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公开(公告)号：CN118859391A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410851401.1
申请日：2024-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹反射式闪耀光栅结构，采用沿刻槽面入射的入射方式，包括自上而下的入射区域、光栅区域和透射区域，所述光栅区域包括衬底，所述衬底上设置有锯齿状且周期性重复的波导结构；所述入射区域与透射区域的折射率相同，所述光栅区域中光栅脊的折射率与光栅槽的折射率不同。本发明实现了多模激光的模式分辨。
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公开(公告)号：CN100576664C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200710043823.2
申请日：2007-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/22 , H01L21/3063 , H01L21/308 , C23F1/16
Abstract: 一种太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，首先采用光刻显影制作腐蚀掩膜、坚膜，然后用稀盐酸去除器件材料表面的氧化膜，再将器件材料用相应的夹具固定放入盛有稀释的硫酸腐蚀液的器皿中，并采用磁力搅拌器进行湿法腐蚀，当腐蚀结束后，迅速将器件材料从腐蚀液中取出，用过量的去离子水冲洗，然后用高纯氮气吹干，再将器件材料放入丙酮溶液中去除表面的光刻胶掩膜后，进行台阶仪测试以确定腐蚀深度，如此可使腐蚀方便快捷，且由于腐蚀速率低，可更容易控制腐蚀深度，特别是在腐蚀深度深，腐蚀时间长的情况下，其优势显得格外突出。
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公开(公告)号：CN101345395A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200710043823.2
申请日：2007-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01S5/22 , H01L21/3063 , H01L21/308 , C23F1/16
Abstract: 一种太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，首先采用光刻显影制作腐蚀掩膜、坚膜，然后用稀盐酸去除器件材料表面的氧化膜，再将器件材料用相应的夹具固定放入盛有稀释的硫酸腐蚀液的器皿中，并采用磁力搅拌器进行湿法腐蚀，当腐蚀结束后，迅速将器件材料从腐蚀液中取出，用过量的去离子水冲洗，然后用高纯氮气吹干，再将器件材料放入丙酮溶液中去除表面的光刻胶掩膜后，进行台阶仪测试以确定腐蚀深度，如此可使腐蚀方便快捷，且由于腐蚀速率低，可更容易控制腐蚀深度，特别是在腐蚀深度深，腐蚀时间长的情况下，其优势显得格外突出。
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公开(公告)号：CN102394848B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110045067.3
申请日：2011-02-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种产生音频调制THz波的方法和装置，适用于未来的THz通信应用。该方法采用太赫兹量子级联激光器作为辐射源，对其进行强度调制，将音频信号加载到THz波上。该装置包括：作为辐射源的太赫兹量子级联激光器及其调制电路；所述调制电路包括：音频信号放大电路、音频信号与直流偏压信号的叠加电路、叠加信号的功率放大电路。采用该方法及装置可以产生2-7THz频段的调制THz波，目前该频段尚未分配使用；所采用的太赫兹量子级联激光器能量转换效率高、体积小、易集成，可大规模生产。
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公开(公告)号：CN102680091B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201210193033.3
申请日：2012-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种太赫兹波的高速探测方法及装置，该装置包括对太赫兹波进行直接强度探测的THzQWP和为THzQWP提供偏置电压并将其产生的光电流转换成电压信号的跨阻放大电路；为了便于跨阻放大电路的参数设计，本发明提出了THzQWP的小信号集总电学模型，该模型由电容Cq并联旁路差分电阻Rd和光电流源Is构成；跨阻放大电路包括运算放大器、补偿电容CF和跨阻RF；运算放大器的反相输入端与THzQWP的一端相连，运算放大器的同相输入端接偏置电压；跨阻RF连接于运算放大器的输出端和反相输入端之间；补偿电容与跨阻并联；THzQWP的另一端接地。本发明可以给THzQWP提供很低的工作偏压，同时将THzQWP的光电流信号转化为电压信号，方便后面电路环节处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102323040B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201110142266.6
申请日：2011-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01J1/4257 , B82Y20/00 , H01S3/0014 , H01S5/0014 , H01S5/3402
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法，该装置包括光源部分、光路部分和探测部分；太赫兹量子级联激光器发出的太赫兹光通过该测量装置抵达太赫兹量子阱探测器，接收并产生相应的电流信号；信号处理电路将该电流信号提取为电压信号并放大，输入示波器中读取和显示，根据太赫兹量子阱探测器在激光器激射频率处的响应率，通过计算完成对脉冲激射型太赫兹量子级联激光器输出功率的测量。本发明避免了采用热探测器测量脉冲工作模式下太赫兹量子级联激光器输出功率时的积分估算，可直接根据探测器响应脉冲信号的幅度得到激光器输出的脉冲功率值。
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公开(公告)号：CN102169016B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201110001200.5
申请日：2011-01-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种连续激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法，该装置包括光源部分、光路部分和探测部分；光源部分包括冷头、安装于冷头内的热沉、安装于热沉上的太赫兹量子级联激光器、安装于冷头上用以使太赫兹光射出的聚乙烯窗片；光路部分包括第一离轴抛物镜和第二离轴抛物镜；第一离轴抛物镜收集经聚乙烯窗片射出的太赫兹光；第二离轴抛物镜接收经第一离轴抛物镜反射的太赫兹光；探测部分包括热探测器和示波器；热探测器接收第二离轴抛物镜反射的太赫兹光，并产生相应的电压信号；示波器对电压信号进行提取和显示获得电压信号幅度。本发明光路部分和探测部分可以在常温下进行测量，便于安装和测试。
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公开(公告)号：CN102545056A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210023696.0
申请日：2012-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种表面发射太赫兹量子级联激光器及其制作方法，该激光器包括单模产生区波导、锥形耦合区波导和表面发射区波导；单模产生区波导和锥形耦合区波导采用一阶光栅结构，表面发射区波导采用二阶光栅结构；单模产生区波导内部产生单模太赫兹种子光，锥形耦合区波导将所述太赫兹种子光放大并耦合到表面发射区波导，表面发射区波导使太赫兹激光垂直衬底表面出射。本发明实现了太赫兹量子级联激光器的大功率、窄线宽和小发散角太赫兹激光表面发射，在一定程度上抑制了横向高次模的激射，同时减少了波导之间的耦合损失和端面损失。
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公开(公告)号：CN102323040A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110142266.6
申请日：2011-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01J1/4257 , B82Y20/00 , H01S3/0014 , H01S5/0014 , H01S5/3402
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法，该装置包括光源部分、光路部分和探测部分；太赫兹量子级联激光器发出的太赫兹光通过该测量装置抵达太赫兹量子阱探测器，接收并产生相应的电流信号；信号处理电路将该电流信号提取为电压信号并放大，输入示波器中读取和显示，根据太赫兹量子阱探测器在激光器激射频率处的响应率，通过计算完成对脉冲激射型太赫兹量子级联激光器输出功率的测量。本发明避免了采用热探测器测量脉冲工作模式下太赫兹量子级联激光器输出功率时的积分估算，可直接根据探测器响应脉冲信号的幅度得到激光器输出的脉冲功率值。
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公开(公告)号：CN101713687B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200910198912.3
申请日：2009-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的无线发射接收装置及其发射接收方法，其包括：发射端(第一冷头、太赫兹量子级联激光器及第一聚乙烯窗片)、光路部分(两个离轴抛物镜和大气)和接收端(第二冷头、太赫兹量子阱探测器及第二聚乙烯窗片)。本发明的优点在于：选择了目前尚未分配使用的电磁波频段进行电磁波的发射接收，且大气对所选频点电磁波的吸收相对较弱，从而减小了太赫兹波传播过程中的衰减损耗；发射端采用了能量转换效率高、体积小、易集成且可长期工作和大规模生产的半导体量子级联激光器；接收端采用了体积小、稳定可靠且可大规模生产的半导体量子阱探测器；所采用的半导体激光器和探测器均具有高频工作特性，适于未来的太赫兹通信应用。
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