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公开(公告)号：CN116781033A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310678398.3
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；目标模式的声速小于支撑衬底的声速。基于异质集成衬底，在简化声波谐振器结构的同时，降低欧姆损耗，提高高阶模式的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN115021705A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210742047.X
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，本发明公开了一种高频声波谐振器及应用其的滤波器。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、底电极、压电薄膜和叉指换能器；该叉指换能器包括第一汇流条和多个间隔设置的第一电极；该多个第一电极的同一侧与该第一汇流条连接；该多个第一电极中相邻的第一电极的中心之间的间隔距离与目标模式的频率之积小于该支撑衬底的声速；该目标模式为该高频声波谐振器在纵向电场作用下激发的高阶模式；本申请提供的该声波谐振器建立在异质集成衬底上，具有结构简单且压电薄膜强度高，仍能够保证声波谐振器的品质的特点。
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公开(公告)号：CN113328723A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110665708.9
申请日：2021-06-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种弹性波谐振器及其制备方法，所述弹性波谐振器至少包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面；叉指电极，形成于所述压电层的上表面；反射增强结构，至少形成于所述叉指电极的左右两侧，且形成于所述压电层的上表面及/或所述压电层中。通过本发明提供的弹性波谐振器及其制备方法，改善了现有弹性波谐振器声学能量泄露的问题。
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公开(公告)号：CN116781033B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202310678398.3
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；目标模式的声速小于支撑衬底的声速。基于异质集成衬底，在简化声波谐振器结构的同时，降低欧姆损耗，提高高阶模式的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN112688657B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202011560361.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及其制备方法，所述制备方法包括：提供一压电材料层；于压电材料层的至少部分上表面进行离子注入并后退火处理，以于压电材料层中预设深度处形成具有预设厚度的高缺陷密度损伤层；于压电材料层上表面形成至少一个暴露高缺陷密度损伤层的腐蚀窗口；基于腐蚀窗口去除至少部分高缺陷密度损伤层，以于压电材料层中形成空气隙；其中，空气隙将压电材料层分为压电衬底及压电薄膜，压电薄膜位于空气隙的上方，压电薄膜与压电衬底在空气隙的边缘处具有接触；于压电薄膜上表面形成图案化电极。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法，解决了现有声波谐振器无法满足5G通信需求的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113381724B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110750879.1
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器及其制备方法，所述体声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，所述压电层中形成有基于刻蚀孔定义的图案化有源区，所述刻蚀孔暴露出所述支撑衬底的上表面；一对顶电极，形成于所述压电层的上表面，且至少形成于所述图案化有源区的相对两侧。通过本发明提供的体声波谐振器及其制备方法，解决了现有体声波谐振器在激发主模的同时存在其他杂波的问题。
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公开(公告)号：CN115347877A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210909089.8
申请日：2022-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于压电衬底的多模式谐振器和多通带滤波器，其中，多模式谐振器包括：衬底层；单晶压电层，位于所述衬底层上；图案化电极组件，位于所述单晶压电层上；图案化介质膜，位于所述单晶压电层和/或图案化电极组件上，用于实现单个谐振模式到多个谐振模式的变换。本发明通过在压电衬底表面设计覆膜，能够通过单个谐振器激发并利用多个模式的谐振响应，并获得同时对多通带响应的滤波器，而无需大面积的多个滤波器集成，减小了器件面积，优化了散热途径，增大了设计自由度。
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公开(公告)号：CN114465594A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011239226.9
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器，所述声波谐振器包括：底电极；压电膜结构，形成于所述底电极的上方；顶电极，形成于所述压电膜结构的上方；其中，所述压电膜结构包括叠置的底层压电膜及顶层压电膜，所述底层压电膜及所述顶层压电膜均具有正面及与正面相对的反面；所述底层压电膜与所述顶层压电膜的法线方向均位于其各自压电晶体的XY面内，同时所述底层压电膜与所述顶层压电膜的晶体切型相同且其中一个正面朝上设置、另一个反面朝上设置。通过本发明提供的声波谐振器，抑制或消除了现有声波谐振器在导纳响应中引入的杂散模式。
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公开(公告)号：CN114124022A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111437684.8
申请日：2021-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种增强散热的悬空谐振器及制备方法，包括导热支撑衬底、位于导热支撑衬底上方的单晶压电层、设置于单晶压电层上的图案化电极换能器组件；导热支撑衬底中设置位于单晶压电层下方的悬空腔体，悬空腔体的形状通过图案化离子注入形成，图案化电极换能器组件包括第一区域和第二区域，且悬空腔体的横截面与第一区域的横截面相匹配，以使得第一区域对应的单晶压电层悬空，第二区域对应的单晶压电层不悬空。本发明通过在单晶压电层下方设置部分悬空的悬空腔体，能够激发并利用具有大机电耦合系数的高声速声波模式，避免声波能量向衬底的泄露；同时，在第二区域内与导热支撑衬底紧密接触，大大改善器件的散热性能、功率容量及机械稳定性。
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