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公开(公告)号:CN113874424A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202080038205.2
申请日:2020-06-02
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C08J3/09 , C08L65/00 , C08K3/04 , C09D165/00 , C09D7/61 , C09D11/30 , C09D11/38 , C01B32/174
Abstract: 本发明的课题在于提供能够通过喷墨而精度良好地涂布于所期望位置的碳纳米管分散液,主旨为碳纳米管分散液,其至少含有在碳纳米管的表面的至少一部分附着有共轭系聚合物的碳纳米管复合体;和溶剂,上述共轭系聚合物具有通式(1)表示的侧链,上述溶剂为单一溶剂或混合溶剂,粘度为5~40cP,且含有沸点为150~290℃的溶剂或蒸气压为0.9~500Pa的溶剂。(通式(1)中,R1表示亚烷基或亚环烷基。X表示单键、亚烯基等。A表示羟基、烷基硫基等。)
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公开(公告)号:CN112672977A
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN201980058884.7
申请日:2019-09-17
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C01B32/174 , B82Y30/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 本发明的课题在于提供能够通过喷墨而精度良好地涂布于所期望的位置的碳纳米管复合体及使用其的分散液,主旨为碳纳米管复合体,其为在碳纳米管的表面的至少一部分附着有共轭系聚合物的碳纳米管复合体,上述共轭系聚合物具有通式(1)表示的侧链。通式(1)中,R表示亚烷基或亚环烷基。X表示单键、亚烯基、亚炔基、亚芳基或亚杂芳基。A表示烷基羰基、芳基羰基、杂芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、杂芳氧基羰基、烷基羰基氧基、芳基羰基氧基或杂芳基羰基氧基
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公开(公告)号:CN110402483B
公开(公告)日:2020-05-08
申请号:CN201880019795.7
申请日:2018-02-28
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/336 , C01B32/158 , H01L21/208 , H01L21/312 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明的课题在于,提供不随时间劣化、稳定且具有n型半导体特性的半导体元件;主旨是半导体元件,其具有:基材;源电极、漏电极和栅电极;与前述源电极和漏电极接触的半导体层;将前述半导体层与前述栅电极绝缘的栅绝缘层;以及在前述半导体层的与前述栅绝缘层相反侧与前述半导体层接触的第2绝缘层,前述半导体层含有碳纳米管,前述第2绝缘层含有具有选自氮原子和磷原子中的任一种以上的供电子性化合物,前述第2绝缘层的透氧度为4.0cc/(m2·24h·atm)以下。
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公开(公告)号:CN107923867A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201680046302.X
申请日:2016-08-08
Applicant: 东丽株式会社
IPC: G01N27/414 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: G01N27/4145 , G01N27/414 , H01L29/786 , H01L51/0003 , H01L51/0036 , H01L51/004 , H01L51/0048 , H01L51/0049 , H01L51/0094 , H01L51/05 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的课题在于提供作为传感器使用时具有高检测敏感度的半导体元件。本发明涉及半导体元件,其含有有机膜、第1电极、第2电极及半导体层,前述第1电极、前述第2电极及前述半导体层形成于前述有机膜上,前述半导体层被配置于前述第1电极与前述第2电极之间,前述半导体层含有碳纳米管,水相对前述有机膜的接触角为5度以上且50度以下。
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