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公开(公告)号：CN105140224B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510378249.0
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423
Abstract: 本发明是一种硅基低漏电流悬臂梁栅CMOS管倒相器及制备方法，该倒相器由悬臂梁栅NMOS管和悬臂梁栅PMOS管构成。该倒相器的MOS管的制作在Si衬底上，其栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成悬臂梁栅。悬臂梁栅的下方设计有电极板，每个MOS管电极板与该MOS管的源极短接。而悬臂梁栅的下拉电压设计为等于MOS管的阈值电压的绝对值。当在悬臂梁栅极与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，悬臂梁栅是悬浮在栅氧化层的上方。只有在悬臂梁栅极与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时悬臂梁栅才会下拉到贴在栅氧化层上，从而使MOS管导通。本发明在工作中栅氧化层中的场强减小，所以减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗，提高了性能。
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公开(公告)号：CN105161490A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510379993.2
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明是一种氮化镓基低漏电流悬臂梁场效应晶体管倒相器及制备方法，该倒相器由悬臂梁N型MESFET和悬臂梁P型MESFET构成。该倒相器的MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了悬臂梁结构。悬臂梁下方设计了电极板。悬臂梁的下拉电压设计为等于型MESFET的阈值电压的绝对值。当在悬臂梁与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，悬臂梁是悬浮在栅极的上方，此时栅极处是断路的，MESFET工作在截止状态，而只有在悬臂梁与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，悬臂梁才会被下拉到贴在栅极上，栅极与悬臂梁短接，从而使MESFET工作在导通状态。本发明在工作中增大了栅极的阻抗，减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。
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公开(公告)号：CN104992941A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510378713.6
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423 , B81B7/02
Abstract: 本发明是一种硅基低漏电流固支梁栅CMOS传输门及制备方法，该传输门由固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管构成。该传输门的MOS管的制作在Si衬底上，其栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成固支梁结构。固支梁栅的下方设计有电极板。固支梁栅下拉电压设计为等于MOS管的阈值电压的绝对值。当在固支梁栅与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，固支梁栅是悬浮在栅氧化层的上方，而只有在固支梁栅与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，固支梁栅才会下拉到贴在栅氧化层上，此时若输入端与输出端的电平值不同，则MOS管导通。本发明在工作中栅氧化层中的场强减小，所以减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。
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公开(公告)号：CN104966715A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510378327.7
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/095 , H01L21/8252
Abstract: 本发明是一种氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管倒相器及制备方法，该GaN基低漏电流固支梁MESFET倒相器由固支梁N型MESFET和固支梁P型MESFET构成。该倒相器的MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了固支梁结构。固支梁下方设计了电极板。固支梁的下拉电压设计为等于型MESFET的阈值电压的绝对值。当在固支梁与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，固支梁是悬浮在栅极的上方，此时栅极处是断路的，MESFET也没有导通，而只有在固支梁与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，固支梁才会被下拉到贴在栅极上，栅极与固支梁短接，从而使MESFET导通。本发明在工作中增大了栅极的阻抗，减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。
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公开(公告)号：CN103840709A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410058471.8
申请日：2014-02-20
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的物联网射频收发组件开孔混合梁振动电磁自供电微传感器，由一个固支梁、8个悬臂梁以及外围大电容和稳压电路组成。固支梁两侧的自由边上制作了八个尺寸相同悬臂梁。天线结构和压电材料层都设计在固支梁和悬臂梁上。本发明既实现了电磁能的收集又实现了振动能的收集，大大降低了射频收发组件的能量损耗，同时改善了电磁兼容的性能，抑制了不必要的抖动。而且，本发明的悬臂梁上的设计了不同的开孔方案来使得8个悬臂梁具有8种不同的固有谐振频率，增大了频率带宽，使得本发明在振动频率复杂多变的振动环境中具有更高的能量收集效率和供电能力。扩大了天线收集杂散电磁波能量的方向性范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105023940B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510379589.5
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/20 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明是一种GaN基低漏电流固支梁MESFET传输门及制备方法，该传输门由固支梁N型MESFET和固支梁P型MESFET构成。该传输门的MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了固支梁结构。固支梁下方设计了电极板。固支梁的下拉电压设计为等于型MESFET的阈值电压的绝对值。当在固支梁与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，固支梁是悬浮在栅极的上方，此时栅极处是断路的，MESFET始终工作在截止状态，而只有在固支梁与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，固支梁才会被下拉到贴在栅极上，栅极与固支梁短接，此时若输入端与输出端的电平值不同，则MESFET工作在导通状态。本发明减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。
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公开(公告)号：CN104966715B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510378327.7
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/095 , H01L21/8252
Abstract: 本发明是一种氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管倒相器及制备方法，该GaN基低漏电流固支梁MESFET倒相器由固支梁N型MESFET和固支梁P型MESFET构成。该倒相器的MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了固支梁结构。固支梁下方设计了电极板。固支梁的下拉电压设计为等于型MESFET的阈值电压的绝对值。当在固支梁与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，固支梁是悬浮在栅极的上方，此时栅极处是断路的，MESFET也没有导通，而只有在固支梁与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，固支梁才会被下拉到贴在栅极上，栅极与固支梁短接，从而使MESFET导通。本发明在工作中增大了栅极的阻抗，减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗。
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公开(公告)号：CN103840709B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410058471.8
申请日：2014-02-20
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的物联网射频收发组件开孔混合梁振动电磁自供电微传感器，由一个固支梁、8个悬臂梁以及外围大电容和稳压电路组成。固支梁两侧的自由边上制作了八个尺寸相同悬臂梁。天线结构和压电材料层都设计在固支梁和悬臂梁上。本发明既实现了电磁能的收集又实现了振动能的收集，大大降低了射频收发组件的能量损耗，同时改善了电磁兼容的性能，抑制了不必要的抖动。而且，本发明的悬臂梁上的设计了不同的开孔方案来使得8个悬臂梁具有8种不同的固有谐振频率，增大了频率带宽，使得本发明在振动频率复杂多变的振动环境中具有更高的能量收集效率和供电能力。扩大了天线收集杂散电磁波能量的方向性范围。
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公开(公告)号：CN103840708B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410058322.1
申请日：2014-02-20
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明的射频收发机中的开孔悬臂梁振动电磁自供电微传感器，由一个主悬臂梁、8个副悬臂梁以及外围大电容和稳压电路组成。主悬臂梁两侧的自由边上制作了八个尺寸相同副悬臂梁。8个副悬臂梁上开有不同半径、间距以及数量的圆孔。本发明既实现了电磁能的收集又实现了振动能的收集。由于天线结构设计在主悬臂梁和副悬臂梁下表面，从而扩大了天线收集杂散电磁波能量的方向性范围。本发明的8个副悬臂梁具有8种不同的固有谐振频率，增大了频率带宽，更适用于振动频率复杂多变的振动环境的振动能量的收集和利用。同时，由于杂散波和振动能被收集，改善了电磁兼容的问题，抑制了抖动，本发明能够大大提高射频收发组件的性能。
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公开(公告)号：CN105140224A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510378249.0
申请日：2015-07-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423
Abstract: 本发明是一种硅基低漏电流悬臂梁栅CMOS管倒相器及制备方法，该倒相器由悬臂梁栅NMOS管和悬臂梁栅PMOS管构成。该倒相器的MOS管的制作在Si衬底上，其栅极是悬浮在栅氧化层上方的，形成悬臂梁栅。悬臂梁栅的下方设计有电极板，每个MOS管电极板与该MOS管的源极短接。而悬臂梁栅的下拉电压设计为等于MOS管的阈值电压的绝对值。当在悬臂梁栅极与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，悬臂梁栅是悬浮在栅氧化层的上方。只有在悬臂梁栅极与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时悬臂梁栅才会下拉到贴在栅氧化层上，从而使MOS管导通。本发明在工作中栅氧化层中的场强减小，所以减小了栅极漏电流，有效地降低了功耗，提高了性能。
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