公开(公告)号：CN107195711A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710304823.7

申请日：2017-05-03

Applicant: 东南大学

Inventor： 杨春 ,  贾少鹏 ,  宋振杰

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/113 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1136 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/1844

Abstract: 本发明公开了一种光电混频HEMT，包括最下层的衬底，衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长量子阱有源层；其中所述量子阱有源层从上到下依次包括：第一势垒层、第一隔离层、第一沟道层、光吸收层、第二沟道层、第二隔离层、第二势垒层；在所述量子阱有源层的外表面设置源极、漏极和栅极，栅极位于源极和漏极的中间，源极和漏极为欧姆接触。本发明有效缩短了空穴的运动距离，并且消除了光生电子‑空穴之间的库伦吸引的影响，同时也消除了空穴迁移率低的缺陷，从而可以大大提升光电混频HEMT的频率特性。

公开(公告)号：CN109273552B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201811010367.6

申请日：2018-08-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 杨春 ,  贾少鹏 ,  宋振杰

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H04B1/18

Abstract: 本发明公开了一种单行载流子光电混频器和一种相控阵天线接收前端，所述单行载流子光电混频器从下到上依次叠加衬底、P型重掺杂下接触层、P型重掺杂电子阻挡层、光吸收层、收集层、N型重掺杂中间导电层、肖特基接触层、N型掺杂上势垒层、N型重掺杂上接触层。进一步地，所述光吸收层为渐变梯度掺杂。所述收集层与光吸收层之间还设有1层中度掺杂的InP崖层。本发明通过对材料和器件结构的设计，相较于传统的单行载流子光电二极管具备高速、大带宽的同时具有光电混频变频损耗低的优点，比光电三极管的带宽大且噪声低。

公开(公告)号：CN106876444B

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201710126246.7

申请日：2017-03-03

Applicant: 东南大学

Inventor： 杨春 ,  宋振杰 ,  贾少鹏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/778 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种基于多周期量子阱结构的HEMT器件，包括衬底，衬底上生长缓冲层，缓冲层上生长量子阱有源层；量子阱有源层包括：势垒层、隔离层、沟道层和缺陷层；量子阱有源层上设置源极、漏极和栅极，栅极位于量子阱有源层的中间，源极和漏极位于量子阱有源层的两侧。本发明通过引入缺陷层俘获电子，使器件可以快速关断；通过生长多周期量子阱异质结，产生多个导电通道层，增加了器件的功率处理能力；通过使用台面结构，有效解决常规表面电极引起的内部电场弯曲问题，漏、源电压可以无差别的加载到多周期异质结两端；该器件的成功研发将使HEMT器件向更高频、高速、大功率领域发展。

公开(公告)号：CN109273552A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811010367.6

申请日：2018-08-31

Applicant: 东南大学

Inventor： 杨春 ,  贾少鹏 ,  宋振杰

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0304 ,  H04B1/18

Abstract: 本发明公开了一种单行载流子光电混频器和一种相控阵天线接收前端，所述单行载流子光电混频器从下到上依次叠加衬底、P型重掺杂下接触层、P型重掺杂电子阻挡层、光吸收层、收集层、N型重掺杂中间导电层、肖特基接触层、N型掺杂上势垒层、N型重掺杂上接触层。进一步地，所述光吸收层为渐变梯度掺杂。所述收集层与光吸收层之间还设有1层中度掺杂的InP崖层。本发明通过对材料和器件结构的设计，相较于传统的单行载流子光电二极管具备高速、大带宽的同时具有光电混频变频损耗低的优点，比光电三极管的带宽大且噪声低。