公开(公告)号：CN107154313B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201610836864.6

申请日：2016-09-21

Applicant: 中南大学

Inventor： 阳军亮 ,  郭辉 ,  吴涵 ,  张楚俊 ,  陈小华

IPC: H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种基于涂布转移技术制备超级电容器的方法；通过配制的粘结剂和活性物质混合浆料，基于涂布工艺技术制备成电极极片，然后通过压力转移技术转移到泡沫镍集流体，结合隔膜和电解液或离子液体，组装成超级电容器；该超级电容器的涂布转移技术制备方法快速高效、性能优异、重复性好、成本低，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN107946465A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711136223.0

申请日：2017-11-16

Applicant: 中南大学

Inventor： 阳军亮 ,  黄可卿 ,  王春花 ,  张楚俊 ,  童思超 ,  李恒月

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明公开了一种空气中制备的高效率、稳定的钙钛矿太阳电池及其制备方法，钙钛矿太阳电池包括透明导电基底、空穴传输层、钙钛矿材料光吸收层、电子传输层以及电极五部分。本发明的制备方法是在空气中使用原位热旋涂方式制备钙钛矿材料薄膜，热退火处理后，再经甲胺蒸汽处理，得到连续、致密的钙钛矿材料光吸收层。本发明的在空气中制备的产品具有能量转换效率高、空气中稳定等优点，具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN107768478A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201711099094.2

申请日：2018-01-11

Applicant: 中南大学

Inventor： 阳军亮 ,  夏华艳 ,  张楚俊 ,  童思超 ,  王春花

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/18 ,  H01L2031/0344

Abstract: 本发明公开了一种有机/钙钛矿体相异质结纳米线光电探测器，包括基底、钙钛矿/2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩体相异质结纳米线光吸收层以及电极三部分。本发明的制备方法，包括以下步骤：基底准备与清洗、处理；配制钙钛矿材料溶液；配制钙钛矿/2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩混合材料前驱体溶液；使用旋涂、刮涂及印刷方式制备钙钛矿/2,7-二辛基[1]苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩体相异质结纳米线，得到高质量光吸收层；采用蒸镀或印刷制备电极。本发明的产品具有响应时间快、光响应度高、空气中稳定等优点，具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN105469996B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201610005162.3

申请日：2016-01-06

Applicant: 中南大学

Inventor： 阳军亮 ,  吴闰生 ,  杨兵初 ,  张楚俊 ,  黄玉兰 ,  高永立

IPC: H01G9/20 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于金属纳米粒子界面修饰的钙钛矿太阳电池及其制备方法；在平面异质结钙钛矿太阳能电池的空穴传输层和钙钛矿活性层之间加入一薄层二氧化硅包覆的金(Au@SiO2)纳米粒子，Au@SiO2纳米粒子长度在20纳米到60纳米之间，宽度在5纳米到25纳米之间；Au@SiO2纳米粒子可以产生表面等离子体共振，增加光在钙钛矿活性层中的光程，提高钙钛矿活性层对光的吸收，从而可以显著提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率；与没有Au@SiO2纳米粒子的钙钛矿太阳能电池相比，有Au@SiO2纳米粒子的钙钛矿太阳能电池的光电转换效率可以提高35％以上；本发明的基于金属纳米粒子界面修饰的钙钛矿太阳电池制备方法通过溶液技术低温制备，重复性好，成本低，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN106098244A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610380610.8

申请日：2016-06-01

Applicant: 中南大学 ,  深圳珈伟光伏照明股份有限公司

Inventor： 阳军亮 ,  张楚俊 ,  胡巧 ,  吴涵 ,  丁孔贤 ,  孙永明 ,  姜宗清

IPC: H01B13/00 ,  B05D7/04 ,  B05D7/24 ,  B41M1/30 ,  B41M1/10 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01B13/00 ,  B05D7/04 ,  B05D7/24 ,  B41M1/10 ,  B41M1/30 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/62

Abstract: 本发明公开了一种基于卷对卷印刷技术制备大面积、导电性可控的功能石墨烯薄膜的制备方法；通过调控石墨烯墨水性能和印刷技术参数，在柔性基底上卷对卷印刷制备出具有可控厚度和可控导电性能的均匀、大面积石墨烯薄膜；厚度可调控在10纳米到10微米之间，方块电阻可调控在10欧姆/口到3000欧姆/口之间；该石墨烯薄膜的卷对卷印刷制备方法快速高效、工艺简单、重复性好、成本低，具有广泛的应用前景。