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公开(公告)号：CN101407910B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200810161876.9
申请日：2008-10-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/42 , H01L21/00 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/4405 , C23C16/45525
Abstract: 本发明涉及半导体处理用的成膜装置，其包括：具有按照在反应室内支承被处理基板的方式设定的多个支承层的支承部件；包括将成膜气体供给反应室的气体分散喷嘴的成膜气体供给系统；供给对附着在反应室内的副生成物膜进行蚀刻的清洁气体的清洁气体供给系统；和排出反应室内气体的排气系统。清洁气体供给系统包括在上端具有在反应室的底部附近指向上方的气体供给口，气体供给口位于比支承部件的支承层的最下层还靠下的位置。
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公开(公告)号：CN101488452A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910005511.1
申请日：2009-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/45542 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法和装置。该成膜方法能够有选择地供给包含硅烷类气体的第一处理气体和包含氮化气体的第二处理气体，并且在与用于在供给第二处理气体时对其进行激发的激发机构连通的处理区域内反复进行多次等离子体循环和非等离子体循环，在被处理基板上形成硅氮化膜。该方法包括：求取表示等离子体循环和非等离子体循环的循环混合方式相对于硅氮化膜的膜质要素的关系的关系式或关系表的工序；根据膜质要素的目标值并参照关系式或关系表，决定循环混合方式的具体方式的工序；和根据具体方式安排成膜处理的工序。
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公开(公告)号：CN101481794A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910000223.7
申请日：2009-01-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/42 , C23C16/513 , H01L21/318
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/4554 , C23C16/45546 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种半导体处理的成膜方法和装置。其在能够有选择性地供给包含硅烷类气体的第一处理气体和包含氮化气体的第二处理气体的处理区域内，进行在被处理基板上形成氮化硅膜的成膜处理。成膜处理由主阶段和辅助阶段构成，辅助阶段设定在成膜处理的初期和末期中的一方或者双方。主阶段具有利用激励机构将第二处理气体在已被激励的状态下供给到处理区域的激励期间。辅助阶段不具有利用激励机构将第二处理气体在已被激励的状态下供给到处理区域的激励期间。
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公开(公告)号：CN101413113A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810176992.8
申请日：2008-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/513 , H01L21/00 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01J37/32091 , H01J37/32174
Abstract: 一种对多个被处理基板一起进行等离子体处理的半导体处理用的立式等离子体处理装置包括使处理气体的至少一部分等离子体化的激励机构。激励机构包括夹着等离子体发生区域相对地配置在等离子体生成箱上的第一和第二电极；和向所述第一和第二电极供给等离子体发生用的高频电力的高频电源，该高频电源包括第一和第二输出端子，第一和第二输出端子分别是接地和非接地端子。还配设切换机构，切换第一电极和第一输出端子连接并且第二电极和第二输出端子连接的第一状态以及第一电极和第二输出端子连接并且第二电极和第一输出端子连接的第二状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101413113B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200810176992.8
申请日：2008-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/513 , H01L21/00 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01J37/32091 , H01J37/32174
Abstract: 一种对多个被处理基板一起进行等离子体处理的半导体处理用的立式等离子体处理装置包括使处理气体的至少一部分等离子体化的激励机构。激励机构包括夹着等离子体发生区域相对地配置在等离子体生成箱上的第一和第二电极；和向所述第一和第二电极供给等离子体发生用的高频电力的高频电源，该高频电源包括第一和第二输出端子，第一和第二输出端子分别是接地和非接地端子。还配设切换机构，切换第一电极和第一输出端子连接并且第二电极和第二输出端子连接的第一状态以及第一电极和第二输出端子连接并且第二电极和第一输出端子连接的第二状态。
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公开(公告)号：CN101488452B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200910005511.1
申请日：2009-01-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/45542 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法和装置。该成膜方法能够有选择地供给包含硅烷类气体的第一处理气体和包含氮化气体的第二处理气体，并且在与用于在供给第二处理气体时对其进行激发的激发机构连通的处理区域内反复进行多次等离子体循环和非等离子体循环，在被处理基板上形成硅氮化膜。该方法包括：求取表示等离子体循环和非等离子体循环的循环混合方式相对于硅氮化膜的膜质要素的关系的关系式或关系表的工序；根据膜质要素的目标值并参照关系式或关系表，决定循环混合方式的具体方式的工序；和根据具体方式安排成膜处理的工序。
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公开(公告)号：CN101713067A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910179605.0
申请日：2009-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/54 , C23C16/455 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/455 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01L21/3141 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种成膜方法及成膜装置。在立式批量型CVD装置中，成膜方法构成为反复多次循环并将每次循环形成的薄膜进行层叠。循环是交替地进行以下工序：吸附工序，其用于使原料气体吸附在被处理基板的表面上；以及反应工序，其用于使反应气体与吸附原料气体发生反应。吸附工序构成为一边保持切断反应气体的供给一边隔着停止对处理区域供给原料气体的中间子工序来进行多次对处理区域供给原料气体的供给子工序。反应工序构成为一边保持切断原料气体的供给一边对处理区域连续供给反应气体。
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公开(公告)号：CN101440482B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810179942.5
申请日：2008-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/318
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/345 , C23C16/45519 , H01L21/3185
Abstract: 一种薄膜形成装置及其使用方法，用来在反应室内在被处理基板上形成薄膜的半导体处理用的成膜装置的使用方法，用来除去堆积到从供给用来成膜的成膜气体的成膜气体供给系统，通过所述反应室，直到排气系统的气体路径的规定区域上的副生成物膜，在所述反应室内没有装入所述被处理基板的状态下，通过交替反复进行蚀刻工序和排气工序进行清洁处理，在蚀刻工序中，在向所述规定区域供给蚀刻所述副生成物膜的清洁气体并活性化的同时，蚀刻所述副生成物膜，在排气工序中，停止所述清洁气体的供给，通过所述排气系统对所述规定区域存在的空间进行排气。
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公开(公告)号：CN101407910A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810161876.9
申请日：2008-10-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/42 , H01L21/00 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/3185 , C23C16/345 , C23C16/4405 , C23C16/45525
Abstract: 本发明涉及半导体处理用的成膜装置，其包括：具有按照在反应室内支承被处理基板的方式设定的多个支承层的支承部件；包括将成膜气体供给反应室的气体分散喷嘴的成膜气体供给系统；供给对附着在反应室内的副生成物膜进行蚀刻的清洁气体的清洁气体供给系统；和排出反应室内气体的排气系统。清洁气体供给系统包括在上端具有在反应室的底部附近指向上方的气体供给口，气体供给口位于比支承部件的支承层的最下层还靠下的位置。
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