公开(公告)号：CN102686514A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080059156.7

申请日：2010-12-22

Applicant: JNC株式会社 ,  JX日矿日石金属株式会社 ,  东邦钛株式会社

Inventor： 笼桥亘 ,  堀川松秀 ,  垣內康辅

IPC: C01B33/02 ,  C01B33/033 ,  C01B33/107

CPC classification number: C01B33/025 ,  C01B33/033 ,  C01B33/035 ,  C01B33/10721

Abstract: 本发明提供多晶硅以及四氯化硅的制造方法，其中在多晶硅的制造工艺中，可以使用廉价且可稳定供给的原料，顺利地进行氯化反应，氯化反应后的杂质得到抑制，可以有效地利用能量来进行制造。该多晶硅的制造方法的特征在于，包含：将由二氧化硅和含碳物质构成的造粒体氯化，生成四氯化硅的氯化步骤、将四氯化硅用还原剂金属还原而生成多晶硅的还原步骤、和将在还原步骤中副生成的还原剂金属氯化物熔盐电解而生成还原剂金属和氯气的电解步骤，氯化步骤中，在氧气共存下向二氧化硅和含碳物质供给氯气使它们进行反应，电解步骤中生成的还原剂金属在还原步骤中作为四氯化硅的还原剂再利用，电解步骤中生成的氯气在氯化步骤中再利用。

公开(公告)号：CN1137054C

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN99801124.X

申请日：1999-05-20

Applicant: 东邦钛株式会社

Inventor： 堺英树 ,  堀川松秀 ,  笼桥亘

IPC: C01G23/00

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C01G23/006 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/40

Abstract: 一种钛酸钡粉末，其粒径为0.1～1.0μm，其粒度分布的CV值(粒径的标准偏差/平均粒径)在40%以下，按照利用电泳的激光多普勒法测得在pH6.4时的ζ电位为-30～-60mV，而且经过在900～1200℃下煅烧。这种钛酸钡粉末在浆液状态下的分散性优良，即使在烧结后也能抑制部分粒子的凝聚，适合作为积层陶瓷电容器介电体层的形成材料使用。而且，该钛酸钡粉末在烧结成烧结体后的烧结密度在理论值的95%以上，介电常数在4000以上。

公开(公告)号：CN1273563A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：CN99801124.X

申请日：1999-05-20

Applicant: 东邦钛株式会社

Inventor： 堺英树 ,  堀川松秀 ,  笼桥亘

IPC: C01G23/00

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C01G23/006 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/40

Abstract: 一种钛酸钡粉末,其粒径为0.1～1.0μm,其粒度分布的CV值(粒径的标准偏差/平均粒径)在40%以下,按照利用电泳的激光多普勒法测得在pH6.4时的ξ电位为－30～－60mV,而且经过在900～1200℃下燃烧。这种钛酸钡粉末在浆液状态下的分散性优良,即使在烧结后也能抑制部分粒子的凝聚,适合作为积层陶瓷电容器介电体层的形成材料使用。而且,该钛酸钡粉末在烧结成烧结体后的烧结密度在理论值的95%以上,介电常数在4000以上。