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公开(公告)号:CN116093050A
公开(公告)日:2023-05-09
申请号:CN202211104825.9
申请日:2022-09-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体基底结构及器件,包括衬底、导电柱、横向绝缘层和竖向绝缘层,通过导电柱可以实现垂直电学导通,通过横向绝缘层及竖向绝缘层可实现电学绝缘;本发明的半导体基底结构可实现3D互联,具有工艺兼容性强、设计灵活、适于高温工艺等优点,可作为集成电路器件的基底结构,以实现电路元件结构间的隔离、减少晶体管间或引线间的寄生电容,增强器件的抗辐照能力;也可用于MEMS器件的设计,实现器件的电学引出,简化器件的封装结构,增强器件的阵列化能力;亦可用于例如CMOS‑MEMS单片集成器件,提高器件集成度、减少IC电路和MEMS器件之间的串扰,提高衬底利用率。
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公开(公告)号:CN113281898B
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202110571642.7
申请日:2021-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS微镜单元,所述MEMS微镜单元包括:镜面层,包括镜面以及设置于所述镜面背部的多个柔性力学结构;致动器层,包括交叉排列的三个致动器,每一致动器与所述镜面层的每一柔性力学结构成对设置并且通过耦合柱与相应的柔性力学结构耦合,所述致动器用于通过所述耦合柱与所述柔性力学结构以为所述镜面层提供动力;以及引线层。本发明还提供了一种MEMS微镜阵列,所述MEMS微镜阵列包含以密堆方式排列的多个所述的MEMS微镜单元。本发明提供的MEMS微镜单元可以实现三个自由度的精确可调,控制方式灵活;包含所述MEMS微镜单元的微镜阵列,具有高占空比,以及高一致性的镜面性能。
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公开(公告)号:CN114415365A
公开(公告)日:2022-04-29
申请号:CN202210112102.7
申请日:2022-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS光学偏转器件,包括:基座、2N个悬臂梁致动器、2N个耦合结构及反射微镜,其中N≥1;每个悬臂梁致动器包括:致动器衬底、致动结构、第一柔性结构;基座与致动器衬底固定连接;致动结构与致动器衬底连接;第一柔性结构与致动器衬底固定连接;第一柔性结构与一个耦合结构固定连接;2N个耦合结构固定连接于反射微镜的下方;2N个悬臂梁致动器沿周向分布于反射微镜的下方周围,且每两个悬臂梁致动器沿直线分布。通过在每一个第一柔性结构的一端均设置一个耦合结构,当沿直线分布的两个悬臂梁致动器同时产生致动力使反射微镜旋转时,两个悬臂梁致动器的旋转轴与反射微镜共轴,光的入射点在偏转过程中不会发生偏移。
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