公开(公告)号：CN104425242B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410426160.2

申请日：2014-08-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小川和人 ,  平井克典

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法，其维持被蚀刻层相对于掩模的蚀刻的选择比且抑制形成于被蚀刻层的空间的方向变化。在半导体器件的制造方法(MT)中，包括：(a)将含有氟碳化合物气体、氟代烃气体和氧气的第一气体供给到处理容器(12)内，激发该第一气体的工序(ST2)；和(b)将含有氧气和稀有气体的第二气体供给到处理容器(12)内，激发该第二气体的工序(ST3)，进行分别包含激发第一气体的工序(ST2)和激发第二气体的工序(ST3)的多个循环。

公开(公告)号：CN104347521A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410372926.3

申请日：2014-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小川和人 ,  成重和树 ,  佐藤孝纪

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法。该制造方法包括：(a)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序，该被处理体具有：包括交替层叠的氧化硅膜和氮化硅膜的多层膜和设置于该多层膜上的掩模；和(b)对多层膜进行蚀刻的工序，在该工序中，将包括氢气、溴化氢气体和三氟化氮气体且包括烃气体、氟烃气体和碳氟化合物气体中的至少任一种的处理气体供给到处理容器内，在等离子体处理装置的处理容器内生成处理气体的等离子体。

公开(公告)号：CN100477111C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200710086184.8

申请日：2002-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田昭仁 ,  小川和人

IPC: H01L21/311

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明涉及一种处理方法，它具有：在处理室(1)内产生处理气体的等离子体，以便由形成在芯片(W)表面上的PR膜层(202)等有机膜层的下层的SiO2膜层(204)上将其除去，此时，使用氧气作为所述处理气体，以低于现有技术的第一压力，如20mTorr，除去有机膜层的工序；以及与该工序同样地使用氧气，在高于第一压力的第二压力下，例如200mTorr下，除去上述有机膜层的工序。

公开(公告)号：CN1561540A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN02819042.4

申请日：2002-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田昭仁 ,  小川和人

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明涉及一种处理方法，它具有：在处理室(1)内产生处理气体的等离子体，以便由形成在芯片(W)表面上的PR膜层(202)等有机膜层的下层的SiO2膜层(204)上将其除去，此时，使用氧气作为所述处理气体，以低于现有技术的第一压力，如20mTorr，除去有机膜层的工序；以及与该工序同样地使用氧气，在高于第一压力的第二压力下，例如200mTorr下，除去上述有机膜层的工序。