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公开(公告)号:CN103737016A
公开(公告)日:2014-04-23
申请号:CN201410002979.6
申请日:2014-01-03
Applicant: 上海交通大学
IPC: B22F9/24
Abstract: 本发明提供了一种刺状磁性镍纳米线的制备方法:包括以下步骤:步骤一:配置镍盐水溶液,超声处理,混合均匀;步骤二:向所述镍盐水溶液中加入还原试剂,超声处理,混合均匀,得到溶液A;步骤三:将所述溶液A倒入反应釜内,放入外加磁场的烘箱内,加热,进行反应,最终得到刺状磁性镍纳米线。本发明方法制得的镍纳米线直径为0.5~2μm,长度从几十个微米到几个毫米,具有极高的长径比,表面的刺状结构可达0.3~1μm。本发明可通过改变反应液中镍离子浓度、反应时间、反应温度及磁场大小等参数对刺状磁性镍纳米线的直径、刺的长度及密度进行调控优化。本发明制备方法新颖、工艺简单、能耗低、可操作性强。
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公开(公告)号:CN209708980U
公开(公告)日:2019-11-29
申请号:CN201920320929.0
申请日:2019-03-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/146 , H01L27/12
Abstract: 本实用新型提供了一种基于多晶硅薄膜晶体管(TFT)的X射线平板探测器,包括TFT背板、传感光电二极管矩阵面板、栅驱动信号电路系统、传感信号读取电路系统、图像信号处理电路系统以及其他的外围功能电路等部分。其中TFT背板是整个系统的重要部分,TFT可实现开关信号通道的功能。本实用新型的特别之处在于,在TFT背板中引入了多晶硅TFT技术,由于多晶硅TFT的沟道材料具有较大的电子迁移率,可有效提高TFT的开关速率,进而提高X射线平板探测器的数据读取速率,使平板探测器更加适合高速连续拍照的应用场合,有效提高了X射线平板探测器的性能,减少了鬼影和拖尾的现象。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN209708981U
公开(公告)日:2019-11-29
申请号:CN201920403675.9
申请日:2019-03-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L27/146 , H01L27/12
Abstract: 本实用新型公开了一种带防护层的X射线平板探测器,包括像素矩阵以及外围电路。像素矩阵由薄膜光电二极管和薄膜晶体管开关器件组成,其中薄膜晶体管开关器件上方设置有用于屏蔽X射线的防护层,防护层优选钨金属薄膜。本实用新型的有益效果:本实用新型将电子器件优化为带有防护层的器件,有效地降低了高能X射线对器件的影响,减少了器件的噪声干扰,并且提高了器件的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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