公开(公告)号：CN104629946A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410641916.5

申请日：2014-11-11

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 张斗瑛 ,  金炳郁 ,  赵泰杓 ,  尹锡壹 ,  许舜范 ,  韩莹圭

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D7/60

Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨后清洗的组合物，更具体地，涉及一种在半导体制造工艺中，用于包括金属布线及金属膜的半导体基板的清洗工艺，尤其是用于化学机械研磨后清洗裸露出金属布线的半导体基板的组合物。本发明的清洗组合物即能有效地清除附在半导体工件表面上的杂质，又不损伤金属布线，而且清洗后，不会残留在表面上造成工件污染，因此能够制造优秀的半导体。

公开(公告)号：CN105717755B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201510924658.6

申请日：2015-12-14

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 权五焕 ,  赵泰杓 ,  金炳郁 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  韩莹圭 ,  沈载熙

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明提供一种稀释剂组合物。本发明中的稀释剂特别是对用于旋涂硬掩膜的难溶性光刻胶具有优异的溶解特性和适当的挥发性，可在短时间内有效去除在边缘光刻胶去除工序等中粘附的多余的光刻胶，并且还可以应用于半导体基板的预湿工艺等，使得以少量光刻胶或者旋涂硬掩膜也能有效形成感光膜。

公开(公告)号：CN104781732B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201380058917.0

申请日：2013-10-28

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 许舜范 ,  金炳郁 ,  赵泰杓 ,  尹锡壹 ,  郑世桓 ,  张斗瑛 ,  朴善周

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种示出光刻胶剥离效果和防腐效果的光刻胶剥离液组合物及光刻胶剥离方法。更详细地讲，涉及含有N,N‑二甲基丙酰胺、Solketal(丙酮缩甘油)、以及有机胺的光刻胶去除用剥离液组合物，该组合物能够替代对环境和人体有害的乙二醇醚(glycol ether)类化合物。