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公开(公告)号：CN119842073A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510016407.1
申请日：2025-01-06
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及聚合物电介质技术领域，公开了一种聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)脂环二酐单体和邻位侧基芳香型二胺单体在有机溶剂中进行缩聚反应，得到前驱体溶液；(2)将前驱体溶液成膜，然后进行干燥和亚胺化反应，得到聚酰亚胺薄膜；亚胺化反应在真空条件下进行，亚胺化反应为程序升温反应，具体为：在180‑210℃保温1‑2h，再升温至240‑260℃保温1‑2h，继续升温至T保温0.5‑1h；其中，T＝Tg‑t，Tg为聚合物玻璃化转变温度，10℃≤t≤20℃。本发明制备得到的聚酰亚胺薄膜由于具有较高的绝缘性能和耐热性能，储能应用温度可以达到300℃。
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公开(公告)号：CN118290785B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410393203.5
申请日：2024-04-02
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及介电材料制备技术领域，尤其涉及一种交联聚醚酰亚胺介电薄膜及其制备方法和应用。本发明通过将二酐、二胺、含羧基二胺单体与无水有机溶剂混合，进行聚合反应，得到前聚体溶液；将前聚体溶液进行化学法亚胺化，得到聚合物溶液；聚合物溶液静置，再将其涂覆在基材上，进一步完成亚胺化，再进行脱羧交联，得到交联聚醚酰亚胺介电薄膜。本发明采用“一锅法”制备一种投料简单、环境友好、交联程度可控的且具有优异高温储能性能的聚醚酰亚胺介电薄膜，制备工艺简单，反应均在液相中进行，能与目前工业上生产聚醚酰亚胺薄膜的工艺流程充分兼容。并且制备的交联聚醚酰亚胺薄膜具有优异的热稳定性、机械性能、耐击穿电场强度和储能性能。
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公开(公告)号：CN117898529A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311703275.7
申请日：2023-12-12
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种压电陶瓷基抗菌与促创口修复鞋垫及其制备方法，涉及新型穿戴材料技术领域，包括鞋垫基底材料、固化剂，还包括掺入鞋垫基底材料内的压电陶瓷材料，所述压电陶瓷材料占鞋垫基底材料质量的10～30％。本发明提供的压电陶瓷基抗菌与促创口修复鞋垫，抗菌原理来源于压电陶瓷材料，具有优异的抗菌和灭菌性能，在正常使用过程中不会出现失活和中毒等现象，也降低了灭菌鞋垫的制作成本，还促进了创面中TGF‑β和CD31的表达和分泌，从而加速了成纤维细胞的增殖和迁移，进而加速伤口愈合过程。
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公开(公告)号：CN117820640A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410019381.1
申请日：2024-01-05
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及介电材料制备技术领域，公开了一种交联聚酰亚胺类电介质薄膜材料，在聚酰亚胺类材料中引入带羧基的二胺单体共缩聚，再通过亚胺化和脱羧交联，即得交联聚酰亚胺类电解质薄膜材料。本发明提供的交联聚酰亚胺类电介质薄膜的制备方法，在合成商用聚酰亚胺类电介质基础上不增加额外工艺技术，制备的电介质薄膜表面和横截面平整光滑且无明显缺陷。
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公开(公告)号：CN114836716B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210292866.9
申请日：2022-03-23
Applicant: 中南大学
IPC: C23C14/16 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56 , C23C14/04 , C23C28/00 , H01L21/02 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种无顶电极夹持HfO2基薄膜材料的制备方法及应用，制备步骤如下：以Si为基底，采用标准的RCA工艺对其进行表面清洁；采用直流磁控溅射方法在Si底上溅射一层金属Ti层；将Ti/Si置入原子层沉积ALD系统中，进行HfO2基薄膜的沉积；将沉积完的HfO2基薄膜/Ti/Si进行退火；退火完成后，再将HfO2基薄膜/Ti/Si放入磁控溅射里，采用掩模版进行顶电极溅射，得到无顶电极夹持HfO2基薄膜材料。通过本发明方法既可以消弱顶电极对薄膜铁电性的决定性作用，同时也能保证HfO2基薄膜材料具有强铁电性和稳定性，又可以避开FeFET制备过程当中顶电极刻蚀这一过程，保障干净的界面质量，并实现工艺的简单化和低成本化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113042030B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110351144.1
申请日：2021-03-31
Applicant: 中南大学
IPC: B01J23/22 , B01J31/06 , B01J31/26 , B01J31/34 , B01J31/36 , B01J31/38 , B01J35/00 , B01J35/06 , C02F1/30 , C02F1/72 , C02F101/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明涉及材料技术领域，具体涉及一种自然条件下降解废水中有机污染的柔性薄膜。具体技术方案为：一种自然条件下降解废水中有机污染的柔性薄膜，包括催化材料、分散剂和交联剂。本发明所提供的降解废水中有机污染的柔性薄膜，能够避免纯粉体催化材料进行催化降解处理污水的过程中，粉体难以回收，容易造成污染；同时，薄膜的设计，也有效的解决了回收问题，避免了二次污染的问题。
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公开(公告)号：CN113042030A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110351144.1
申请日：2021-03-31
Applicant: 中南大学
IPC: B01J23/22 , B01J31/06 , B01J31/26 , B01J31/34 , B01J31/36 , B01J31/38 , B01J35/00 , B01J35/06 , C02F1/30 , C02F1/72 , C02F101/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明涉及材料技术领域，具体涉及一种自然条件下降解废水中有机污染的柔性薄膜。具体技术方案为：一种自然条件下降解废水中有机污染的柔性薄膜，包括催化材料、分散剂和交联剂。本发明所提供的降解废水中有机污染的柔性薄膜，能够避免纯粉体催化材料进行催化降解处理污水的过程中，粉体难以回收，容易造成污染；同时，薄膜的设计，也有效的解决了回收问题，避免了二次污染的问题。
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公开(公告)号：CN105153604B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201510454320.9
申请日：2015-07-29
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳纳米管的介电复合材料；所述的介电复合材料是由甲氧基聚乙二醇修饰后的碳纳米管与聚偏氟乙烯树脂或聚偏氟乙烯共聚物树脂基体复合而成；得到了在低碳纳米管含量条件下，介电常数相对于纯聚合物基体得到了明显的增加，并且保持了非常低的介电损耗。本发明为开发高性能的介电复合材料提供了新的途径。
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公开(公告)号：CN106505147B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201610939475.6
申请日：2016-10-25
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种微型、柔性磁电复合材料的制备方法，具体包括以下步骤：步骤(1)：采用切割法切割压电陶瓷块体，制得压电陶瓷沿长度方向(轴向)平行的压电相的纤维阵列；步骤(2)：将磁性颗粒添加至粘结剂中得复合磁性材料溶液，随后将复合磁性材料溶液填充至压电相的间隙当中，干燥、固化、减薄处理获得压电相/磁性相复合层；步骤(3)：在压电相/磁性相复合层的上、下两面涂覆粘合剂，将所述的上、下叉指状电极镜面相对粘连，再和柔性绝缘薄膜粘合，随后经干燥、固化后再经极化处理，制得所述的磁电复合材料。本发明还包括所述的制备方法制得的微型、柔性磁电复合材料。本发明提供了一种厚度薄，结构紧凑且具备一定程度柔性变形，沿平面方向工作的片状磁电复合材料，适合制于驱动器、传感器等。
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公开(公告)号：CN109942292A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910292348.5
申请日：2019-04-12
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/475 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种钛酸铋钠基透明陶瓷材料及其制备方法，其化学通式为(0.95-x)Bi0.5Na0.5TiO3-0.05BaTiO3-xBi(Zn2/3Nb1/3)O3，x＝0.05～0.15(简写为(0.95-x)BNT-BT-xBZN)。采用传统固相法经过一次预烧，一次烧结而成，通过加入助烧剂和调节烧结工艺，成功在较低烧结温度下制备出透明细晶陶瓷，平均晶粒尺寸约为400nm。本发明制备的陶瓷片表现出强介电弛豫性，细长铁电电滞回线和高抗击穿电场，是一种优异的介电储能陶瓷材料。在18kV/mm的外加电场下获得了最高的放电能量密度2.83J/cm3，此时储能密度为4.23J/cm3，储能效率为67％。此外其储能性能的循环稳定性也十分优异，经过105次循环测试，放电能量密度的损失低于2％。
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