渡层的气态源分子束外延材料生长方法，包括：采用气态源分子束外延生长方法生长异质结一侧或双侧材料中含有两种或以上V族元素的组分递变过渡层，用两个或以上气态源进行生长，III族束源为固态，束流由快门切换实现控制；V族束源为气态，由压力或流量调节V族束流强度或V‑III比，获得组分递变过渡层。用本发明的材料生长方法获得的过渡层可以有效地缓解异质结器件中异质界面处的能带尖峰或晶格和组分突变对器件性能带来的负面效应，从而有利于提高器件性能或发展新型器件。

公开(公告)号：CN106847952A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611155285.1

申请日：2016-12-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 马英杰 ,  张永刚

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/105

CPC classification number: H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/1055

Abstract: 本发明涉及一种Si基三维Ge量子点晶体光伏型近中红外双色探测器，所述探测器结构为PIN或NIP结构的光伏型光电二极管结构，其中以三维Ge量子点晶体作为光吸收区。本发明利用三维Ge量子点晶体内的高效基态微带带间跃迁和价带微带子带间跃迁形成强的近红外和中红外波段光吸收，从而同时实现对近中红外波段的高效双色探测，在红外传感技术领域具有广泛的应用前景。