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公开(公告)号：CN108333283A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201710042386.6
申请日：2017-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/60
Abstract: 本发明提供一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱及其制备方法，所述微色谱柱包括：微沟道；以及椭圆微柱阵列，周期性排列于所述微沟道内，椭圆微柱的长轴与待测组分的流动方向平行，短轴方向与待测组分的流动方向相垂直，所述椭圆微柱的长轴与短轴的长度比为2:1~4:1。本发明将微色谱柱的微柱设计为具有流线型结构的椭圆微柱，一方面可以使得微柱后所形成的“准零流速区”的区域大大缩小，以提高微色谱柱内固定相涂敷的均匀性；另一方面可以使得柱内的流速分布更均匀，以抑制色谱峰型的展宽。
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公开(公告)号：CN108178122A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201611123850.6
申请日：2016-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微热导检测器及制备方法：所述微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的SOI硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于SOI硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构包括SOI硅片的顶层硅、由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括刻蚀SOI硅片的衬底硅、埋氧层（或埋氧层及第二介质层）释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本发明以SOI硅片顶层硅为热敏电阻的主要支撑层，与高掺杂硅相比较，顶层硅中晶格完整，缺陷少，作为支撑层具有更好的机械强度，且其厚度可根据性能要求灵活选择。本发明减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性。
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公开(公告)号：CN208839602U
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201820970265.8
申请日：2018-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B01J20/281 , B01J20/30 , B01D53/02
Abstract: 本实用新型提供一种双固定相气相色谱柱，包括：衬底，衬底中形成有微沟道，且微沟道具有第一端口及第二端口；封装盖板，键合于衬底表面，封装盖板封闭微沟道形成双固定相气相色谱柱的微通道；以及第一固定相及第二固定相，形成于微沟道的底部、侧壁及对应位于微沟道上方的封装盖板的内表面，且第一固定相靠近第一端口，第二固定相靠近第二端口。本实用新型提供的双固定相气相色谱柱及其制备方法，在同一气相色谱柱上实现了两种固定相的涂覆，使得一根气相色谱柱能很好地分离两类混合气体组分，增强了气相色谱柱的分离能力，同时减少了为了分离鉴别不同种类混合气体组分时更换气相色谱柱的频率，使用起来更为方便。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206457251U
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201621342682.5
申请日：2016-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种微热导检测器：所述微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的SOI硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于SOI硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构包括SOI硅片的顶层硅、由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括刻蚀SOI硅片的衬底硅、埋氧层释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本实用新型以SOI硅片顶层硅为热敏电阻的主要支撑层，与高掺杂硅相比较，顶层硅中晶格完整，缺陷少，作为支撑层具有更好的机械强度，且其厚度可根据性能要求灵活选择。本实用新型减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性。
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公开(公告)号：CN207938610U
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201721815749.7
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，包括：SOI硅片，具有衬底硅、埋氧层以及顶层硅；图形化堆叠结构，包含交叉网状结构，其下方具有释放槽，图形化堆叠结构悬挂于释放槽中；盖基片，键合于顶层硅，盖基片具有微沟槽，图形化堆叠结构位于微沟槽内；微色谱柱的微沟道，形成于衬底硅中，微沟道内具有微柱阵列，微沟道与释放槽连通；底基片，键合于衬底硅，以形成包含微沟槽、释放槽及微沟道的微通道。本实用新型的微热导检测器和微色谱柱分别位于SOI硅片的顶层硅和衬底硅上，增加了设计的灵活性和工艺制作的可控性。本实用新型无需额外的连接部件，具有死体积低、灵敏度高等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207623298U
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201721816757.3
申请日：2017-12-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，包括：双抛硅片，具有第二面及相对的第一面；图形化堆叠结构，包含交叉网状结构，其下方具有释放槽，图形化堆叠结构悬挂于释放槽中；盖基片，键合于第一面，盖基片具有微沟槽，图形化堆叠结构位于微沟槽内；微色谱柱的微沟道，形成于第二面中，微沟道内具有微柱阵列，微沟道与释放槽连通；底基片，键合于第二面，以形成包含微沟槽、释放槽及微沟道的微通道。本实用新型的微热导检测器和微色谱柱分别位于双抛硅片的第一面和第二面上，增加了设计的灵活性和工艺制作的可控性。本实用新型无需额外的连接部件，具有死体积低、灵敏度高等优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206583873U
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201621343162.6
申请日：2016-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种薄膜型微热导检测器，该薄膜型微热导检测器具有三明治结构，从下而上依次是玻璃衬底、带微沟槽的硅片和带微沟道的玻璃；交叉网状结构制作于硅片表面并悬浮于微通道之中，其结构是由两层氧化硅/氮化硅薄膜所保护的热敏电阻；关键工艺包括通过深反应离子刻蚀（DRIE）工艺刻蚀硅片背面硅释放交叉网状结构，通过两次静电键合完成微热导检测器芯片的制作。本实用新型的热敏电阻的上下两层氧化硅/氮化硅薄膜不仅对其起到保护作用，并且由于结构的对称分布还能起到应力平衡的作用，减小了交叉网状结构的形变，大大提高了热敏电阻支撑结构的强度及稳定性；采用一步DRIE工艺释放交叉网状结构，使得微沟槽侧壁陡直，器件死体积小。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206460008U
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201720071546.5
申请日：2017-01-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/60
Abstract: 本实用新型提供一种含有流线型椭圆微柱阵列的微色谱柱，所述微色谱柱包括：微沟道；以及椭圆微柱阵列，周期性排列于所述微沟道内，椭圆微柱的长轴与待测组分的流动方向平行，短轴方向与待测组分的流动方向相垂直，所述椭圆微柱的长轴与短轴的长度比为2:1~4:1。本实用新型将微色谱柱的微柱设计为具有流线型结构的椭圆微柱，一方面可以使得微柱后所形成的“准零流速区”的区域大大缩小，以提高微色谱柱内固定相涂敷的均匀性；另一方面可以使得柱内的流速分布更均匀，以抑制色谱峰型的展宽。
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