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公开(公告)号：CN117512777A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311596989.2
申请日：2023-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种氟化钙单晶材料的表面处理方法，包括对待处理氟化钙单晶材料进行化学机械抛光；在化学机械抛光过程中采用的化学抛光液包括二氧化硅抛光液；对抛光后的氟化钙单晶材料进行多步清洗，并干燥，得到目标氟化钙单晶材料。本申请采用二氧化硅抛光液进行化学机械抛光，并配合多步清洗，对氟化钙单晶材料进行表面处理，能够实现对氟化钙单晶材料的表面的超高精度处理，大大降低氟化钙单晶材料表面的粗糙度和颗粒度，避免在加工过程中对氟化钙单晶材料表面造成脆性破裂和划痕等表面或亚表面损伤，提升氟化钙单晶材料的面型精度和表面质量。
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公开(公告)号：CN115078472A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210801907.2
申请日：2022-07-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/06
Abstract: 本发明提供一种调控德拜长度实现复杂环境高灵敏生化检测的方法，包括：对复杂样本进行稀释，得到多个浓度的目标溶液；将复杂样本以及稀释后的目标溶液通过纳米传感器阵列；通过纳米传感器的检测灵敏度确定合适的稀释倍数和探针的类型，随后根据确定的稀释倍数和探针的类型完成复杂样本中目标物的特异性检测。本发明的调控德拜长度实现复杂环境高灵敏生化检测的方法通过对待测目标液进行稀释，使得溶液中的德拜长度与纳米传感器表面修饰的探针长度相当，从而能够使用纳米传感器对目标物进行检测，利用稀释和DNA、PNA组合等探针来完成在复杂环境中对目标物的特异性检测，具有简单、高效、速度快和成本低的优点。
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公开(公告)号：CN111721710B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010073597.8
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用光标定硅纳米线传感器的方法，包括：对所述硅纳米线传感器进行表面修饰；获取预定测试环境下已修饰硅纳米线传感器在不同光照强度下的光响应电流；基于所述光响应电流确定光响应函数表达式的光响应函数解析式；根据所述光响应函数解析式和环境变量偏置值，确定目标物响应函数表达式的目标物响应函数解析式；基于所述目标物响应函数解析式，确定待测样品的响应电流所对应的待测样品浓度。该方法利用硅纳米线对光的吸收效率来评估硅纳米线传感器的性能，解决由于传感单元差异引起的传感器件响应效率不一致问题。该标定方法具有简单、高效、成本低、器件无损和不干扰后续器件使用的优点。
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