公开(公告)号：CN106996942B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201710277779.5

申请日：2017-04-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘吉山 ,  沈大伟 ,  刘万领 ,  向兀 ,  樊聪聪 ,  刘正太 ,  张凯丽

IPC: G01N23/227

Abstract: 本发明提供一种光路切换系统，所述光路切换系统至少包括：真空管路；设置在真空管路一端的样品系统腔，用于放置待测样品；设置在所述真空管路上至少两个光源光路腔，用于分别引入不同的光源，其中，每个光源光路腔配备有离子泵和真空阀门；设置在所述真空管路上且位于所述样品系统腔和所述光源光路腔之间的真空调节腔。本发明的光路切换系统可以解决角分辨光电子能谱仪集成不同激励光源后各光源之间的相互切换问题，实现在测试过程中各种光源能够相互自由切换的实际需求。

公开(公告)号：CN104831348B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201510268586.4

申请日：2015-05-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨海峰 ,  沈大伟 ,  李明颖 ,  刘正太 ,  姚岐 ,  樊聪聪 ,  刘吉山

IPC: C30B19/12 ,  C30B23/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供一种NdGaO3单晶衬底的处理方法，所述处理方法包括步骤：首先，提供一待处理的NdGaO3单晶衬底，所述待处理的NdGaO3单晶衬底表面是由NdO层和GaO层构成的混合终结面；然后，将所述待处理的NdGaO3单晶衬底进行酸刻蚀，使所述NdGaO3单晶衬底表面初步形成由GaO层构成的单一终结面；最后，将所述NdGaO3单晶衬底置于高温炉中进行退火，获得具有原子尺度表面台阶的GaO单一终结面。通过本发明的处理方法可以将混合终结面的NdGaO3单晶衬底转变为GaO单一终结面的NdGaO3单晶衬底，并且衬底表面具有高度结晶的原子级平整的台阶，有利于后续生长出更为平整、可控且质量更好的氧化物薄膜材料。

公开(公告)号：CN106996942A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201710277779.5

申请日：2017-04-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘吉山 ,  沈大伟 ,  刘万领 ,  向兀 ,  樊聪聪 ,  刘正太 ,  张凯丽

IPC: G01N23/227

CPC classification number: G01N23/2273

Abstract: 本发明提供一种光路切换系统，所述光路切换系统至少包括：真空管路；设置在真空管路一端的样品系统腔，用于放置待测样品；设置在所述真空管路上至少两个光源光路腔，用于分别引入不同的光源，其中，每个光源光路腔配备有离子泵和真空阀门；设置在所述真空管路上且位于所述样品系统腔和所述光源光路腔之间的真空调节腔。本发明的光路切换系统可以解决角分辨光电子能谱仪集成不同激励光源后各光源之间的相互切换问题，实现在测试过程中各种光源能够相互自由切换的实际需求。

公开(公告)号：CN104882534A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510258262.2

申请日：2015-05-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 姚岐 ,  沈大伟 ,  刘吉山 ,  李明颖 ,  刘正太

IPC: H01L39/24

CPC classification number: H01L39/24

Abstract: 本发明提供一种钇掺杂氧化锆单晶衬底的处理方法，所述处理方法包括：提供一待处理的钇掺杂氧化锆单晶衬底，将所述钇掺杂氧化锆单晶衬底置于高温炉中，在1350℃～1450℃下进行空气氛围退火2～4小时，获得原子尺度的表面台阶，其中，所述钇掺杂氧化锆单晶衬底为(111)晶面。本发明的处理方法通过对(111)晶面的单晶衬底进行高温退火，使得原子内部按能量重新排列，表面再结晶，从而在衬底表面获得原子尺度的台阶，这种具有台阶的(111)单晶衬底有利于生长界面性能好、与衬底晶格匹配的氧化物薄膜，具有很大的应用潜力。

公开(公告)号：CN204530021U

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201520197443.4

申请日：2015-04-02

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘吉山 ,  沈大伟 ,  刘正太 ,  李明颖 ,  姚岐 ,  樊聪

IPC: C30B25/12 ,  G01N23/227

Abstract: 本实用新型提供一种用于分子束外延生长和角分辨光电子能谱测试的样品托，包括：圆形托、压片、方形托；所述压片通过固定件固定在所述圆形托上；所述方形托包括样品承载部和与所述样品承载部相连的手柄，所述样品承载部压在所述压片和圆形托之间；所述圆形托上还设置有机械手进出的槽体和观察机械手是否抓取到所述方形托的观察孔；所述手柄上设置有抓取孔，机械手通过抓取孔抓取并抽出方形托。本实用新型设计的样品托既可以适用于分子束外延设备中的样品架，同时也适用于角分辨光电子能谱测试中的样品架，从而实现分子束外延/角分辨光电子能谱仪集成系统原位生长和原位电子结构测量。