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公开(公告)号：CN107601473B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201710933876.5
申请日：2017-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备均匀一致的石墨烯材料的改进的化学气相沉积法，涉及石墨烯材料的制备技术领域。选择半绝缘SiC衬底，清洗干燥后放入CVD设备中，抽真空；再去除SiC衬底表面吸附气体；通入氢气，氢气流量1‑60L/min，去除SiC衬底表面损伤层和划痕；成核阶段：通入氩气，氩气分压比例控制在70％以上；通入气态碳源，流量0.001‑10L/min，气态碳源与氢气流量之比为0.001％‑50％；生长阶段：氢气分压比例控制在70％以上；通入气态氮源，流量0.001‑2L/min；成核温度和生长温度在1100‑1900℃之间，保持气体压力50‑1000mbar，成核阶段持续时间1‑10min，生长阶段持续时间10‑100min，在SiC衬底表面得到1‑5层P型掺杂的石墨烯。该方法有助于制备表面形貌平坦，均匀一致的石墨烯材料。
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公开(公告)号：CN104866155B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201510321904.9
申请日：2015-06-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F3/044
Abstract: 本发明公开了一种蓝宝石盖板石墨烯投射式电容屏及制备方法，涉及电容屏技术领域。从上至下依次包括蓝宝石盖板层、石墨烯工作层、粘着剂层、玻璃基板层和ITO屏蔽层，石墨烯工作层由X轴石墨烯矩阵和Y轴石墨烯矩阵组成，形成石墨烯矩阵图案；X轴石墨烯矩阵和Y轴石墨烯矩阵相互交叉，X轴石墨烯矩阵内的各个石墨烯单元在X轴方向上两两之间相互连接，且X轴石墨烯矩阵两端分别与X轴金属引线连接，Y轴石墨烯矩阵内的各个石墨烯单元在Y轴方向上两两之间通过金属桥相互桥接，且Y轴石墨烯矩阵两端分别与Y轴金属引线连接。本发明将蓝宝石和石墨烯合理的结合，提高了触摸屏表面的耐磨性，石墨烯的应用简化了制作工艺，提高了透光率，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN108206220A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711474465.0
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种金刚石肖特基二极管的制备方法，该方法包括：在第一厚度的重掺杂p型第一金刚石层的上表面形成第二厚度的轻掺杂p型第二金刚石层，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度；在所述第一金刚石层的下表面形成电极；通过光刻和刻蚀工艺，在所述第二金刚石层的第一区域形成凹槽；在所述凹槽的表面形成N型异质半导体层；在所述N型异质半导体层的表面形成第二金属层；在所述第二金属层的表面和所述第二金刚石层的第二区域的上表面形成第三金属层。本发明能够显著提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN107902650A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711146672.3
申请日：2017-11-17
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/28 , C01B32/184
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种超纳米金刚石表面上制备单层石墨烯的方法，该方法包括：将超纳米金刚石膜进行预处理，去除表面的杂质和表面应力；在经过所述预处理后的超纳米金刚石膜的形核面形成金属层，所述金属层为镍层和所述镍层上表面的铜层或所述金属层为铜镍合金层；将已生长所述金属层的超纳米金刚石膜进行高温退火处理，自组织形成单层石墨烯。本发明直接在超纳米金刚石膜上生长单层石墨烯，无需二次转移工艺，有效的避免了二次转移过程中引入杂质和晶格缺陷，并且，生长的单层石墨烯具有较小的晶格失配和表面变化。
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公开(公告)号：CN107528547A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710562339.4
申请日：2017-07-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/02
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F2200/451
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯射频放大器单片集成电路，涉及集成电路制造技术领域，包括输入电路、输入偏置电路、放大电路、输出电路和输出偏置电路；输入电路、输入偏置电路、放大电路、输出电路和输出偏置电路安装在同一衬底上，输入电路连接放大电路，放大电路连接输出电路，输入偏置电路连接输入电路，输出偏置电路连接输出电路；信号通过输入电路进入放大电路中，输入偏置电路对输入信号调节，信号在放大电路中进行放大，然后通过输出电路输出，输出偏置电路对输出的信号进行调节，由此该石墨烯射频放大器单片集成电路实现较高的增益，解决普通放大器增益低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107500278A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710928128.8
申请日：2017-09-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种制备低褶皱密度石墨烯材料的生长方法，涉及石墨烯材料的制备技术领域。包括以下步骤：选择绝缘衬底，对绝缘衬底清洗，干燥；将清洗好的绝缘衬底放入CVD设备中，抽真空至≤10-4mbar；开启微波电源，真空环境升温，去除绝缘衬底表面吸附的气体；通入氩气和氢气作为载气，氩气流量为1-30L/min，氢气流量为1-60L/min；通入气态碳源，气态碳源流量与氢气流量之比控制在0.001％-50％之间；通入气态氮源，流量为0.005-2L/min；在生长温度在500-1800℃之间，保持气体压力为500-1000mbar，持续时间为1-100min，在绝缘衬底表面得到1-5层P型掺杂的石墨烯。该方法操作简单，成本低，可控制石墨烯材料表面褶皱密度，有助于制备表面形貌平坦，高质量的石墨烯材料。
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公开(公告)号：CN103985762B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410121742.X
申请日：2014-03-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种超低欧姆接触电阻石墨烯晶体管，包括衬底以及位于衬底之上的源极和漏极，源极和漏极之间形成沟道区，沟道区从下往上依次为：石墨烯层、介质层和栅极。其制备方法包括：①形成石墨烯层；②沉积介质层；③在介质层上，通过光刻胶图形覆盖沟道区域；④腐蚀掉暴露出来的介质层；⑤刻蚀掉暴露出来的石墨烯层；⑥蒸发源漏极欧姆接触金属，形成欧姆接触金属层；⑦通过光刻胶图形覆盖所需要的源极和漏极区域；⑧形成源极和漏极；⑨形成栅极。本发明的方法实现了源漏欧姆接触金属与石墨烯的一维线接触，从而大大减小石墨烯与金属的接触电阻，从而增大最大振荡频率，有利于实现石墨烯场效应晶体管的应用。
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公开(公告)号：CN103258843B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310208689.2
申请日：2013-05-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本发明包括半绝缘衬底，在所述半绝缘衬底的背面设有两个以上的空气孔，所述空气孔的深度小于半绝缘衬底的厚度，大于半绝缘衬底厚度的三分之一。本发明给出的在半绝缘衬底背面制作多孔结构，可以大幅降低肖特基二极管的寄生电容，提高肖特基二极管的截止频率，同时也可以增加肖特基二极管的散热能力，提高肖特基二极管用于倍频时的转换效率。
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公开(公告)号：CN103197486B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310120305.1
申请日：2013-04-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯波导结构的太赫兹调制放大器，涉及调制放大器技术领域。包括衬底、波导芯层、两个欧姆接触电极、石墨烯层和绝缘介质层，所述波导芯层位于所述衬底上表面的中部，所述波导芯层的上面和左右侧面设有两个以上石墨烯层，每相邻的两个石墨烯层之间使用绝缘介质层进行电学隔离，两个欧姆接触电极位于所述波导芯层左右两侧的衬底上，最上层石墨烯层和最下层石墨烯层通过欧姆接触电极分别与正负电压相连。所述调制放大器可以实现对THz波的调制，同时实现对THz波的放大。
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公开(公告)号：CN103325796A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310209249.9
申请日：2013-05-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/144 , H01Q1/22
Abstract: 本发明公开了一种天线集成石墨烯PIN结太赫兹探测器，属于半导体器件领域。本发明包括衬底、设于衬底上的平面天线和石墨烯PIN结，所述平面天线与石墨烯PIN结之间设有空隙；在所述石墨烯PIN结的P区和N区设有第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极。与现有的太赫兹探测器，本发明制成的探测器的探测范围可以覆盖整个太赫兹频段，且响应速度快，约为皮秒量级，同时，本发明探测器成本低廉，制作工艺简单，因此，大大提高了太赫兹探测器的性能；同时，此探测器还可在室温工作正行工作，克服了现有探测器需要低温工作的缺陷，提高了其适应性；由于探测器集成了平面天线，还提高了对弱太赫兹信号的探测能力。
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