公开(公告)号：CN102686514A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080059156.7

申请日：2010-12-22

Applicant: JNC株式会社 ,  JX日矿日石金属株式会社 ,  东邦钛株式会社

Inventor： 笼桥亘 ,  堀川松秀 ,  垣內康辅

IPC: C01B33/02 ,  C01B33/033 ,  C01B33/107

CPC classification number: C01B33/025 ,  C01B33/033 ,  C01B33/035 ,  C01B33/10721

Abstract: 本发明提供多晶硅以及四氯化硅的制造方法，其中在多晶硅的制造工艺中，可以使用廉价且可稳定供给的原料，顺利地进行氯化反应，氯化反应后的杂质得到抑制，可以有效地利用能量来进行制造。该多晶硅的制造方法的特征在于，包含：将由二氧化硅和含碳物质构成的造粒体氯化，生成四氯化硅的氯化步骤、将四氯化硅用还原剂金属还原而生成多晶硅的还原步骤、和将在还原步骤中副生成的还原剂金属氯化物熔盐电解而生成还原剂金属和氯气的电解步骤，氯化步骤中，在氧气共存下向二氧化硅和含碳物质供给氯气使它们进行反应，电解步骤中生成的还原剂金属在还原步骤中作为四氯化硅的还原剂再利用，电解步骤中生成的氯气在氯化步骤中再利用。