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公开(公告)号：CN115377257A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211019550.9
申请日：2022-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种能量可调谐的量子纠缠光源器件及其制备方法，所述器件由下到上依次包括：衬底、压电材料、电极，其中衬底上表面的中央设有沟道；所述压电材料上表面的中央设置正方形区域，并且以该正方形区域为中心，四周布置有四块梯形的电极；所述正方形区域内设有薄膜。本发明器件既适用于小面积的薄膜材料，也适用于面积较大的薄膜材料,因此应用范围较广泛。该器件既能产生两对相互独立的单轴应力，也能产生双轴应力。
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公开(公告)号：CN117008320A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310838942.6
申请日：2023-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明涉及一种基于碳化硅色心的牛眼腔双轴应力调控装置及其制备方法，首次提出碳化硅色心双轴应力调控的方案，可以同时在色心与牛眼腔微腔耦合的同时对色心进行调控。双轴应力调控相比与单轴应力调控自由度更大，调制幅度更大。本发明有效验证了应力场下色心哈密顿量和自旋量子态的理论模型，对碳化硅色心超高精度量子传感应用具有重大意义。
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公开(公告)号：CN115274943A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210932216.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种混合集成单光子LED器件的制备方法，包括步骤：S1依次在第一衬底上生长缓冲层、牺牲层和P‑I‑N结构，得到第一薄膜；S2沉积第一金属图案，并进行腐蚀或刻蚀，获得第二薄膜；S3对牺牲层进行湿法腐蚀或干法刻蚀，获得第三薄膜；S4拾起第三薄膜并翻转180°；S5在第二衬底上沉积第二金属图案；S6将第一金属图案与第二金属图案对准与接触，进行金‑金键合，得到第四薄膜；S7沉积第三金属图案，得到混合集成单光子LED器件。本发明的混合集成单光子LED器件的制备方法，利用金‑金键合方式解决了转移后的薄膜与衬底之间的粘附性不足的问题，且后续的电极工艺无需生长绝缘层，有效地简化了工艺流程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114142946A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111436608.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种集成量子纠缠光源的光量子芯片的制备方法及其结构，制备方法包括获取待刻蚀结构和待转移结构，该待刻蚀结构自下而上依次包括基底、牺牲层和待刻蚀层，待转移结构的上表面包括待转移区域和待刻蚀区域，进而对待刻蚀结构进行刻蚀处理，使得在待刻蚀层形成波导光栅耦合结构，得到待腐蚀结构，并对待腐蚀结构进行腐蚀处理，去除牺牲层，得到量子点薄膜，之后将量子点薄膜转移至待转移结构上的待转移区域，并在待刻蚀区域刻蚀出待施压区域，得到光量子芯片。基于本申请实施例通过在待刻蚀区域上刻蚀待施压区域以施加驱动电压，通过压电效应来调控精细结构分裂，提高量子纠缠光源的产率，实现片上量子纠缠光源的光量子芯片。
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公开(公告)号：CN116880009A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310878973.4
申请日：2023-07-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及集成光子学技术领域，尤其涉及一种碳化硅微盘谐振器、制备方法及光通信设备。谐振器包括碳化硅器件层；碳化硅器件层包括微盘谐振腔、波导和至少一个光栅；微盘谐振腔内形成有预设类型的色心；波导包括连接端和至少一个光栅耦合端，连接端与微盘谐振腔的边沿相接，每个光栅耦合端对应连接一个光栅；波导用于将输入光栅的激发光波传输至微盘谐振器，以激发色心发光；波导还用于耦合色心所发出的色心荧光，并将色心荧光传输到光栅；光栅用于接收输入激发光波，以及将色心荧光发射出微盘谐振器。通过在碳化硅器件层中集成微盘谐振腔、波导和光栅，可以直接将预设类型色心发出的光耦合发射出来，实现对碳化硅材料中的自旋缺陷的利用。
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公开(公告)号：CN115320271B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210933454.9
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种半导体薄膜的转移印刷方法，包括步骤：S1获得具有第一图案的半导体薄膜；S2：在柔性材料表面加工出第二光刻胶；S3：将第二光刻胶与半导体薄膜对准并接触，然后加热并施压，使得第二光刻胶与半导体薄膜表面充分接触；S4：停止加热，降至室温后通过柔性材料将半导体薄膜拾起；S5：将半导体薄膜转移到第二衬底上，加热并施压，使部分第二光刻胶与第二衬底接触并覆盖半导体薄膜；S6：待第二衬底降至室温后将柔性材料缓慢提起；S7：洗去第二光刻胶，使半导体薄膜留在第二衬底上，完成转移。本发明的半导体薄膜的转移印刷方法，通过第二光刻胶与半导体薄膜粘接来进行辅助转移，能有效提高转移印刷的成功率。
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公开(公告)号：CN115320271A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210933454.9
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种半导体薄膜的转移印刷方法，包括步骤：S1获得具有第一图案的半导体薄膜；S2：在柔性材料表面加工出第二光刻胶；S3：将第二光刻胶与半导体薄膜对准并接触，然后加热并施压，使得第二光刻胶与半导体薄膜表面充分接触；S4：停止加热，降至室温后通过柔性材料将半导体薄膜拾起；S5：将半导体薄膜转移到第二衬底上，加热并施压，使部分第二光刻胶与第二衬底接触并覆盖半导体薄膜；S6：待第二衬底降至室温后将柔性材料缓慢提起；S7：洗去第二光刻胶，使半导体薄膜留在第二衬底上，完成转移。本发明的半导体薄膜的转移印刷方法，通过第二光刻胶与半导体薄膜粘接来进行辅助转移，能有效提高转移印刷的成功率。
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