公开(公告)号：CN100349268C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN02819042.4

申请日：2002-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田昭仁 ,  小川和人

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明涉及一种处理方法，它具有：在处理室(1)内产生处理气体的等离子体，以便由形成在芯片(W)表面上的PR膜层(202)等有机膜层的下层的SiO2膜层(204)上将其除去，此时，使用氧气作为所述处理气体，以低于现有技术的第一压力，如20mTorr，除去有机膜层的工序；以及与该工序同样地使用氧气，在高于第一压力的第二压力下，例如200mTorr下，除去上述有机膜层的工序。

公开(公告)号：CN101026097A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710086184.8

申请日：2002-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田昭仁 ,  小川和人

IPC: H01L21/311

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明涉及一种处理方法，它具有：在处理室(1)内产生处理气体的等离子体，以便由形成在芯片(W)表面上的PR膜层(202)等有机膜层的下层的SiO2膜层(204)上将其除去，此时，使用氧气作为所述处理气体，以低于现有技术的第一压力，如20mTorr，除去有机膜层的工序；以及与该工序同样地使用氧气，在高于第一压力的第二压力下，例如200mTorr下，除去上述有机膜层的工序。

公开(公告)号：CN100477111C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200710086184.8

申请日：2002-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田昭仁 ,  小川和人

IPC: H01L21/311

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明涉及一种处理方法，它具有：在处理室(1)内产生处理气体的等离子体，以便由形成在芯片(W)表面上的PR膜层(202)等有机膜层的下层的SiO2膜层(204)上将其除去，此时，使用氧气作为所述处理气体，以低于现有技术的第一压力，如20mTorr，除去有机膜层的工序；以及与该工序同样地使用氧气，在高于第一压力的第二压力下，例如200mTorr下，除去上述有机膜层的工序。

公开(公告)号：CN1561540A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN02819042.4

申请日：2002-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田昭仁 ,  小川和人

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/427 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明涉及一种处理方法，它具有：在处理室(1)内产生处理气体的等离子体，以便由形成在芯片(W)表面上的PR膜层(202)等有机膜层的下层的SiO2膜层(204)上将其除去，此时，使用氧气作为所述处理气体，以低于现有技术的第一压力，如20mTorr，除去有机膜层的工序；以及与该工序同样地使用氧气，在高于第一压力的第二压力下，例如200mTorr下，除去上述有机膜层的工序。