公开(公告)号：CN113460999B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110965832.7

申请日：2021-08-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 周庆萍 ,  陈长鑫 ,  高升广 ,  江圣昊 ,  石方远 ,  赵修治

IPC: C01B32/184 ,  C01B32/168 ,  C01B32/159

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯纳米带/单壁碳纳米管分子内异质结的制备方法，属于碳纳米材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：(1)将单壁碳纳米管和多巴胺盐酸盐加入到Tris‑HCl缓冲液中，置于黑暗环境中反应，过滤，得到聚多巴胺修饰的单壁碳纳米管；(2)将步骤(1)制得的聚多巴胺修饰的单壁碳纳米管分散在浓硫酸中，加入磷酸，升温，加入高锰酸钾，反应完成后冷却至室温，加入双氧水，过滤，水洗至中性，得到解链单壁碳纳米管；(3)将步骤(2)得到的解链单壁碳纳米管焙烧，焙烧产物用盐酸溶液超声处理，过滤，加入碘化氢溶液进行还原反应，反应后过滤，制得石墨烯纳米带/单壁碳纳米管分子内异质结。

公开(公告)号：CN114038756A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111311073.9

申请日：2021-11-08

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 陈长鑫 ,  王坤婵 ,  周庆萍 ,  江圣昊 ,  胡蓓 ,  李欣悦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/786 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管制备技术领域；在具有氧化物栅绝缘层的衬底上制备宽度为1～5nm的石墨烯纳米带，之后在石墨烯纳米带两端分别形成源电极和漏电极的金属层，使用衬底材料作为栅极，得到背栅结构的基于窄的石墨烯纳米带的场效应晶体管；本发明使用宽度为1～5nm的窄的石墨烯纳米带制备得到场效应晶体管，由于制得的石墨烯纳米带具有很窄的宽度使其具有大的带隙，从而使得由其制备的场效应晶体管具有高的开关比，同时制得的石墨烯纳米带具有光滑的边缘使制备的场效应晶体管具有高的场效应迁移率。

公开(公告)号：CN113460999A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110965832.7

申请日：2021-08-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 周庆萍 ,  陈长鑫 ,  高升广 ,  江圣昊 ,  石方远 ,  赵修治

IPC: C01B32/184 ,  C01B32/168 ,  C01B32/159

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯纳米带/单壁碳纳米管分子内异质结的制备方法，属于碳纳米材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：(1)将单壁碳纳米管和多巴胺盐酸盐加入到Tris‑HCl缓冲液中，置于黑暗环境中反应，过滤，得到聚多巴胺修饰的单壁碳纳米管；(2)将步骤(1)制得的聚多巴胺修饰的单壁碳纳米管分散在浓硫酸中，加入磷酸，升温，加入高锰酸钾，反应完成后冷却至室温，加入双氧水，过滤，水洗至中性，得到解链单壁碳纳米管；(3)将步骤(2)得到的解链单壁碳纳米管焙烧，焙烧产物用盐酸溶液超声处理，过滤，加入碘化氢溶液进行还原反应，反应后过滤，制得石墨烯纳米带/单壁碳纳米管分子内异质结。