一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统

    公开(公告)号:CN103049397A

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN201210559664.2

    申请日:2012-12-20

    Abstract: 本发明提供一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统,所述管理系统包括SATA接口控制器、微处理器、DRAM内存、本地总线、闪存控制器、及NAND闪存,所述固态硬盘内部管理系统中还包括PCRAM缓存,所述PCRAM缓存包括数据块置换区及映射表存储区,其中,所述数据块置换区用于存放从所述DRAM内存置换到所述PCRAM缓存的数据块,所述映射表存储区用于保存数据页逻辑地址到物理地址之间的映射表,本发明通过基于PCRAM的SSD内部缓存管理方法,实现对固态硬盘的写的缓存以克服固态硬盘的读写不均衡特性、有效提高写性能、减少固态硬盘的随机写操作及擦出操作,以此来延长固态硬盘的寿命及提高固态硬盘的整体I/O性能。

    相变存储器及其制备方法
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104201282B

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201410504612.4

    申请日:2014-09-26

    Abstract: 本发明提供一种相变存储器及其制备方法,其中,所述相变存储器至少包括:下电极,所述下电极呈阵列式排布;位于所述下电极上的下加热电极;位于多个下加热电极上的相变材料层,所述相变材料层呈条状等间距排布;位于所述下加热电极上方位置的相变材料层上的上电极,所述上电极呈条状等间距排布,且与所述相变材料层相互垂直。本发明的相变存储器通过将整条的相变材料覆盖在多个下加热电极上,从而将各个分立的相变存储单元连接在一起,可以通过控制信号输入完成块擦除,解决了现有相变存储器不能完成块操作的缺陷;同时也可以通过控制信号端和电极进行选择性单元数据擦除,大大提高了数据擦除效率。

    基于硫系化合物的浪涌保护器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN102751319B

    公开(公告)日:2015-04-15

    申请号:CN201210230324.5

    申请日:2012-07-04

    Abstract: 本发明提供了一种基于硫系化合物的浪涌保护器件,该浪涌保护器件包括下电极(2)、位于该下电极(2)上的下加热电极(3)、位于下加热电极(3)上的硫系化合物薄膜(5)以及位于所述硫系化合物薄膜(5)上的上电极(6);所述硫系化合物薄膜(5)下部通过下加热电极(3)与下电极(2)达成电性连接;所述硫系化合物薄膜(5)上部与上电极(6)达成电性连接。本发明还提供一种基于硫系化合物的浪涌保护器件的制备方法。本发明器件利用硫系化合物所特用的阈值导通特性实现过压保护,概念新颖,结构简单,是一种过电保护响应速度极快,抑制过压能力极强的浪涌保护器件。

    一种嵌入式系统及其应用进程的休眠与唤醒方法

    公开(公告)号:CN102779072A

    公开(公告)日:2012-11-14

    申请号:CN201210199953.6

    申请日:2012-06-18

    Abstract: 本发明提供一种嵌入式系统及其应用进程的休眠与唤醒方法,该嵌入式系统由传统的非易失主存及DRAM内存构成存储架构,非易失主存又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成,其中,进程镜像备份区划分有镜像索引区和镜像数据保存区,可实现应用进程挂起到非易失存储器。本发明可实现系统级以及单进程的休眠,使进程休眠、唤醒管理更加灵活、方便,可降低传统嵌入式系统休眠唤醒的数据备份及恢复的工作量以及系统休眠时数据备份所占用的大量存储空间,从而提高嵌入式系统运行效率。

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