公开(公告)号：CN110335636A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201910605311.3

申请日：2019-07-05

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吕艺 ,  陈后鹏 ,  王倩 ,  李喜 ,  雷宇 ,  郭家树 ,  解晨晨 ,  苗杰 ,  宋志棠

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C29/42 ,  G11C29/44

Abstract: 本发明提供一种相变存储器的多级存储读写方法及系统，包括：数据存储模块，包括多个存储数据的数据单元；参考模块，包括多个参考单元，2k-1个参考单元对应1个数据单元，用于存储与存储的数据对应的参考信号，k为存储的数据比特；读出功能模块，在读取某一数据单元时将其对应的参考信号读出，并还原数据单元中储存的数据。本发明采用2T2R的结构作为基本单位进行数据存储，通过两个相变存储元件不同阻值的组合在一定程度上减少阻值漂移带来的影响，实现高密度存储；设置检纠错功能，通过检错、纠错提高相变存储器多值存储的可靠性；设置参考单元，通过参考单元计算还原存储的数据，实现高可靠性读取；同时降低检纠错的难度，进一步提高可靠性。