公开(公告)号：CN100517065C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200610024251.9

申请日：2006-03-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  刘奇斌 ,  张楷亮 ,  封松林 ,  陈邦明

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G11C11/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明涉及一种制作相变随机存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺，其刻蚀液的组成为：酸溶液为1～30%，氧化剂为0.5%～10%，络合剂为0.05%～10%，表面活性剂0.1～5%(均为wt%)，余量为去离子水。湿法刻蚀工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积Ti或TiN，Pt或Au，以及相变材料膜；(2)在相变薄膜上光刻成图形；(3)沉积金属Pt或Au；(4)用剥离工艺去除曝光之外的金属Pt或Au；(5)用刻蚀液刻蚀相变材料；(6)沉积SiO2，形成的器件结构。本工艺充分利用刻蚀液的正向和侧向刻蚀，在有效控制刻蚀速率的条件下，用微米加工工艺制作了纳米相变存储器结构；制作之后离子对器件无污染，便于清洗、加工和废液处理成本低。

公开(公告)号：CN1300271C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200410066674.8

申请日：2004-09-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张楷亮 ,  宋志棠 ,  刘波 ,  刘卫丽 ,  封松林 ,  陈邦明

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。

公开(公告)号：CN1731567A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200510026996.4

申请日：2005-06-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张楷亮 ,  宋志棠 ,  封松林 ,  陈邦明

IPC: H01L21/321 ,  B24B57/02

Abstract: 本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP)的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多层膜体系的化学机械抛光，通过本发明的“一步抛光工艺”，单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机，实现多层膜的分步抛光。通过化学机械抛光过程中多层膜体系界面间在线检测信号(声学、力学、电学或光学信号)差异的反馈，对抛光液实施分段应用，有效改善了原有的单一抛光液或分步抛光中存在的低速率及选择性问题。该抛光工艺及相应纳米抛光液有效改善了单一抛光液的速率问题；以单头抛光机代替多头抛光机，降低了设备成本；同时抛光后表面损伤少、易清洗，抛光液不腐蚀设备、不污染环境。

公开(公告)号：CN1648190A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410093370.0

申请日：2004-12-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张楷亮 ,  宋志棠 ,  封松林

IPC: C09K3/14

Abstract: 本发明涉及一种用于半导体器件中高介电常数介电材料钛酸锶钡(BaxSr1－xTiO3，BST)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液。该CMP纳米抛光液包含有纳米研磨料、螯合剂、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于新一代高密度存储器(DRAM)电容器介电材料及CMOS场效应管的栅介质——高介电常数介电材料钛酸锶钡的全局平坦化。利用上述纳米抛光液采用化学机械抛光方法平坦化高介电常数介电材料钛酸锶钡，抛光后表面的粗糙度降至0.8nm以下，抛光速率达200～300nm/min；抛光后表面全局平坦度高，损伤较少，是制备超高密度动态存储器(DRAM)及CMOS场效应管时高介电材料平坦化的一高效抛光液。

公开(公告)号：CN1632023A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN200410084490.4

申请日：2004-11-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张楷亮 ,  宋志棠 ,  封松林 ,  陈邦明

IPC: C09G1/18

Abstract: 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GeSbTe化学机械抛光(CMP)的无磨料抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP无磨料抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、抗蚀剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1－x－y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1－x－y)，(0≤x≤0.5，0≤y≤1.0，且 x、y不同时为0)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。