公开(公告)号：CN115161773B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202210829295.8

申请日：2022-07-15

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘文胜 ,  唐思危 ,  伍思远 ,  黄哲 ,  马运柱

IPC: C30B29/46 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种大尺寸CdZnTe单晶的无损伤缺陷控制技术。本发明以CdZnTe晶片为处理对象；通过液相退火的方式来消除内部的位错和非晶相沉淀的缺陷；液相退火所用液体中含有Cd元素。本发明通过这种液相退火的方式可以快速有效提升晶片的红外透过率和电阻率，并且对晶体表面不造成晶格损伤，实现大尺寸单晶的无损伤缺陷控制。本发明所采用的方法操作简单，并且能够有效的改善单晶光电性能，具有较强的使用价值和经济效益。

公开(公告)号：CN117102495A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311069417.9

申请日：2023-08-24

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘文胜 ,  李盼桢 ,  唐思危 ,  马运柱 ,  黄哲

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/065 ,  B22F1/05

Abstract: 本发明公开了一种球形亚微米银粉及其制备方法。该方法是在磁场条件下，将银盐溶液与氨水混合并调节体系pH至碱性范围，得到银氨溶液，再向所述银氨溶液中依次加入含表面活性剂的溶液和还原剂进行还原反应，即得。该方法可调节亚微米球形银粉形貌尺寸，且制得的银粉尺寸、形貌更加均一，可用于太阳能电池、柔性电路电子浆料的制备。

公开(公告)号：CN115161773A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210829295.8

申请日：2022-07-15

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘文胜 ,  唐思危 ,  伍思远 ,  黄哲 ,  马运柱

IPC: C30B29/46 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种大尺寸CdZnTe单晶的无损伤缺陷控制技术。本发明以CdZnTe晶片为处理对象；通过液相退火的方式来消除内部的位错和非晶相沉淀的缺陷；液相退火所用液体中含有Cd元素。本发明通过这种液相退火的方式可以快速有效提升晶片的红外透过率和电阻率，并且对晶体表面不造成晶格损伤，实现大尺寸单晶的无损伤缺陷控制。本发明所采用的方法操作简单，并且能够有效的改善单晶光电性能，具有较强的使用价值和经济效益。

公开(公告)号：CN112475516B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202011263943.5

申请日：2020-11-12

Applicant: 中南大学

Inventor： 马运柱 ,  陈柏杉 ,  黄宇峰 ,  唐思危 ,  刘文胜

IPC: B23K3/00 ,  B23K3/08

Abstract: 本发明涉及一种金锡共晶焊料与可伐基板构成的焊点结构及其焊接方法；属于焊接技术领域。所述焊点结构由Au‑20Sn与Au/Ni(P)/Kovar基板通过氮气气氛超声辅助回流焊而制得；所述焊点结构包含：Ni(P)层，Ni3P层,(Ni,Au)3Sn2层,(Au,Ni)Sn层、共晶焊料层；所述Ni3P层附着在Ni(P)层上，所述(Ni,Au)3Sn2层附着在Ni3P层上，所述(Au,Ni)Sn层位于(Ni,Au)3Sn2层与共晶焊料层之间；所述共晶焊料的成分为AuSn与Au5Sn。本发明解决了现有金锡焊料在焊接后焊点内部容易产生粗大初生相，连接界面易生成较厚的脆硬相，从而导致焊点可靠性降低的问题。

公开(公告)号：CN111318801B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202010158319.2

申请日：2020-03-09

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘文胜 ,  唐思危 ,  柳萧 ,  马运柱

IPC: B23K20/14 ,  B23K20/22 ,  B23K20/24 ,  B22D18/06 ,  C22C1/02 ,  C22C5/02 ,  C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  B23K103/08

Abstract: 本发明公开了一种基于高熵合金扩散焊接的金属间化合物及其制备方法；属于复合材料制备技术领域。本发明通过一步真空扩散连接工艺，在高熵合金基体表面形成了一种新型的金属间化合物层，所得金属间化合物包括纳米级Co3Fe7相；所述纳米级Co3Fe7颗粒弥散分布在Au5Sn中，将Au5Sn割裂成为一个个的准纳米粒子，所述准纳米粒子在金属间化合物层内形成细晶强化。本发明所得的Au80Sn20/CrMnFeCoNi复合焊点界面无缺陷、剪切性能好、界面稳定性显著提高，可用于高熵合金的工业级扩散连接的制备。本发明解决了现有电子封装用焊接基板问题，探索了高熵合金工业级焊接界面的金属间化合物的组织、结构和性能等问题；为其实现工业化应用提供了必要条件。

公开(公告)号：CN109022842A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810854583.2

申请日：2018-07-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 马运柱 ,  黄宇峰 ,  刘文胜 ,  唐思危 ,  陈柏杉

IPC: C22C1/02 ,  C22C5/02 ,  B22D18/06 ,  B22D18/08

Abstract: 本发明涉及一种一步真空吸铸制备超细组织金锡共晶合金焊片的方法；属于金属材料制备技术领域。所述制备方法包括下述步骤：配制金80％，锡20％的金锡合金原料；在非自耗电弧熔炼炉抽真空后，进行熔炼，得到铸锭；然后铸锭移至吸铸工位，在超声条件下，控制电弧枪电流为300‑1000A，加温10‑120s得到熔体后，对熔体加压同时对开启吸铸阀，在5‑20s完成吸附，得到超细组织金锡共晶合金焊片。本发明相比于传统叠层法及铸造拉拔轧制法，本发明无需进行多道次热加工，成分更为均匀，力学性能高于传统金锡合金，焊接温度及性能更为稳定。同时本发明中合金化与成片工几乎是艺同时进行的，加工工序少，适用于批量生产。