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公开(公告)号：CN108453392B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201810502189.2
申请日：2018-05-23
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： B23K26/362 , B23K26/18 , B81C1/00
摘要： 本发明方法针对微波基片形成腔体结构存在的腐蚀锥度、腐蚀速率低以及腔体尺寸一致性等问题，提出采用聚焦的激光束进行硅基材料的去除从而形成腔体结构的方法。所述制作方法包括：（1）微波基片前处理及电路图形保护；（2）激光束刻蚀微波基片形成一定深度的腔体；（3）微波基片后处理；本发明通过激光束的移动刻蚀出沟槽，而沟槽的重叠可以实现一定区域的材料去除。在需要刻蚀的区域内重复加工实现一定的刻蚀深度，从而形成一定深度的腔体结构。进一步利用激光能量清洁腔体底部，在不损害基体的同时达到清洁的目的。本发明具有控制精度高，效率高，环境友好，腔壁垂直度好，与微波基片电路制作工艺兼容性好等优点。
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公开(公告)号：CN109461699A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811237761.3
申请日：2018-10-22
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528
摘要： 本发明公开一种同轴TSV结构转接板及其制作方法，包括步骤：对硅片晶圆进行预处理，所述硅片晶圆具有相对应的正面和反面；在所述正面加工内圈铜柱结构；在所述背面以所述内圈铜柱结构的金属铜柱为中心制作大外径的硅盲孔；在所述硅盲孔的侧壁表面加工形成外圈金属层；在具有所述外圈金属层的所述硅盲孔内填充中间介质层并固化；加工所述正面和所述背面至表面平坦化，在所述正面加工至直到露出所述中间介质层，在所述背面加工至露出所述内圈铜柱结构的所述金属铜柱；在所述正面和所述背面加工同轴TSV孔焊盘、同轴TSV孔互连传输线，形成具有TSV同轴结构的硅转接板；本发明简化聚合物介质的填充工艺，可控并且重复性好，利于实现批量化生产制作。
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公开(公告)号：CN111112842A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911344103.9
申请日：2019-12-24
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种去金搪锡方法及应用，包括如下步骤：设置激光器参数，波长300～355nm，光斑直径0.012～0.015，平均能量1.2～2.0W，频率32～40KHZ，标刻速率200～350mm/s，路径间隔0.005～0.008mm；按照激光标刻路径对所述电子元器件表面标刻1～3遍，完成电子元器件表面金层的去除；按照激光标刻路径对所述电子元器件表面标刻1～3遍，完成对电子元器件表面的活化；对活化后的电子元器件表面进行搪锡处理，本发明加工效率高，一致性好，去金彻底，操作简单，去金搪锡效果的可控性及一致性好，对镍层没有损伤和环境污染，表面浸润性好，后续焊接易操作。
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公开(公告)号：CN110211930A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910457995.7
申请日：2019-05-29
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H01L23/06 , H01L23/492
摘要： 本发明公开了一种具有异质层结构的基板的制备方法，包括如下步骤：将生瓷片整理得到基板单层生坯，将其整理得到基板坯体；对异质层的上端或下端进行粗化、打孔、设置对位标记处理获得预处理异质层；在预处理异质层粗化面上印刷第一印刷层，在粗化面相对的另一端面上印刷第二印刷层，在通孔中填充浆料，获得印刷填孔异质层；将印刷填孔异质层平铺或堆叠在基板坯体的上端或下端，得到堆叠体；在堆叠体的基板坯体端由内到外依次设置支撑层、第一保护层，在堆叠体的异质层端设置第二保护层，等静压后得层压堆叠体；将层压堆叠体去胶、烧结，得到具有异质层结构的基板，该基板在高温条件下使用，不受后续组装温度影响，使用范围广。
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公开(公告)号：CN108436308A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810217225.0
申请日：2018-03-16
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： B23K26/382 , B23K26/70 , H05K3/00
摘要： 本发明涉及一种用于微波陶瓷基板上微孔的CO2激光加工方法。采用直径0.15-0.3mm光斑的CO2激光，在厚度0.25-1mm的微波陶瓷基板上加工小于所述光斑尺寸的通孔，操作步骤如下：1.微波陶瓷基板前处理，2.在金属微孔模板上采用紫外激光开设开模孔，并加工出定位标识，所述模孔的孔径大于陶瓷基板被加工孔径10-20μm；3.将金属微孔模板贴敷于微波陶瓷基板上；4.采用CO2激光，使激光通过金属微孔模板上的模孔，实现在微波陶瓷基板上加工出对应的一个以上的被加工孔；5.将微波陶瓷基板抛光、超声清洗和干燥，完成微波陶瓷基板的微孔加工；金属微孔模板重复使用。本发明实现较小孔径和较低锥度的微孔加工。具有微孔加工质量高、操作简单、重复性能好等优点。
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公开(公告)号：CN111933531B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202010800390.6
申请日：2020-08-11
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种基于激光键合的立体电路积层制造方法，所述立体电路包含多个介质层、导体层和层间互联孔，在传统介质层金属化的基础上通过介质层与导体层直接激光键合实现电路的积层制造，激光键合包括：介质层或导体层表面处理；层间对位固定；激光选择性照射实现局部键合；本发明的优点在于：能够实现芯片等有源芯片的气密性集成，有利于立体电路的高效集成。
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公开(公告)号：CN111883502B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202010776085.8
申请日：2020-08-03
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/48 , H01L21/60
摘要： 本发明涉及芯片封装领域，具体涉及一种焊料微凸点阵列制备方法，包括如下步骤：贴焊片，将焊片贴合在载板上；切割，在焊片上切割出焊料柱阵列；剥离，将多余的焊片撕掉或剥离，只留下焊料柱阵列；倒装焊接，焊料柱阵列转移到需制作凸点面阵的焊盘上；回流，对带有焊料柱阵列的焊盘进行回流，使焊料柱阵列熔化成球，形成规则的焊料凸点阵列。本发明的优点在于：该方法工艺简单，效率高，灵活方便，可适用各种型号焊料，无需特制微球，成本低，不仅适用于晶圆整体制作，对划切好的芯片，转接板同样适用，而且无需特制植球模板，可大规模应用。
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公开(公告)号：CN111933531A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010800390.6
申请日：2020-08-11
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种基于激光键合的立体电路积层制造方法，所述立体电路包含多个介质层、导体层和层间互联孔，在传统介质层金属化的基础上通过介质层与导体层直接激光键合实现电路的积层制造，激光键合包括：介质层或导体层表面处理；层间对位固定；激光选择性照射实现局部键合；本发明的优点在于：能够实现芯片等有源芯片的气密性集成，有利于立体电路的高效集成。
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公开(公告)号：CN109461699B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201811237761.3
申请日：2018-10-22
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/528
摘要： 本发明公开一种同轴TSV结构转接板及其制作方法，包括步骤：对硅片晶圆进行预处理，所述硅片晶圆具有相对应的正面和反面；在所述正面加工内圈铜柱结构；在所述背面以所述内圈铜柱结构的金属铜柱为中心制作大外径的硅盲孔；在所述硅盲孔的侧壁表面加工形成外圈金属层；在具有所述外圈金属层的所述硅盲孔内填充中间介质层并固化；加工所述正面和所述背面至表面平坦化，在所述正面加工至直到露出所述中间介质层，在所述背面加工至露出所述内圈铜柱结构的所述金属铜柱；在所述正面和所述背面加工同轴TSV孔焊盘、同轴TSV孔互连传输线，形成具有TSV同轴结构的硅转接板；本发明简化聚合物介质的填充工艺，可控并且重复性好，利于实现批量化生产制作。
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公开(公告)号：CN108436308B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201810217225.0
申请日：2018-03-16
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： B23K26/382 , B23K26/70 , H05K3/00
摘要： 本发明涉及一种用于微波陶瓷基板上微孔的CO2激光加工方法。采用直径0.15‑0.3mm光斑的CO2激光，在厚度0.25‑1mm的微波陶瓷基板上加工小于所述光斑尺寸的的通孔，操作步骤如下：1.微波陶瓷基板前处理，2.在金属微孔模板上采用紫外激光开设开模孔，并加工出定位标识，所述模孔的孔径大于陶瓷基板被加工孔径10‑20μm；3.将金属微孔模板贴敷于微波陶瓷基板上；4.采用CO2激光，使激光通过金属微孔模板上的模孔，实现在微波陶瓷基板上加工出对应的一个以上的被加工孔；5.将微波陶瓷基板抛光、超声清洗和干燥，完成微波陶瓷基板的微孔加工；金属微孔模板重复使用。本发明实现较小孔径和较低锥度的微孔加工。具有微孔加工质量高、操作简单、重复性能好等优点。
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