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公开(公告)号：CN105280788A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510590082.4
申请日：2015-09-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种LED超声波封装方法，步骤为，首先加工以及清洗基板、膨胀金属板和玻璃盖板，并在基板和玻璃盖板上镀金属膜，在基板上焊接LED芯片，将镀有金属膜的玻璃盖板和膨胀金属板放置于超声波装置中施加压力，利用超声波对玻璃盖板及膨胀金属板进行焊接。将已焊接完成的镀有金属膜的玻璃盖板和膨胀金属板整体按LED所需尺寸切割成小块。将镀有金属膜的基板置于超声波装置下中施加压力，利用超声波对镀有金属膜的玻璃盖板及膨胀金属板和镀有金属膜的基板进行焊接，焊接完成后停止超声波焊接装置。本发明方法采用无机封装方式，实现了膨胀金属半与玻璃盖板的批量封装，提高了封装的效率，并保证了无机气密封装的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN108614004A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611126410.6
申请日：2016-12-09
Applicant: 上海大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明提供一种冷却曲线的拟合方法和系统，应用于电子器件的热性能测试，包括：采集预设时间段内的待测电子器件的温度变化曲线；初始化拟合阶数；按照拟合阶数拟合冷却曲线：在预设时间段内初始化时间常数向量；依据温度变化曲线，按照多个预设时间常数提取对应的温度；根据多个预设时间常数和对应提取的温度计算热阻系数，构建冷却曲线；比较构建的冷却曲线和温度变化曲线，获取相关系数；判断相关系数：当相关系数在阈值范围内时，则冷却曲线拟合完成；当相关系数不在阈值范围内时，增加拟合阶数，重新拟合冷却曲线。本发明的拟合方法简单，拟合度高，最大程度地减少了噪声对冷却曲线拟合的影响。
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公开(公告)号：CN105004427B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201510396974.0
申请日：2015-07-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种用于精确测试半导体器件温度分布的装置和方法。本发明装置包括核心控制模块、大小恒流源模块、高速电流切换模块、恒温箱、高速数据采集模块、红外热像仪、上位机及电源模块。本发明方法包括为待测器件提供可调恒温环境及精确测试电流，记录环境温度及对应正向压降线性拟合得到K系数，加热电流将待测器件加热至稳定状态后高速切换至测试电流，快速采样正向压降并与K系数转换得到冷却曲线，用拟合及平滑方法处理冷却曲线得到更精确且完整的冷却曲线，同时红外热像仪拍摄温度分布图。用精确冷却曲线温度校正温度分布图可得精确的温度分布图。本发明利用电学测试法校正红外热像图，在半导体器件温度分布测试方面具有高精确性。
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公开(公告)号：CN105304593A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510793108.5
申请日：2015-11-18
Applicant: 上海大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/14
Abstract: 本发明公开了一种用于光电器件的高效散热基板，从其导电层进行散热，依次由导热绝缘层、金属基板和碳基材料涂层层叠组合而成复合散热基板，其中导热绝缘层的另一侧表面与光电器件的导电层紧密结合，碳基材料涂层的另一侧裸露表面则形成复合散热基板的外部散热面，将光电器件工作时产生的热量通过导电层，再依次经由导热绝缘层、金属基板和碳基材料涂层导出，进行散热。本发明通过在高导热金属基板上表面覆一层导热绝缘的陶瓷涂层作为绝缘层，提高了基板的介电常数、抗静电能力及散热能力；金属基板下表面覆一层导热能力良好的碳基材料涂层，其导热系数及热辐射系数高，可进一步提高基板的整体散热性能。
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公开(公告)号：CN105004427A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510396974.0
申请日：2015-07-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种用于精确测试半导体器件温度分布的装置和方法。本发明装置包括核心控制模块、大小恒流源模块、高速电流切换模块、恒温箱、高速数据采集模块、红外热像仪、上位机及电源模块。本发明方法包括为待测器件提供可调恒温环境及精确测试电流，记录环境温度及对应正向压降线性拟合得到K系数，加热电流将待测器件加热至稳定状态后高速切换至测试电流，快速采样正向压降并与K系数转换得到冷却曲线，用拟合及平滑方法处理冷却曲线得到更精确且完整的冷却曲线，同时红外热像仪拍摄温度分布图。用精确冷却曲线温度校正温度分布图可得精确的温度分布图。本发明利用电学测试法校正红外热像图，在半导体器件温度分布测试方面具有高精确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104843681A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510160015.9
申请日：2015-04-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种可控尺寸石墨烯量子点的宏量制备方法，包括如下步骤：a.在基片上沉积催化剂金属薄膜；b．刻蚀金属薄膜，制得纳米级图形化金属催化剂；c.将基片置于化学气相沉积反应室内， 高温下通入碳源及还原气体，制得位于纳米金属催化剂上的石墨烯量子点；d.还原性气氛中冷却至室温，取出基片置于纳米金属刻蚀液中，获得悬浮于溶液中的量子点。本发明使用CVD法制备石墨烯量子点，实现了量子点的宏量制备；采用刻蚀工艺获得纳米级图形化金属作为催化剂，通过控制催化剂的尺寸实现石墨烯量子点尺寸的精确可控，提高了产率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN118963554A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411039904.5
申请日：2024-07-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明属于半导体芯片技术领域，具体为一种感存算显一体化硬件控制系统，根据芯片内嵌的多元集成传感器阵列实时进行多维度数据采集，一方面通过用户状态追踪和外部环境感知，动态调整虚拟交互图内注视聚焦与边缘区域分辨率，模拟人眼视觉提升体验并减轻计算负担，同时自动匹配亮度与色温确保VR视觉连贯性，消除环境突变的不适，另一方面，通过芯片运行监测实时评估芯片运行风险等级以确定对应关联显示参数进行阶梯式调控，不仅能够保持用户良好视觉体验，还能够实现能源消耗和设备温度的有效管理，有效融合视觉模拟、环境适应与性能优化，有效通过芯片硬件控制为用户带来流畅舒适的VR交互体验。
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公开(公告)号：CN118071631A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410224958.2
申请日：2024-02-29
Applicant: 上海大学
IPC: G06T5/70 , G06T7/11 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06T5/40 , G06T5/73 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06T5/60
Abstract: 本发明涉及一种基于深度学习的半导体SEM图像降噪方法，包括训练阶段和推理阶段，其中，训练阶段包括：对半导体SEM图像进行预处理；构建训练数据集；对训练数据集中的图片掺入多种强度的噪声；分别训练分类模型、分割模型、降噪模型；推理阶段包括：对待降噪的半导体SEM图像进行图像预处理；使用分割模型对图片进行切分，并进行噪声强度预测，根据预测后的结果，选择对应强度的置信度矩阵；通过训练完成的降噪模型对待识别的半导体SEM图像进行调用对应预测强度的降噪参数进行降噪，得到降噪的图片后，进行图像合并；通过锐化核对合并后的图像进行特征增强。与现有技术相比，本发明具有能够实现精准降噪，准确呈现出半导体器件的微观结构等优点。
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公开(公告)号：CN108614004B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201611126410.6
申请日：2016-12-09
Applicant: 上海大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明提供一种冷却曲线的拟合方法和系统，应用于电子器件的热性能测试，包括：采集预设时间段内的待测电子器件的温度变化曲线；初始化拟合阶数；按照拟合阶数拟合冷却曲线：在预设时间段内初始化时间常数向量；依据温度变化曲线，按照多个预设时间常数提取对应的温度；根据多个预设时间常数和对应提取的温度计算热阻系数，构建冷却曲线；比较构建的冷却曲线和温度变化曲线，获取相关系数；判断相关系数：当相关系数在阈值范围内时，则冷却曲线拟合完成；当相关系数不在阈值范围内时，增加拟合阶数，重新拟合冷却曲线。本发明的拟合方法简单，拟合度高，最大程度地减少了噪声对冷却曲线拟合的影响。
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公开(公告)号：CN118917995A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410949739.0
申请日：2024-07-16
Applicant: 上海大学
IPC: G06T1/60
Abstract: 本发明涉及半导体芯片技术领域，具体而言，涉及到一种感存算显的图像处理方法、装置及存储介质，本发明通过对目标场景进行感知处理得到各模拟动态图，依据各模拟动态图的数据大小暂存芯片存储单元对应存储块，结合图像视觉角度和图像行为两角度展开各模拟动态图与目标场景差异程度分析，获取芯片针对目标场景的感知处理质量评分并进行反馈，帮助及时了解环境光信号处理过程的质量合格性，接着对芯片存储单元内各模拟动态图依次进行试调用显示，为目标场景推荐最佳模拟动态图并将其所处存储块进行标记，便于用户选择目标场景时的快速调用，实现一种高效、智能、便捷的感存算显图像处理技术。
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