公开(公告)号：CN109642812A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201880002629.6

申请日：2018-06-13

Applicant: CKD株式会社

Inventor： 江口谅 ,  世古尚嗣 ,  伊藤一寿

IPC: G01F1/00 ,  G01F1/42 ,  G01F1/68

Abstract: 一种流量计(1)，设有架设了用于测量流量的传感器片(21)的传感器流路(16)，此外还设有与传感器流路(16)相对应的作为旁路流路的节流孔流路(13)，其中，使节流孔流路(13)的流路直径(C)比流入流路(12)的流路直径(A)小，在传感器流路(16)的入口侧配置分流节流孔(30)，节流孔流路(13)和分流节流孔(30)构成为：在纵轴取为有效截面积、横轴取为流体的流体压力时，有效截面积的变化倾向相同。

公开(公告)号：CN104620080B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201380047335.2

申请日：2013-09-27

Applicant: CKD株式会社

Inventor： 西川桂一 ,  南谷隆弘 ,  广濑泰久 ,  伊藤一寿

IPC: G01D5/241 ,  G01B7/00

CPC classification number: G01B7/00 ,  G01B7/003 ,  G01D5/2412

Abstract: 一种静电电容式位移传感器，包括：柱状部件31，由绝缘材料形成；筒状部件33，由金属制成，其内部中插入预定范围的柱状部件31，并且随着阀芯22的位移而进行移动；一对固定电极40A、40B，薄膜状地形成在柱状部件31的外表面部上；补偿电极41、42，薄膜状地形成在柱状部件31的外表面部上；静电屏蔽部件37，在与固定电极40A、40B、筒状部件33以及补偿电极41、42绝缘的状态下覆盖上述电极并接地；以及固定电极端子和补偿电极端子，薄膜状地形成在柱状部件31的外表面部上，与电极40A、40B、41、42分别连接，以及在与静电屏蔽部件37绝缘的状态下在长度方向延伸至静电屏蔽部件37的外部。

公开(公告)号：CN104919547A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201480004913.9

申请日：2014-07-29

Applicant: CKD株式会社

Inventor： 纐缬雅之 ,  伊藤彰浩 ,  伊藤一寿 ,  细野刚史 ,  武藤定义

IPC: H01F5/06 ,  H01F5/00 ,  H01F7/14 ,  H01F41/12

CPC classification number: H01F5/06 ,  F16K31/0675 ,  F16K49/00 ,  H01F5/00 ,  H01F7/08 ,  H01F27/08 ,  H01F41/064 ,  H01F41/125 ,  H01J35/14 ,  H01J2235/087 ,  H01J2235/1287 ,  Y10T29/49073 ,  Y10T137/6416

Abstract: 一种电磁线圈，包括：导体线圈12a，由在预定轴线的周围缠绕多圈导体12b而形成；和陶瓷层12c，通过热喷涂形成在导体线圈12a中的预定轴线方向的端面上且表面进行平坦化。陶瓷层12c的厚度的最大值t12设定为在预定轴线方向的端面上由多个导体12b形成的高低差的最大值t11的3倍以下。

公开(公告)号：CN104620080A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047335.2

申请日：2013-09-27

Applicant: CKD株式会社

Inventor： 西川桂一 ,  南谷隆弘 ,  广濑泰久 ,  伊藤一寿

IPC: G01D5/241 ,  G01B7/00

CPC classification number: G01B7/00 ,  G01B7/003 ,  G01D5/2412

Abstract: 一种静电电容式位移传感器，包括：柱状部件31，由绝缘材料形成；筒状部件33，由金属制成，其内部中插入预定范围的柱状部件31，并且随着阀芯22的位移而进行移动；一对固定电极40A、40B，薄膜状地形成在柱状部件31的外表面部上；补偿电极41、42，薄膜状地形成在柱状部件31的外表面部上；静电屏蔽部件37，在与固定电极40A、40B、筒状部件33以及补偿电极41、42绝缘的状态下覆盖上述电极并接地；以及固定电极端子和补偿电极端子，薄膜状地形成在柱状部件31的外表面部上，与电极40A、40B、41、42分别连接，以及在与静电屏蔽部件37绝缘的状态下在长度方向延伸至静电屏蔽部件37的外部。