公开(公告)号：CN102280339A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110157803.4

申请日：2011-06-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 和田畅弘 ,  小林真 ,  辻本宏 ,  田村纯 ,  直井护

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32577

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，该基板处理装置能够防止上部电极消耗且能提高处理空间中的等离子体的密度分布的控制性。基板处理装置包括：基座，其与第1高频电源相连接且用于载置晶圆；上部电极板，其与该基座相对地配置；处理空间，其位于基座与上部电极板之间，该基板处理装置利用等离子体对晶圆实施等离子蚀刻处理，基板处理装置具有覆盖上部电极板中的与处理空间面对的部分的电介质板，上部电极板被分割成与晶圆的中央部相对的内侧电极和与晶圆的周缘部相对的外侧电极，内侧电极与外侧电极彼此电绝缘，自第2可变直流电源对内侧电极施加正的直流电压，并且使外侧电极接地。