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公开(公告)号：CN116989890A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310953374.4
申请日：2023-07-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种实现闭环反馈调节的MEMS传感器及激光功率在线测量方法，本发明的MEMS传感器包括基于微纳加工技术制造的传感器芯片和光学组装技术形成的光学耦合模块，实现激光产生的微弱光压力的探测，本发明中的MEMS传感器采用传感镜面和参考镜面集成的差分结构，实现对外界振动共模抑制以提高传感器信噪比；同时，为了保持测量原点的一致性，MEMS传感器采用压电材料组成的压电制动器法珀腔腔长实时闭环反馈调控，始终保持在设定的初始腔长；闭环反馈调控还可以避免镜面震荡，缩短镜面稳定时间，提高测量的响应时间。本发明利用实现闭环反馈调节的MEMS传感器可以实现连续和脉冲激光的功率在线测量，并且结构简单、响应速度快、稳定性高以及测量精度高。
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公开(公告)号：CN116093050A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211104825.9
申请日：2022-09-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体基底结构及器件，包括衬底、导电柱、横向绝缘层和竖向绝缘层，通过导电柱可以实现垂直电学导通，通过横向绝缘层及竖向绝缘层可实现电学绝缘；本发明的半导体基底结构可实现3D互联，具有工艺兼容性强、设计灵活、适于高温工艺等优点，可作为集成电路器件的基底结构，以实现电路元件结构间的隔离、减少晶体管间或引线间的寄生电容，增强器件的抗辐照能力；也可用于MEMS器件的设计，实现器件的电学引出，简化器件的封装结构，增强器件的阵列化能力；亦可用于例如CMOS‑MEMS单片集成器件，提高器件集成度、减少IC电路和MEMS器件之间的串扰，提高衬底利用率。
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公开(公告)号：CN114415365A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210112102.7
申请日：2022-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS光学偏转器件，包括：基座、2N个悬臂梁致动器、2N个耦合结构及反射微镜，其中N≥1；每个悬臂梁致动器包括：致动器衬底、致动结构、第一柔性结构；基座与致动器衬底固定连接；致动结构与致动器衬底连接；第一柔性结构与致动器衬底固定连接；第一柔性结构与一个耦合结构固定连接；2N个耦合结构固定连接于反射微镜的下方；2N个悬臂梁致动器沿周向分布于反射微镜的下方周围，且每两个悬臂梁致动器沿直线分布。通过在每一个第一柔性结构的一端均设置一个耦合结构，当沿直线分布的两个悬臂梁致动器同时产生致动力使反射微镜旋转时，两个悬臂梁致动器的旋转轴与反射微镜共轴，光的入射点在偏转过程中不会发生偏移。
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