公开(公告)号：CN109597004A

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201811611264.5

申请日：2018-12-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王会武 ,  唐鑫 ,  张栖瑜 ,  公凯轩 ,  王镇

IPC: G01R33/035 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明提供一种超导量子干涉器件及制备方法，包括：欠阻尼SQUID及串联电阻，欠阻尼SQUID与串联电阻串联，欠阻尼SQUID及串联电阻串联后的两端连接偏置电压。依次沉积第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层，并刻蚀形成超导环路及底电极结构；刻蚀第二超导材料层以形成约瑟夫森结；沉积并刻蚀第二绝缘材料层，于约瑟夫森结顶部形成电极开口；沉积并刻蚀电阻材料层形成旁路电阻及串联电阻；沉积并刻蚀第三超导材料层顶电极。本发明将欠阻尼SQUID与电阻串联在一起构成Series Resistance SQUID器件，在电压偏置模式下工作，具有噪声更低、灵敏度更高的特点；而且其制备工艺与普通SQUID制备工艺相同，不增加制备难度。

公开(公告)号：CN105449094B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201511018443.4

申请日：2015-12-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘全胜 ,  王会武 ,  张栖瑜 ,  应利良 ,  王镇

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明提供一种氮化铌薄膜的制备方法、SQUID器件及其制备方法，包括：在衬底上采用磁控溅射方式依次外延生长第一氮化铌材料层、第一绝缘材料层、第二氮化铌材料层的三层薄膜结构；通过刻蚀形成底电极图形；形成约瑟夫森结；沉积第二绝缘材料层；制备旁路电阻；沉积第三氮化铌材料层，并形成顶电极。该SQUID器件包括：衬底，制备于所述衬底上的超导环，制备于所述衬底上并嵌于所述超导环的环路上的约瑟夫森结，所述约瑟夫森结包括底电极、绝缘材料层和对电极。本发明提供一种制备高质量氮化铌薄膜的方法，并在此基础上制备出基于氮化铌/氮化铝/氮化铌约瑟夫森结的SQUID器件，使得SQUID器件可以在高于4.2K的温度下工作，降低了超导SQUID器件的制冷成本。

公开(公告)号：CN107329098A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201710363781.4

申请日：2017-05-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王会武 ,  张栖瑜 ,  刘全胜 ,  应利良 ,  王镇

IPC: G01R33/00 ,  G01R33/022 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明提供一种全张量磁场梯度测量组件及制备方法，至少包括：衬底、制备在所述衬底上的第一SQUID器件、第二SQUID器件、第三SQUID器件、第四SQUID器件、第五SQUID器件以及第一梯度线圈、第二梯度线圈、第三梯度线圈、第四梯度线圈、第五梯度线圈，其中，所述第一梯度线圈与所述第一SQUID器件用于测量Gxx磁场梯度分量；所述第二梯度线圈与所述第二SQUID器件用于测量Gyy磁场梯度分量；所述第三梯度线圈与所述第三SQUID器件用于测量Gyx磁场梯度分量；所述第四梯度线圈与所述第四SQUID器件用于测量Gzx磁场梯度分量；所述第五梯度线圈与所述第五SQUID器件用于测量Gzy磁场梯度分量。本发明在同一衬底上制备5个SQUID器件，且每个SQUID器件探测1个分量，减小了组件体积和安装难度，降低制备成本。

公开(公告)号：CN107229021A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201710372145.8

申请日：2017-05-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王会武 ,  张栖瑜 ,  刘全胜 ,  应利良 ,  王镇

IPC: G01R33/035

CPC classification number: G01R33/0354

Abstract: 本发明提供一种三维磁场测量组件及制备方法，组件至少包括：衬底、制备在所述衬底上第一SQUID器件、第二SQUID器件、第三SQUID器件、第一探测线圈、第二探测线圈以及第三探测线圈，其中，所述第一探测线圈与第一SQUID器件相连，且所述第一探测线圈的法线方向与X轴方向平行；所述第二探测线圈与第二SQUID器件相连，且所述第二探测线圈的法线方向与Y轴方向平行；所述第三探测线圈与第三SQUID器件相连，且所述第三探测线圈的法线方向与Z轴方向平行。本发明在同一个衬底上制备了3个SQUID器件，且每个SQUID器件探测1个空间方向的磁场，这种方法省略了现有技术组件中的立方体结构，减小了三维磁场探测组件的体积和安装难度，降低了制备成本，缩小了三个器件之间非正交性误差。

公开(公告)号：CN105489750A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201610023704.X

申请日：2016-01-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张栖瑜 ,  王会武 ,  刘全胜 ,  蒋坤 ,  应利良 ,  王镇

IPC: H01L39/04 ,  H01L39/22 ,  G01R33/035

CPC classification number: H01L39/045 ,  G01R33/0354 ,  H01L39/223

Abstract: 本发明提供一种超导量子干涉器件的封装结构，包括：封装槽，底部和侧壁形成有低通滤波层；底板，固定于所述封装槽底部的低通滤波层表面，且制备有器件引出电极；超导量子干涉器件，固定于底板上，并实现电性连接；盖板，密封覆盖于封装槽上形成容置空间，以将超导量子干涉器件封装于该容置空间内，且盖板朝向封装槽的一面形成有低通滤波层，所述低通滤波层包括金属粉末与低温胶的混合物层。本发明在超导量子干涉器件的封装结构中加入由金属纳米粒子构成的屏蔽层，可以有效防止外界射频电磁场进入到超导量子干涉器件中，同时低温胶的绝缘特性使得屏蔽层不能构成导通回路因此不产生金属涡流，从而提高了超导量子干涉器件的稳定性。