公开(公告)号：CN115529025A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211160512.5

申请日：2022-09-22

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 龚剑 ,  赵子润 ,  魏洪涛 ,  刘会东 ,  李远鹏 ,  刘志军

IPC: H03K3/356

Abstract: 本申请适用于半导体及微电子技术领域，提供了基于高电子迁移率晶体管的双锁存D触发器，包括：输入单元、输出单元、第一时钟信号单元、第二时钟信号单元、第一有源电阻单元、第二有源电阻单元、第三有源电阻单元和第四有源电阻单元；当第一时钟信号单元接收到的第一时钟信号处于上升沿，第二时钟信号单元接收到的第二时钟信号处于下降沿时，输入单元中的数据被触发器锁存，通过输出单元输出。本申请基于高电子迁移率晶体管的双锁存D触发器在寿命和可靠性的显著提升的同时，可显著降低质量问题出现的概率，有效降低因质量问题产生的成本。

公开(公告)号：CN112688665B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202011363540.8

申请日：2020-11-27

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 谢媛媛 ,  吴洪江 ,  赵子润 ,  方园 ,  陈月盈 ,  李富强 ,  刘会东

IPC: H03H11/24

Abstract: 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元、0.5dB衰减单元和4dB衰减单元，0.5dB衰减单元、1dB衰减单元和2dB衰减单元均为T型拓扑结构，4dB衰减单元为π型拓扑结构，16dB衰减单元为开关型拓扑结构，8dB衰减单元为优化π型拓扑结构。本发明通过将六个衰减单元级联构成方便使用的宽带数字衰减器，使得衰减器的衰减精度提高、插损减小。

公开(公告)号：CN112688665A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011363540.8

申请日：2020-11-27

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 谢媛媛 ,  吴洪江 ,  赵子润 ,  方园 ,  陈月盈 ,  李富强 ,  刘会东

IPC: H03H11/24

Abstract: 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，属于微波单片集成电路及微电子技术领域，一种基于GaN HEMT器件的宽带数字衰减器，包括顺序级联的16dB衰减单元、8dB衰减单元、2dB衰减单元、1dB衰减单元、0.5dB衰减单元和4dB衰减单元，0.5dB衰减单元、1dB衰减单元和2dB衰减单元均为T型拓扑结构，4dB衰减单元为π型拓扑结构，16dB衰减单元为开关型拓扑结构，8dB衰减单元为优化π型拓扑结构。本发明通过将六个衰减单元级联构成方便使用的宽带数字衰减器，使得衰减器的衰减精度提高、插损减小。