金属粉末的制造方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1275103A

    公开(公告)日:2000-11-29

    申请号:CN99801356.0

    申请日:1999-06-09

    CPC classification number: B22F9/28

    Abstract: 使金属氯化物气体和还原性气体在还原反应温度范围内进行接触而生成金属粉末后,当使氮气等惰性气体接触该金属粉末进行冷却时,在从还原反应温度范围至至少800℃的范围内,该冷却速度在30℃/s以上。将金属粉末急冷,借此可以抑制金属粉末颗粒的凝集和成长成二次颗粒。在还原工序中生成的金属粉末的颗粒,其在还原工序后发生凝集而成长成二次颗粒被抑制,能够稳定地得到粒径例如在1μm以下的超细粉的金属粉末。

    多晶硅的制造方法及四氯化硅的制造方法

    公开(公告)号:CN102686514A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201080059156.7

    申请日:2010-12-22

    CPC classification number: C01B33/025 C01B33/033 C01B33/035 C01B33/10721

    Abstract: 本发明提供多晶硅以及四氯化硅的制造方法,其中在多晶硅的制造工艺中,可以使用廉价且可稳定供给的原料,顺利地进行氯化反应,氯化反应后的杂质得到抑制,可以有效地利用能量来进行制造。该多晶硅的制造方法的特征在于,包含:将由二氧化硅和含碳物质构成的造粒体氯化,生成四氯化硅的氯化步骤、将四氯化硅用还原剂金属还原而生成多晶硅的还原步骤、和将在还原步骤中副生成的还原剂金属氯化物熔盐电解而生成还原剂金属和氯气的电解步骤,氯化步骤中,在氧气共存下向二氧化硅和含碳物质供给氯气使它们进行反应,电解步骤中生成的还原剂金属在还原步骤中作为四氯化硅的还原剂再利用,电解步骤中生成的氯气在氯化步骤中再利用。

    钛酸钡粉末
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1137054C

    公开(公告)日:2004-02-04

    申请号:CN99801124.X

    申请日:1999-05-20

    Abstract: 一种钛酸钡粉末,其粒径为0.1~1.0μm,其粒度分布的CV值(粒径的标准偏差/平均粒径)在40%以下,按照利用电泳的激光多普勒法测得在pH6.4时的ζ电位为-30~-60mV,而且经过在900~1200℃下煅烧。这种钛酸钡粉末在浆液状态下的分散性优良,即使在烧结后也能抑制部分粒子的凝聚,适合作为积层陶瓷电容器介电体层的形成材料使用。而且,该钛酸钡粉末在烧结成烧结体后的烧结密度在理论值的95%以上,介电常数在4000以上。

    钛酸钡粉末
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1273563A

    公开(公告)日:2000-11-15

    申请号:CN99801124.X

    申请日:1999-05-20

    Abstract: 一种钛酸钡粉末,其粒径为0.1~1.0μm,其粒度分布的CV值(粒径的标准偏差/平均粒径)在40%以下,按照利用电泳的激光多普勒法测得在pH6.4时的ξ电位为-30~-60mV,而且经过在900~1200℃下燃烧。这种钛酸钡粉末在浆液状态下的分散性优良,即使在烧结后也能抑制部分粒子的凝聚,适合作为积层陶瓷电容器介电体层的形成材料使用。而且,该钛酸钡粉末在烧结成烧结体后的烧结密度在理论值的95%以上,介电常数在4000以上。

Patent Agency Ranking