公开(公告)号：CN106898371A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710102254.8

申请日：2017-02-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 雷宇 ,  陈后鹏 ,  李喜 ,  王倩 ,  李晓云 ,  张琪 ,  宋志棠

IPC: G11C7/12 ,  G11C8/08

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C8/08

Abstract: 本发明提供一种三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法，包括：在对三维存储单元阵列进行读操作时，通过配置模块将所述三维存储单元阵列中的所有位线置为读不选择位线电压，将所述三维存储单元阵列中的所有字线置为读不选择字线电压；待脉冲信号到来后，将要读取的存储单元所在的位线置为读取电压Vread，将要读取的存储单元所在的字线置为0V；其中，所述读不选择位线电压介于Vread/2与Vread之间；所述读不选择字线电压介于Vread/2与Vread之间。本发明降低了位线上半选通单元两端的电压，三维存储器芯片在读操作时功耗变低、速度变快、无全阵列漏电、选中字线上未被选中的存储单元保持半选通。