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公开(公告)号：CN111787247A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010567950.8
申请日：2020-06-19
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H04N5/372 , H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L27/148
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种能够提高EMCCD响应线性度的结构，具体涉及倍增寄存器结构以及包括该倍增寄存器结构的EMCCD；所述倍增寄存器结构，包括衬底和位于衬底之上的埋沟；在埋沟上覆盖有栅介质，在栅介质上形成有第一电极Ф1、第二电极Фdc、第三电极Фem和第四电极Ф3；这四个电极依次对应为第一转移相、直流相、倍增相以及第二转移相；将倍增相对应的埋沟划分为倍增埋沟和电荷埋沟，所述倍增埋沟用于电荷倍增；所述电荷埋沟用于存储倍增后的电荷；本发明提供了倍增寄存器结构以及EMCCD，将倍增寄存器分成两部分，一部分用来倍增，一部分用来存储电荷，这样可以有效避免倍增电场的降低。
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公开(公告)号：CN111540760A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010405982.8
申请日：2020-05-14
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明公开了一种成像均匀的TDICCD图像传感器，包括TDICCD阵列，所述TDICCD阵列包括若干像元结构，每个所述像元结构均包括衬底和设置在所述衬底上的垂直CCD结构，所述垂直CCD结构用于传输光生信号，两个相邻的垂直CCD结构之间设有抗晕结构；所述垂直CCD结构包括第一垂直CCD驱动相、第二垂直CCD驱动相、第三垂直CCD驱动相和第四垂直CCD驱动相，两个相邻的第四垂直CCD驱动相之间设有阻挡势垒结构，所述阻挡势垒结构围设在所述抗晕结构的四周；所述衬底和垂直结构之间设有非均匀注入埋沟结构，防止光晕现象产生的同时又能有效防止漏电通道的产生，使得TDICCD能够均匀成像。
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公开(公告)号：CN102290427A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110281168.0
申请日：2011-09-21
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明公开了线阵CCD的一种抗晕结构，本发明通过独特的结构设计使每个抗晕单元由两个信号单元共用，本发明的有益技术效果是：在像元数量一定的条件，可有效减少抗晕漏数量，由抗晕漏的数量减少所节省出的空间，可用于增加其他结构体的尺寸，如果用于增加存储栅的尺寸可提高信号的输出幅度，使线阵CCD的性能得到改善，或者由抗晕漏的数量减少使线阵CCD上的结构体可以设置得更加紧密，在像元数量相同的条件下，制作出小尺寸的线阵CCD，提高图象的采集效果。
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公开(公告)号：CN117676365A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311715859.6
申请日：2023-12-13
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H04N25/713 , H04N25/71 , H04N25/59
摘要： 本发明涉及一种基于浮置栅放大器的高动态EMCCD结构，包括像元阵列、水平移位寄存器、倍增寄存器和非倍增通道，所述水平移位寄存器设置有浮置栅放大器，所述浮置栅放大器用于感应水平移位寄存器中的光电荷信号并进行放大后输出；所述水平移位寄存器的输出端连接有分支节点，所述分支节点的第一输出端与倍增寄存器的输入端连接，所述分支节点的第二输出端与非倍增通道的输入端连接。本发明中，通过在水平移位寄存器设计非破坏性的浮置栅放大器，可以在电荷信号输出之前对电荷的大小进行感应，从而根据信号的大小在分支节点选择相应的传输通道，可以避免大信号进入倍增寄存器导致饱和的现象，有效提升EMCCD动态范围。
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公开(公告)号：CN116722024A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310789065.8
申请日：2023-06-30
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148 , H01L31/0216
摘要： 本发明涉及一种降低表面杂散光反射的CCD芯片结构及制作方法，所述CCD芯片上设置有光敏区和非光敏区，在所述非光敏区设置有金属引线和压焊点；在所述非光敏区的金属引线部分的芯片表面覆盖有低反射膜层，所述低反射膜层采用低反射率的绝缘材料，所述低反射膜层用于降低金属引线引起的芯片表面杂散光反射。本发明中，通过设置低反射膜层可以大大降低金属引线对应的芯片表面的反射率，从而降低杂散光，有利于实现CCD高质量成像；低反射膜层采用绝缘材料，不会影响CCD器件各相的时钟电极的电容。
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公开(公告)号：CN111627948B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202010510479.9
申请日：2020-06-05
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/148
摘要： 本发明涉及电荷耦合器件技术邻域，具体涉及一种具有片上滤光片的CCD结构，包括：陶瓷管壳、CCD管芯以及光窗；所述CCD管芯设置在陶瓷管壳的内部；采用光窗将陶瓷管壳密封；所述CCD管芯包括管芯压点、凸台、滤光片以及CCD管芯台；所述管芯压点设置在CCD管芯台的顶部平面；所述凸台设置在CCD管芯台的顶部平面上；所述滤光片固定在凸台上；本发明采用凸台结构将滤光片固定在陶瓷管壳的内部，降低了滤光片与CCD管芯的高度，提升了多光谱CCD谱段分光效果，本发明可以通过调节凸台的高度，满足不同环境下滤光片与CCD光敏面的距离要求。
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公开(公告)号：CN115332284A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210974330.5
申请日：2022-08-15
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明公开了一种抑制水平区电荷信号回流至垂直区的CCD及其控制方法，包括具有一垂直区承接相的垂直区以及一形成于垂直区邻近垂直区承接相一侧并能够单向接收所述垂直区承接相电荷信号的水平区、形成于所述水平区邻近垂直区一侧并阻挡水平区电荷信号回流至垂直区的阻挡势垒结构，避免转移至水平区内的电荷信号越过阻挡势垒结构回流至垂直区，进而实现CCD高质量成像。
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公开(公告)号：CN111430397B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010251137.X
申请日：2020-04-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明公开了一种具有增透膜的多谱段TDICCD结构，包括多个谱段，每个谱段均包括级数选通栅和多个像元，每个像元的左端和右端均设有沟阻，每个所述像元均包括增透膜开窗区域和垂直CCD区域，在所述增透膜开窗区域的上端和下端均设有沟阻，在所述增透膜开窗区域履盖有增透膜,所述垂直CCD区域履盖有复合栅介质，所述复合栅介质履盖有垂直CCD驱动栅。本发明提出了一种新的TDICCD结构，通过采用增透模开窗结构大大减少了垂直CCD驱动栅的覆盖面积，在开窗区域内增大了光线的透射率；级数选通栅CSS引线和垂直CCD驱动栅引线采用分区走线的结构，提高了像元占空比，改善了器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN111540760B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010405982.8
申请日：2020-05-14
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明公开了一种成像均匀的TDICCD图像传感器，包括TDICCD阵列，所述TDICCD阵列包括若干像元结构，每个所述像元结构均包括衬底和设置在所述衬底上的垂直CCD结构，所述垂直CCD结构用于传输光生信号，两个相邻的垂直CCD结构之间设有抗晕结构；所述垂直CCD结构包括第一垂直CCD驱动相、第二垂直CCD驱动相、第三垂直CCD驱动相和第四垂直CCD驱动相，两个相邻的第四垂直CCD驱动相之间设有阻挡势垒结构，所述阻挡势垒结构围设在所述抗晕结构的四周；所述衬底和垂直结构之间设有非均匀注入埋沟结构，防止光晕现象产生的同时又能有效防止漏电通道的产生，使得TDICCD能够均匀成像。
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公开(公告)号：CN114157818A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111539974.3
申请日：2021-12-16
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H04N5/372
摘要： 本发明公开了一种具有多种工作模式的帧转移CCD及其控制方法，包括从上至下依次设置的第一水平转移区、光敏区、存储区和第二水平转移区，所述光敏区电连接有一驱动光敏区产生的光电荷垂直向上转移至第一水平转移区或垂直向下快态转移至存储区的第一垂直驱动时钟，所述存储区电连接有一驱动所述光电荷垂直向下快态转移至第二水平转移区的第二垂直驱动时钟，所述第一垂直驱动时钟和第二垂直驱动时钟配合控制所述光电荷择一从第一水平转移区或第二水平转移区输出以控制帧转移CCD择一工作在全帧转移模式或常规帧转移模式，以根据工作场景需要选择对应的工作模式，以拓宽帧转移CCD的应用范围。
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