公开(公告)号：CN113539311A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110724690.5

申请日：2021-06-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李阳 ,  蔡道林 ,  宋志棠 ,  崔紫荆 ,  李程兴

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/12 ,  G11C8/08

Abstract: 本发明涉及一种减少二极管选通阵列寄生漏电的偏置方法，所述二极管阵列包括十字交叉的至少两根位线和至少两根字线，所述位线和字线的交叉点处设置有二极管，对多根相邻位线施加选通信号，其他位线接地，将选通单元所在的字线接地，并对其他字线施加一个大于操作电压且小于二极管反向击穿电压的电压Vp，其中，所述选通单元位于同一根字线上。本发明能够减少阵列寄生漏电，同时提高存储单元可靠性。

公开(公告)号：CN113488093A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110754913.2

申请日：2021-07-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 崔紫荆 ,  蔡道林 ,  李阳 ,  李程兴 ,  宋志棠

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明涉及一种实现存储器多级存储的方法及装置，方法包括以下步骤：将存储器单元操作至低阻态；根据所述存储器单元的电阻变化特性，提取一组电脉冲，使得所述存储器单元的电阻随所述电脉冲个数的增加而线性增加；使用所述电脉冲来实现所述存储器的多级存储，并在每个脉冲操作后都紧随一个读操作，确认所述存储器单元的电阻值是否到达目标状态，用以控制脉冲操作的停止或继续。本发明能够降低功耗，提高效率，节约成本，提高多级存储成功率。