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公开(公告)号：CN116599481A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310682115.2
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种声波谐振器的制备方法及声波谐振器。通过利用同一种工艺制备得到两个压电结构；每个压电结构包括由下至上依次设置的支撑衬底和压电薄膜层；两个压电薄膜层的厚度的差值小于或者等于20％的预设压电薄膜层的厚度；预设压电薄膜层为两个压电薄膜层中较厚的压电薄膜层；对两个压电结构进行键合，得到键合结构；两个压电薄膜层位于键合结构的中层区域；去除键合结构中的任一个支撑衬底；在支撑衬底靠近保留的压电结构中的压电薄膜层的区域制备空腔，以使压电薄膜层悬空。本申请提供的该异质集成结构中的对称互补的压电薄膜能够抵消这两个压电薄膜层总体的内部应力，从而提高器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119420314A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411316587.7
申请日：2024-09-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声表面波谐振器，所述声表面波谐振器的结构包括：提供一支撑衬底；位于所述支撑衬底上方的复合压电薄膜；位于所述复合压电薄膜上方的电极层；其中，所述复合压电薄膜包括上层压电薄膜和下层压电薄膜；所述上层压电薄膜和下层压电薄膜的切向相反，上层压电薄膜和下层压电薄膜的晶圆切边方向之间存在夹角。本发明在保持主模式机电耦合系数基本不变的情况，大幅度的抑制其他杂散模式，使得滤波器具有较好的带外抑制，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113676152B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202110987487.7
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种弹性波谐振器及其制备方法。该弹性波谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜和叉指电极结构；该支撑衬底上设有孔；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。从而使得该弹性波谐振器不仅能够有效获得高阶兰姆波的模式，且有效抑制其他杂散模式的基础上，提高器件的功率容量。
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公开(公告)号：CN113676150B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110987508.5
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种兰姆波器件及其制备方法。该兰姆波器件包括由下至上依次设置的支撑衬底、布拉格反射层、压电薄膜和叉指电极结构；该布拉格反射层包括交替层叠的低声阻抗层和高声阻抗层；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。
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公开(公告)号：CN113676149A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110987489.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种声波器件及其制备方法。该声波器件包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指电极结构；该支撑衬底上设有能量反射结构；该叉指电极包括第一汇流条、第二汇流条、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一叉指电极包括第一圆弧段；该第一圆弧段的一端与该第一汇流条连接；该第二叉指电极包括第二圆弧段；该第二圆弧段的第一端与该第二汇流条连接；该第一圆弧段与该第二圆弧段共圆心。从而使得该声波器件在有效获得高阶兰姆波的模式的基础上，抑制其他杂散模式。
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