公开(公告)号：CN113299831A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110557734.X

申请日：2021-05-21

Applicant: 西安电子科技大学 ,  中南大学 ,  钱塘科技创新中心

Inventor： 段宝兴 ,  唐春萍 ,  孙佳 ,  刘婉蓉 ,  杨银堂

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种基于三层绝缘介质的低功耗柔性薄膜晶体管及其制作方法。该器件采用底栅顶接触结构，依次由柔性衬底、栅电极、绝缘介质层、有源层、源、漏电极构成。该结构采用介电常数较高的A l2O3作为无机材料绝缘介质层，能够有效降低工作电压和阈值电压，但高介电常数带来较高界面极性；为降低其界面极性，又增加了PMMA制作的绝缘介质薄膜和由交联剂4,4'‑(六氟异丙烯)二酞酸酐与聚(4‑乙烯基苯酚)混合而得的交联PVP‑HDA绝缘介质薄膜。本发明的柔性薄膜晶体管能够较好的平衡介电常数与界面极性之间的矛盾，还同时兼具较低功耗、较小漏电流、较低亚阈值摆幅等优点，工艺简单、成本较低，有利于大规模生产。

公开(公告)号：CN108258117A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201611232188.8

申请日：2016-12-28

Applicant: 中南大学

Inventor： 阳军亮 ,  童思超 ,  孙佳 ,  王春花 ,  张楚俊 ,  夏华燕

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种稳定的高性能钙钛矿光电探测器，包括基底、钙钛矿材料光吸收层、2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层以及电极四部分。本发明的制备方法，包括以下步骤：基底准备与清洗、处理；配制钙钛矿材料前驱体溶液；使用旋涂、刮涂及印刷方式制备钙钛矿材料薄膜，得到高质量钙钛矿材料光吸收层；配制2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩溶液；使用旋涂、刮涂及印刷方式在钙钛矿光吸收层上沉积制备2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩有机半导体层；采用蒸镀制备电极。本发明的产品具有响应时间快、光响应度高、空气中稳定等优点，具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN115734628A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211474448.8

申请日：2022-11-22

Applicant: 中南大学

Inventor： 孙佳 ,  杨胜兰 ,  靳晨星 ,  阳军亮 ,  丁洋

IPC: H10K39/12 ,  H10K39/30 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供一种自供能光控突触晶体管及其应用，自供能双向光控突触晶体管包括人工突触晶体管、钙钛矿太阳能电池一、钙钛矿太阳能电池二；钙钛矿太阳能电池一的阴极通过导线与人工突触晶体管的栅电极连接，其阳极通过导线与人工突触晶体管的源电极连接；钙钛矿太阳能电池二的阴极通过导线与人工突触晶体管的源电极连接，其阳极通过导线与人工突触晶体管的另一栅电极连接。本发明不仅通过钙钛矿太阳能电池与人工突触晶体管栅电极连接实现了自供能概念，而且通过控制钙钛矿太阳能电池的阴阳极与人工突触晶体管的连接方式，在人工突触晶体管上实现了正负电导效应，从而实现了在人工突触晶体管上的双向调控神经形态行为。