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公开(公告)号：CN109930198A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201711368190.2
申请日：2017-12-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种热屏及单晶硅生长炉结构，所述热屏设置于所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏包括双层屏底及双层屏壁，所述双层屏底及所述双层屏壁包覆有保温材料，所述双层屏底具有供所述熔体提拉通过的窗口，所述双层屏底包含上层以及下层，所述上层沿水平面设置，所述下层与所述水平面呈一角度倾斜与所述上层相交于所述窗口的周缘，且所述下层的底面偏向所述熔体坩埚内部。本发明通过改变热屏底部设计达到优化轴向和纵向温度梯度的目的，从而提高单晶硅的拉速，提高硅片径向的质量均匀性。本发明可有效提高工艺效率，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN108333298A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201710051656.X
申请日：2017-01-19
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明提供了一种晶片放置装置和晶片定向仪，所述晶片放置装置包括用于放置晶片的底座、两个定位挡板、凹槽定位装置、前端挡板和滑动板；所述前端挡板安装于所述底座的一端，所述前端挡板具有一缝隙；所述滑动板安装于所述底座的另一端，并可在所述底座上滑动，以改变所述滑动板与所述前端挡板之间的距离；两个定位挡板对称安装于所述滑动板上，两个定位挡板上具有刻度；所述凹槽定位装置安装于两个定位挡板之间，所述凹槽定位装置的中心与所述前端挡板的缝隙在一条直线上，所述凹槽定位装置可沿该直线滑动。解决了传统的晶片定向仪的晶片放置装置在检测不同尺寸晶片时，需要进行机台部件的调整和校准以及存在金属污染风险的问题。
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公开(公告)号：CN107815735A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201610825530.9
申请日：2016-09-14
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多晶硅二次加料装置及方法，多晶硅二次加料装置包括石英管、石英半球及石英柱，所述石英管为上下开口的圆管；所述石英半球位于所述石英管下方，所述石英半球的直径大于所述石英管直径；所述石英柱位于所述石英管内部，所述石英柱下端与所述石英半球连接。多晶硅二次加料方法的步骤如下：多次向多晶硅二次加料装置中加入粒度较小的多晶硅或粒度较大的多晶硅与粒度较小的多晶硅组成的料；多次打开石英半球，每次放入一部分料。本发明通过把多晶硅二次加料装置下部设置石英半球，将钼丝置换成石英柱，防止石英半球破碎及钼丝对多晶硅料的污染。本发明采用梯度混合加料方法，减小多晶硅之间的间隙大小及数目，增大二次加料量。
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