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公开(公告)号：CN100373516C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200410066370.1
申请日：2004-09-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种翘曲膜结构的单刀双掷射频和微波微机械开关及其制作方法。由第一基板上的第一凹部、位于第一凹部底部以及第一基板表面上的第一波导线、第一凹部底部的第一吸引电极、第一基板表面上的转换导体、第二基板上的第二凹部、位于第二凹部底部以及第二基板表面上的第二波导线、第二凹部底部的第二吸引电极、悬于第一凹部和第二凹部之间的翘曲弹性介质膜、翘曲弹性介质膜上的驱动导电膜以及其上的第二介质膜构成的复合膜组成。翘曲弹性介质膜内含有不大于100MPa的预置压应力。在稳定状态，复合膜与某一路波导线表面接触，使该路信号保持断开，复合膜与另一路波导线分开，使该路信号保持导通。具有状态锁存功能又无静态功耗特点。
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公开(公告)号：CN100998901A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200710036416.9
申请日：2007-01-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法，其特征在于微针密度可达50％，微针针孔与基底垂直，阵列中微针为多根针头或单根针头，微针长度达100－200μm，针孔最小为2nm，且针孔的开口可在针头上方或侧面。本发明拟采用电化学腐蚀方法在硅片上制作规则排布的多孔硅，然后刻蚀出针头，简化了针头的制作工艺，降低了成本，其特征在于针孔由电化学腐蚀方法制作，深宽比大、直径小。可阳止微生物通过注射孔进入组织，避免生物组织因注射而被感染，且提高药物输送效率。
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公开(公告)号：CN1588602A
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN200410066370.1
申请日：2004-09-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种翘曲膜结构的单刀双掷射频和微波微机械开关及其制作方法。由第一基板上的第一凹部、位于第一凹部底部以及第一基板表面上的第一波导线、第一凹部底部的第一吸引电极、第一基板表面上的转换导体、第二基板上的第二凹部、位于第二凹部底部以及第二基板表面上的第二波导线、第二凹部底部的第二吸引电极、悬于第一凹部和第二凹部之间的翘曲弹性介质膜、翘曲弹性介质膜上的驱动导电膜以及其上的第二介质膜构成的复合膜组成。翘曲弹性介质膜内含有不大于100MPa的预置压应力。在稳定状态，复合膜与某一路波导线表面接触，使该路信号保持断开，复合膜与另一路波导线分开，使该路信号保持导通。具有状态锁存功能又无静态功耗特点。
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公开(公告)号：CN103879952B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210556515.0
申请日：2012-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件真空封装结构的制作方法，采用外延生长的硅材料来填充侧壁生长有绝缘层的封闭环形通槽，并利用封闭环形通槽环绕用于实现MEMS器件真空封装结构内外电连接的电极，以供所述电极周围电学隔离。本发明中封闭环形通槽的填充物致密性很高，提高了器件的隔离效果、可靠性以及器件在真空封装时的机械强度，能够有效解决填充物与硅的热膨胀系数差异引起的器件可靠性降低的问题；本发明对全硅结构的真空封装采用硅硅键合，具有无放气、长期稳定性好和可靠性好的优势。本发明与CMOS工艺的完全兼容，不仅用于MEMS器件中的惯性器件的真空封装，也可用于红外等其他器件，如角速度传感器、能量采集器或红外传感器。
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公开(公告)号：CN103879951B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201210553436.4
申请日：2012-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种硅通孔的制作方法，在一形成有凹槽的基板上表面形成绝缘层，其中所述凹槽对应预制作的硅通孔处；而后，在所述绝缘层的表面生长硅材料外延层直至填充满所述凹槽，而后减薄所述的外延层至基板上表面的绝缘层；再背面减薄所述基板直至暴露所述凹槽，形成填充有外延层及绝缘层的硅通孔。本发明采用外延生长的硅材料来填充硅通孔，一方面，硅通孔的填充物致密性很高，提高了器件的可靠性；另一方面，能够有效解决填充物与硅的热膨胀系数差异引起的器件可靠性降低的问题；同时本发明硅通孔的外延层填充物中存在单晶硅，解决了单纯使用多晶硅填充造成的填充物与重布线层的连线的接触电阻较大的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102241388B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201110129333.0
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于Chip to Wafer叠层方式的MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法，其特征在于通过玻璃浆料低温键合实现MEMS器件圆片和硅盖板圆片的键合，实现圆片级气密/真空封装，完成MEMS器件可动部件的保护；采用Chip to Wafer叠层方式在硅盖板圆片表面贴装互连ASIC等CMOS芯片，实现ASIC等CMOS芯片与MEMS器件圆片的三维混合集成；将分立的集成微系统贴装在低成本的有机基板上，采用引线键合方式完成CMOS芯片、MEMS器件和基板的多层互连，并采用围坝(Dam)方式灌注(Fill)低应力塑封料以保护集成微系统，提高环境可靠性。从而形成高密度、易加工、低成本、低应力和高可靠性的MEMS圆片级三维混合集成封装结构。
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公开(公告)号：CN103879952A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210556515.0
申请日：2012-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件真空封装结构的制作方法，采用外延生长的硅材料来填充侧壁生长有绝缘层的封闭环形通槽，并利用封闭环形通槽环绕用于实现MEMS器件真空封装结构内外电连接的电极，以供所述电极周围电学隔离。本发明中封闭环形通槽的填充物致密性很高，提高了器件的隔离效果、可靠性以及器件在真空封装时的机械强度，能够有效解决填充物与硅的热膨胀系数差异引起的器件可靠性降低的问题；本发明对全硅结构的真空封装采用硅硅键合，具有无放气、长期稳定性好和可靠性好的优势。本发明与CMOS工艺的完全兼容，不仅用于MEMS器件中的惯性器件的真空封装，也可用于红外等其他器件，如角速度传感器、能量采集器或红外传感器。
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公开(公告)号：CN103879951A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210553436.4
申请日：2012-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种硅通孔的制作方法，在一形成有凹槽的基板上表面形成绝缘层，其中所述凹槽对应预制作的硅通孔处；而后，在所述绝缘层的表面生长硅材料外延层直至填充满所述凹槽，而后减薄所述的外延层至基板上表面的绝缘层；再背面减薄所述基板直至暴露所述凹槽，形成填充有外延层及绝缘层的硅通孔。本发明采用外延生长的硅材料来填充硅通孔，一方面，硅通孔的填充物致密性很高，提高了器件的可靠性；另一方面，能够有效解决填充物与硅的热膨胀系数差异引起的器件可靠性降低的问题；同时本发明硅通孔的外延层填充物中存在单晶硅，解决了单纯使用多晶硅填充造成的填充物与重布线层的连线的接触电阻较大的问题。
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公开(公告)号：CN102556956B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210060195.X
申请日：2012-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件的真空封装结构及其制作方法，通过在半导体层上刻蚀环形隔离槽将孤岛从所述半导体层中隔离出来，且使孤岛从密封环内延伸到密封环外，并通过半导体层与下基板键合，实现从孤岛上的焊盘、孤岛、下基板引线直至所述MEMS器件的结构区域的内外电连接，最后真空键合上基板并开窗口露出焊盘以完成真空封装。为保证MEMS器件真空封装结构的气密性，环形隔离槽上方的绝缘层、及位于绝缘层上方的隔离槽保护环和密封环起到了至关重要的作用。本发明工艺简单、成本低且真空封装结构体积小，与CMOS工艺的完全兼容使其有较好的扩展性和较广的使用范围。
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公开(公告)号：CN100998901B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200710036416.9
申请日：2007-01-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种多孔硅无痛注射微针阵列及其制备方法，其特征在于微针密度可达50％，微针针孔与基底垂直，阵列中微针为多根针头或单根针头，微针长度达100-200μm，针孔最小为2nm，且针孔的开口可在针头上方或侧面。本发明拟采用电化学腐蚀方法在硅片上制作规则排布的多孔硅，然后刻蚀出针头，简化了针头的制作工艺，降低了成本，其特征在于针孔由电化学腐蚀方法制作，深宽比大、直径小。可阻止微生物通过注射孔进入组织，避免生物组织因注射而被感染，且提高药物输送效率。
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