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公开(公告)号：CN112080276B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202011057006.4
申请日：2020-09-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种高发光效率的铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将DMF、油酸和油胺混合均匀，得到混合溶液；(2)在混合溶液中依次加入CsX和PbY2，并搅拌均匀，静置后，取上清液得到前驱体溶液；(3)将3‑氨丙基三乙氧基硅烷和DMF混合均匀后得到APTES溶液；(4)将前驱体溶液和APTES溶液混合均匀，并加入甲苯，得到铯铅卤族钙钛矿量子点溶液；(5)把薄膜衬底依次经清洗、干燥后分别放入铯铅卤族钙钛矿量子点溶液中，并在离心机中离心，倒掉溶液，取出衬底，干燥后即得到高发光效率的铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜。与现有技术相比，本发明具有制作工艺简单，稳定性好，且容易大面积制备等优点。
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公开(公告)号：CN114316958A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111680710.X
申请日：2021-12-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种Cs2AgxLi1‑xInCl6:Bi双钙钛矿量子点及其制备方法，该双钙钛矿量子点采用以下制备方法制备得到：(1)取铯源、银源、锂源、铟源和铋源分散于二甲基亚砜中，经反应得到前驱体溶液；(2)将所得前驱体溶液喷涂在玻璃片上，经加热得到目的产物。本发明通过掺杂Li+离子和Bi3+离子提高量子点产物的量子效率，同时补偿其晶体缺陷，利用杂化后晶格结构扭曲以及能带发生改变来控制电子跃迁，从而使量子点发光强度增大，稳定性增强。与现有技术相比，本发明双钙钛矿量子点量子效率较高，制备方法较简单，无需高温、惰性气体保护、真空等条件，在制备过程中可以通过调节x的数值比例来改变禁带宽度从而调节波长，且本发明制备方法对量子点掺杂适用性广。
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公开(公告)号：CN112275496B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202011183206.4
申请日：2020-10-29
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种实验用导轨式自动喷涂机，包括机体、加热平台、导轨、竖向摆杆、水平伸缩摆杆、气泵。与现有技术相比，本发明通过导轨、滑块、第一驱动件的配合实现水平方向第一维度的喷涂水平位移，竖向摆杆、轴承座、第二驱动件的配合实现竖直方向位移，水平伸缩摆杆带动喷涂单元实现第二维度的喷涂水平位移，通过加热平台与加热平台之间相对旋转实现更丰富喷涂位移的调整，这些对实验材料制备有很大的帮助，可以通过程序化的喷涂路径进行标准化的实验，可以避免由于实验过程人为喷涂造成的薄膜厚度不均匀、溶剂浪费等问题，极大的节省了人力物力。
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公开(公告)号：CN112275496A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011183206.4
申请日：2020-10-29
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种实验用导轨式自动喷涂机，包括机体、加热平台、导轨、竖向摆杆、水平伸缩摆杆、气泵。与现有技术相比，本发明通过导轨、滑块、第一驱动件的配合实现水平方向第一维度的喷涂水平位移，竖向摆杆、轴承座、第二驱动件的配合实现竖直方向位移，水平伸缩摆杆带动喷涂单元实现第二维度的喷涂水平位移，通过加热平台与加热平台之间相对旋转实现更丰富喷涂位移的调整，这些对实验材料制备有很大的帮助，可以通过程序化的喷涂路径进行标准化的实验，可以避免由于实验过程人为喷涂造成的薄膜厚度不均匀、溶剂浪费等问题，极大的节省了人力物力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112080276A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202011057006.4
申请日：2020-09-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种高发光效率的铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将DMF、油酸和油胺混合均匀，得到混合溶液；(2)在混合溶液中依次加入CsX和PbY2，并搅拌均匀，静置后，取上清液得到前驱体溶液；(3)将3‑氨丙基三乙氧基硅烷和DMF混合均匀后得到APTES溶液；(4)将前驱体溶液和APTES溶液混合均匀，并加入甲苯，得到铯铅卤族钙钛矿量子点溶液；(5)把薄膜衬底依次经清洗、干燥后分别放入铯铅卤族钙钛矿量子点溶液中，并在离心机中离心，倒掉溶液，取出衬底，干燥后即得到高发光效率的铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜。与现有技术相比，本发明具有制作工艺简单，稳定性好，且容易大面积制备等优点。
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公开(公告)号：CN115272070A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210772279.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种图像放大像素填充处理方法、设备及存储介质，该方法包括：S1、从原图中截取待放大图像，采用边缘检测算法对待放大图像进行边缘检测得到二值化边缘图像；S2、将待放大图像进行像素点拉伸；S3、将拉伸后的图像送入至预训练好的神经网络中，输出空白像素点的像素值并将填入对应的空白像素点位置；S4、使用边缘检测算法对步骤S3中所得的填充后图像进行边缘检测、下采样和二值化处理后，与步骤S1中的二值化边缘图像进行像素值比较，若两幅边缘图像对应像素点像素值相等的个数与像素点总个数的比值大于设定的阈值，输出填充后图像，否则重复步骤S3，直到比值大于所设阈值。与现有技术相比，本发明具有图像放大真实性好的优点。
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公开(公告)号：CN110886017A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911204679.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种全无机铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)将DMF、油酸及油胺混合均匀，得到混合溶液；2)将CsX与PbY2分别加入至步骤1)中的混合溶液，并依次经过搅拌、静置、离心后，得到前驱体溶液；3)将薄膜衬底依次经清洗、干燥、加热，之后将前驱体溶液趁热喷涂于薄膜衬底上，即得到全无机铯铅卤族钙钛矿纳米晶薄膜；其中，X及Y分别为Cl，Br，I中的一种或一种以上。与现有技术相比，本方法可实现快速一次性成膜，具有操作简单、成本低廉、所制备的纳米晶薄膜分布均匀、结晶质量高、发光性能好的优点，表现出广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107500529B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710946274.3
申请日：2017-10-12
Applicant: 上海应用技术大学 , 浙江亿米光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Ce:YAG荧光玻璃，其由以下有效材料制成：质量分数为1:0.01‑0.05的A组分原料和Ce:YAG荧光粉，其中，A组分原料为摩尔分数之和为100％的10‑50mol％Bi2O3、30‑80mol％B2O3和5‑20mol％ZnO。本发明还公开该荧光玻璃的制备方法和在白光LED中的应用。本发明的荧光玻璃透明度高；制备过程中无有害气体排放，实现了节能环保；同时具有更好的发光性能，易于民用白光LED大批量生产的要求，且应用于白光LED后，白光LED物理化学性质稳定、热导率高。
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公开(公告)号：CN107500529A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710946274.3
申请日：2017-10-12
Applicant: 上海应用技术大学 , 浙江亿米光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Ce:YAG荧光玻璃，其由以下有效材料制成：质量分数为1:0.01-0.05的A组分原料和Ce:YAG荧光粉，其中，A组分原料为摩尔分数之和为100％的10-50mol％Bi2O3、30-80mol％B2O3和5-20mol％ZnO。本发明还公开该荧光玻璃的制备方法和在白光LED中的应用。本发明的荧光玻璃透明度高；制备过程中无有害气体排放，实现了节能环保；同时具有更好的发光性能，易于民用白光LED大批量生产的要求，且应用于白光LED后，白光LED物理化学性质稳定、热导率高。
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