公开(公告)号：CN207282509U

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201720645616.3

申请日：2017-06-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘正新 ,  孟凡英 ,  张丽平 ,  石建华 ,  俞健 ,  刘金宁 ,  刘毓成

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；第一透明导电薄膜；第二透明导电薄膜；第一电极；以及第二电极。本实用新型的双面受光太阳电池使用具有宽光学带隙、低缺陷密度的本征非晶硅或者微晶硅以及n型非晶硅或者微晶硅薄膜叠层作为窗口层，有效降低窗口层的缺陷密度，减少对太阳光的吸收损失，提高太阳电池和光伏组件的光电转换效率和发电功率输出。与现有的HIT电池相比，本实用新型具有更宽的工艺窗口，有利于大批量生产的工艺控制和管理。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利