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公开(公告)号：CN111095566B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201880054815.4
申请日：2018-09-25
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明是一种场效应晶体管，至少具有基板、源极、漏极和栅极、与所述源极和漏极接触的半导体层、以及将所述半导体层与所述栅极绝缘的栅极绝缘层，所述半导体层含有碳纳米管，所述栅极绝缘层含有与无机粒子结合的聚合物。本发明提供漏电流降低、进而半导体溶液被均匀涂布的场效应晶体管和其制造方法。
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公开(公告)号：CN109964327B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201780070725.X
申请日：2017-11-16
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L21/312 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明提供能够进行半导体溶液的均匀涂布、迟滞减小、栅极绝缘层的耐裂纹性提高的场效应晶体管及其生产率优异的制造方法。本发明为场效应晶体管，其特征在于，至少具备：基板；源电极、漏电极及栅电极；与上述源电极及漏电极接触的半导体层；和使上述半导体层与上述栅电极绝缘的栅极绝缘层，上述栅极绝缘层含有至少具有通式(1)表示的结构单元的聚硅氧烷。通式(1)中，A1表示下述有机基团：具有至少两个羧基、磺基、硫醇基、酚式羟基或它们的衍生物的有机基团；或者具有至少一个这些基团在A1内缩合为环状而成的官能团或它们的衍生物的有机基团。
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公开(公告)号：CN110402483A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201880019795.7
申请日：2018-02-28
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/336 , C01B32/158 , H01L21/208 , H01L21/312 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明的课题在于，提供不随时间劣化、稳定且具有n型半导体特性的半导体元件；主旨是半导体元件，其具有：基材；源电极、漏电极和栅电极；与前述源电极和漏电极接触的半导体层；将前述半导体层与前述栅电极绝缘的栅绝缘层；以及在前述半导体层的与前述栅绝缘层相反侧与前述半导体层接触的第2绝缘层，前述半导体层含有碳纳米管，前述第2绝缘层含有具有选自氮原子和磷原子中的任一种以上的供电子性化合物，前述第2绝缘层的透氧度为4.0cc/(m2·24h·atm)以下。
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公开(公告)号：CN108475642B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201780007670.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
Abstract: 本发明以简便的工艺提供优异的互补型半导体元件。n型半导体元件，其为具备基材、和位于上述基材上的源电极、漏电极、栅电极、栅极绝缘层、半导体层的n型驱动半导体元件，在上述半导体层的与上述栅极绝缘层相反的一侧含有第2绝缘层，所述第2绝缘层含有包含碳原子与氮原子形成的键的有机化合物，上述半导体层含有在表面的至少一部分上附着有共轭系聚合物的碳纳米管复合体。
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公开(公告)号：CN110402483B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880019795.7
申请日：2018-02-28
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/336 , C01B32/158 , H01L21/208 , H01L21/312 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明的课题在于，提供不随时间劣化、稳定且具有n型半导体特性的半导体元件；主旨是半导体元件，其具有：基材；源电极、漏电极和栅电极；与前述源电极和漏电极接触的半导体层；将前述半导体层与前述栅电极绝缘的栅绝缘层；以及在前述半导体层的与前述栅绝缘层相反侧与前述半导体层接触的第2绝缘层，前述半导体层含有碳纳米管，前述第2绝缘层含有具有选自氮原子和磷原子中的任一种以上的供电子性化合物，前述第2绝缘层的透氧度为4.0cc/(m2·24h·atm)以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108604062B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201780009369.0
申请日：2017-03-15
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明提供负型感光性树脂组合物，其能够得到高敏感度且低锥度的图案形状，并能够得到耐热性优异的固化膜。本发明的负型感光性树脂组合物的特征在于，其含有(A)碱溶性树脂、(B)自由基聚合性化合物、及(C)光聚合引发剂，上述(A)碱溶性树脂含有选自(A‑1)聚酰亚胺、(A‑2)聚苯并噁唑、(A‑3)聚酰亚胺前体、(A‑4)聚苯并噁唑前体、(A‑5)聚硅氧烷及(A‑6)Cardo系树脂中的一种以上的树脂，上述(B)自由基聚合性化合物在51～99质量％的范围内含有(B‑1)在分子内具有5个烯键式不饱和键合基团的化合物。
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公开(公告)号：CN109964327A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201780070725.X
申请日：2017-11-16
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L21/312 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明提供能够进行半导体溶液的均匀涂布、迟滞减小、栅极绝缘层的耐裂纹性提高的场效应晶体管及其生产率优异的制造方法。本发明为场效应晶体管，其特征在于，至少具备：基板；源电极、漏电极及栅电极；与上述源电极及漏电极接触的半导体层；和使上述半导体层与上述栅电极绝缘的栅极绝缘层，上述栅极绝缘层含有至少具有通式(1)表示的结构单元的聚硅氧烷。通式(1)中，A1表示下述有机基团：具有至少两个羧基、磺基、硫醇基、酚式羟基或它们的衍生物的有机基团；或者具有至少一个这些基团在A1内缩合为环状而成的官能团或它们的衍生物的有机基团。
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公开(公告)号：CN108475642A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780007670.8
申请日：2017-01-19
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明以简便的工艺提供优异的互补型半导体元件。n型半导体元件，其为具备基材、和位于上述基材上的源电极、漏电极、栅电极、栅极绝缘层、半导体层的n型驱动半导体元件，在上述半导体层的与上述栅极绝缘层相反的一侧含有第2绝缘层，所述第2绝缘层含有包含碳原子与氮原子形成的键的有机化合物，上述半导体层含有在表面的至少一部分上附着有共轭系聚合物的碳纳米管复合体。
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公开(公告)号：CN111095566A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880054815.4
申请日：2018-09-25
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L29/786 , C08G77/42 , C08G77/58 , C08K3/013 , C08K3/22 , C08L83/04 , C08L101/00 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明是一种场效应晶体管，至少具有基板、源极、漏极和栅极、与所述源极和漏极接触的半导体层、以及将所述半导体层与所述栅极绝缘的栅极绝缘层，所述半导体层含有碳纳米管，所述栅极绝缘层含有与无机粒子结合的聚合物。本发明提供漏电流降低、进而半导体溶液被均匀涂布的场效应晶体管和其制造方法。
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公开(公告)号：CN108604062A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780009369.0
申请日：2017-03-15
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明提供负型感光性树脂组合物，其能够得到高敏感度且低锥度的图案形状，并能够得到耐热性优异的固化膜。本发明的负型感光性树脂组合物的特征在于，其含有(A)碱溶性树脂、(B)自由基聚合性化合物、及(C)光聚合引发剂，上述(A)碱溶性树脂含有选自(A-1)聚酰亚胺、(A-2)聚苯并噁唑、(A-3)聚酰亚胺前体、(A-4)聚苯并噁唑前体、(A-5)聚硅氧烷及(A-6)Cardo系树脂中的一种以上的树脂，上述(B)自由基聚合性化合物在51～99质量％的范围内含有(B-1)在分子内具有5个烯键式不饱和键合基团的化合物。
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