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公开(公告)号：CN104849366B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510236831.3
申请日：2015-05-11
Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司
IPC: G01N30/02
Abstract: 本发明提供了一种检测系统及检测方法。该检测系统包括氢气供应装置、惰性气体供应装置、汽化室和混气室，汽化室具有用于通入氯硅烷的进样口，混气室的第一入口与汽化室的出口相连通，氢气供应装置的出口和惰性气体供应装置的出口并联连接于混气室的第二入口；该检测系统还包括依次串联设置的氯硅烷还原装置、脱除装置、甲烷吸脱附装置、气相色谱仪和数据输出装置，且氯硅烷还原装置的入口与混气室的出口连通，脱除装置用于去除氯化氢和未反应的氯硅烷。本发明通过氯硅烷还原装置将含氯硅烷中的碳元素氢化还原为甲烷，然后将甲烷送入气相色谱仪中并对甲烷中的碳含量进行测定，从而实现了检测含氯硅烷中的总碳含量。
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公开(公告)号：CN107055550A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710226795.1
申请日：2017-04-06
Applicant: 洛阳中硅高科技有限公司 , 中国恩菲工程技术有限公司
IPC: C01B33/107
Abstract: 本发明公开了一种制备电子级二氯二氢硅的方法。其中，该方法包括以下步骤：S1，将芳香醛或芳香醛的衍生物与原料二氯二氢硅进行反应，得到的反应产物；S2，将反应产物先脱除部分重组分，再脱除轻组分和剩余的重组分得到提纯产品；S3，将提纯产品送入吸附提纯单元，进一步去除杂质，得到电子级二氯二氢硅。应用本发明的技术方案，本工艺极大地的缩短流程，降低了设备投资和运行能耗，产品品质达到电子级。
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公开(公告)号：CN105004193B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510451589.1
申请日：2015-07-28
Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司
IPC: F27D17/00
CPC classification number: Y02P10/265
Abstract: 本发明提供了一种还原炉余热回收利用的换热系统。该换热系统包括：还原炉，设置有第一换热通道；原料单元，用于向还原炉提供反应原料，且原料单元中设置有第二换热通道；换热单元，换热单元的入口连接于第一换热通道的出口，且换热单元的出口连接于第一换热通道的入口；换热单元和第二换热通道之间设置有连接管道。由于换热单元的入口连接于第一换热通道的出口，且换热单元的出口连接于第一换热通道的入口，且换热单元和第二换热通道之间设置有连接管道，从而通过换热单元，将还原炉中富余的热量转移至原料单元，从而大幅降低原料单元的采热成本，实现了还原炉中余热的回收再利用。
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公开(公告)号：CN106379901A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610821797.0
申请日：2016-09-13
Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10721
Abstract: 本发明公开了一种制备四氯化硅的方法。该方法包括以下步骤：将原料二氧化硅、原料碳及催化剂放入反应器，将氯气、氧气通入到反应器中，600～1500℃反应生成四氯化硅。SiO2与C直接发生反应需要较高的温度，而且反应非常慢。应用本发明的技术方案，向反应体系中加入Cl2可以显著减低反应温度，并且可以加快反应的进行速度，而且由于该反应过程是放热反应，能够显著地降低生产四氯化硅的生产成本。另外，本发明的反应体系中的碳消耗掉了反应生成的氧，能有效地加快氯化反应的速度，从而也可以降低投资。
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公开(公告)号：CN106241815A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610822037.1
申请日：2016-09-13
Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10721
Abstract: 本发明公开了一种制备四氯化硅的反应器及应用。其中，该反应器包括：反应段，设置在反应段的底部的原料气进口，设置在反应段的顶部的原料入口，以及设置在反应段的顶部的反应后气出口。SiO2与C直接发生反应需要较高的温度，而且反应非常慢。应用本发明的反应器，氯气通过原料气进口通入到反应段，向反应体系中加入Cl2可以显著减低反应温度，并且可以加快反应的进行速度，而且由于该反应过程是放热反应，能够显著地降低生产四氯化硅的生产成本。另外，本发明的反应体系中的碳消耗掉了反应生成的氧，能有效地加快氯化反应的速度，从而也可以降低投资。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104140106B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410364843.X
申请日：2014-07-28
Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司
IPC: C01B33/107 , C01B33/035
Abstract: 本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的方法，该方法包括：(1)将多晶硅还原尾气进行第一冷凝处理；(2)采用膜分离器对经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气进行分离处理，以便分别得到氢气和混合气体；(3)将氢气供给至还原炉与三氯氢硅进行还原反应；(4)将混合气体进行第二冷凝处理，得到氯硅烷冷凝液和不凝气；(5)将不凝气进行吸附处理，得到氢气以及吸附氯硅烷和氯化氢的吸附剂，并将氢气的一部分供给至还原炉；(6)采用步骤(5)中氢气的另一部分对吸附氯硅烷和氯化氢的吸附剂进行脱附处理，得到含有氯硅烷和氯化氢的混合物；以及(7)将混合物与四氯化硅进行氢化反应。该方法可以显著降低能耗和设备投资成本。
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公开(公告)号：CN104140103B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410364893.8
申请日：2014-07-28
Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司
IPC: C01B33/03
Abstract: 本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的系统，包括：第一冷凝装置，适于将多晶硅还原尾气进行第一冷凝；膜分离装置，与第一冷凝装置相连，适于对经过第一冷凝的多晶硅还原尾气进行分离处理，其中，膜分离装置具有有机渗透膜，氢气选择性透过有机渗透膜；还原装置，与膜分离装置相连，适于使氢气与三氯氢硅进行还原反应；第二冷凝装置，与膜分离装置相连，适于将混合气体进行第二冷凝；吸附-脱附装置，与第二冷凝装置相连，适于将不凝气进行吸附处理和脱附处理，得到氢气和含有氯硅烷和氯化氢的混合物；以及氢化装置，与吸附-脱附装置相连，适于将含有氯硅烷和氯化氢的混合物与四氯化硅进行氢化反应。该系统可以显著降低能耗和设备投资成本。
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公开(公告)号：CN105423771A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201610031841.8
申请日：2016-01-18
Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种冷凝器，包括：壳体，壳体的下部具有进风部(10)，壳体的上部具有出风部(20)，壳体的中部具有进液部；风机组件(30)，位于出风部(20)处；第一冷却管组(40)，设置在壳体内并位于进风部(10)和进液部之间，第一冷却管组(40)具有第一进口(41)和第一出口(42)；冷凝器还包括：液体分布器(50)，设置在壳体内，液体分布器(50)位于进液部与第一冷却管组(40)之间以使液体在第一冷却管组(40)上均匀分布。本发明的技术方案能够有效地解决现有技术中的冷凝器冷凝效果差，能耗较高的问题。
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公开(公告)号：CN103539069B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310553735.2
申请日：2013-11-08
Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司
IPC: C01B3/50 , C01B33/107 , C01B33/12
Abstract: 本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的方法和系统，该方法包括：将多晶硅还原尾气进行除尘处理，以便得到经过除尘的还原尾气；将经过除尘的还原尾气进行冷凝处理，以便得到第一氯硅烷和经过冷凝处理的还原尾气；将经过冷凝处理的还原尾气进行第一加压冷却处理，以便得到第二氯硅烷和经过第一加压冷却处理的还原尾气；将经过第一加压冷却处理的还原尾气进行吸附处理和脱吸处理，以便得到氢气和包含氯硅烷和氯化氢的混合气体；将包含氯硅烷和氯化氢的混合气体进行第二加压冷却处理，以便得到第三氯硅烷和包含氯化氢的不凝气。
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公开(公告)号：CN103551003B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310553092.1
申请日：2013-11-08
Applicant: 中国恩菲工程技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种淋洗设备，根据本发明实施例的淋洗设备包括：壳体，壳体具有位于该壳体下部的进气口、位于该壳体顶部的出气口、位于该壳体上部的进液口、位于该壳体底部的出液口和位于该壳体下部且高于所述进气口的冷凝液出口；筛板，筛板设在壳体内且位于进液口与冷凝液出口之间；液体分布器，液体分布器设在壳体内且与进液口相连；以及气体分布器，气体分布器设在壳体内且与进气口相连。该设备流程简单且运行稳定，可以有效提高混合气体的冷凝效率，从而大幅度降低能耗和运行成本。
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