公开(公告)号：CN101587905A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200810037819.X

申请日：2008-05-22

Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周伟民 ,  宋志棠 ,  钮晓鸣 ,  刘彦伯 ,  闵国全 ,  李小丽 ,  万永中 ,  张静 ,  封松林

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/822 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明是关于纳米同轴环绕栅晶体管相变存储器单元器件及其纳米加工方法。其特征在于：与传统薄膜场效应晶体管(MOSFET)不同的是，在柱(线)状的相变材料周围沉积结缘层后再制作环绕栅，即为同轴环绕栅，作为晶体管的栅极，在柱(线)状相变材料的两端制作源极和漏极。这样的结构即为纳米同轴环绕栅相变存储器(Coaxial Surrounding Gate phase changememory－CSGPCM)。本发明的显著特点是采用纳米同轴环绕栅作为栅极，来调节相变材料沟道电流，实现相变存储和晶体管特性，极大地提高集成密度，从而实现了低压、低功耗的相变存储功能。

公开(公告)号：CN101581878A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200810037349.7

申请日：2008-05-13

Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周伟民 ,  张静 ,  刘彦伯 ,  李小丽 ,  钮晓鸣 ,  宋志棠 ,  闵国全 ,  万永中 ,  施利毅 ,  封松林

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明是关于一种软压印模板的制造方法。其特征在于：通过多孔阳极氧化铝(AAO)模板复制出软模板。多孔阳极氧化铝孔径一般为10～500nm，孔洞较直分布均匀，作为母模板可以复制出高分辨率和高复型精度的软模板，减少了模板的制作成本和周期。本发明的显著特点是制作模板成本低廉，周期短，工艺简单，复制出来的软模板可以重复使用，能够实现大面积压印。