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公开(公告)号：CN103088442A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310024342.2
申请日：2013-01-23
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种同轴静电纺丝制备中空纤维的方法，步骤为：（1）根据制备的最终纤维选取合成高分子溶于溶剂中，搅拌至完全溶解；（2）将上述步骤（1）制得的溶液作为外管纺丝液，注入同轴喷丝头的外管，通空气进入内管，在室温条件下进行同轴静电纺丝。本发明制备的纤维具有明显的中空结构，可以应用于药物载体、人工透析等生物医药领域。该方法操作简便，反应条件温和，成本低廉，只需要一步就能完成，不需要使用内层材料，无需后续处理，大大节省了时间和材料成本，同时也避免了残留内层材料对中空纤维的影响，有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103040755A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210579463.9
申请日：2012-12-27
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
IPC: A61K9/127 , A61K47/42 , A61K45/00 , A61K31/704 , A61P35/00
Abstract: 本发明公开了一种APARPAR多肽修饰的隐形脂质体及递药系统；所述APARPAR多肽修饰在隐形脂质体的表面上，所述隐形脂质体的膜包含氢化大豆磷脂、胆固醇、聚乙二醇-二硬脂酰磷脂酰乙醇胺和二硬脂酰磷脂酰乙醇胺-聚乙二醇-APARPAR，本发明还涉及一种脂质体递药系统，所述递药系统由APARPAR多肽修饰的隐形脂质体包裹抗肿瘤药物而组成。本发明提供的脂质体递药系统可用于神经胶质瘤的靶向治疗，其可以在APARPAR多肽的介导作用下穿透肿瘤血管壁，渗透进入整个肿瘤组织内部，大大提高对肿瘤的杀伤作用。
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公开(公告)号：CN102820460A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210296982.4
申请日：2012-08-20
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种静电纺丝法制备稀土金属掺杂的纳米钛酸锂，以溶胶凝胶法制备Li4Ti5O12前驱体凝胶，通过稀土金属离子掺杂和碳包覆，静电纺丝后得到纳米纤维Li4Ti5O12前驱体，在无氧环境下进行高温煅烧合成Li4Ti5O12/C纤维。本发明纳米钛酸锂合成在碳纳米纤维骨架上，有效地防止了颗粒团聚，并且碳纳米纤维骨架也能达到包覆碳的效果，同时以稀土金属作为掺杂剂，共同改善了材料的导电性，实现高倍率下的电化学性能的提升。所获得的负极材料均拥有较好的电化学性能，在高倍率充放电条件下能获得较高的放电容量，同时循环性能也非常稳定。
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公开(公告)号：CN102766191A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210269926.1
申请日：2012-07-31
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种简单的磁颗粒功能化修饰方法，首先利用聚醚酰亚胺将磁纳米或者微米颗粒表面的羧基官能团氨基化，随后将一端氨基甲酸叔丁酯（Boc）基团保护而另外一端为N-羟基琥珀酰亚胺的PEG高分子偶联到氨基化的磁颗粒上，其次将蛋白的伯胺利用蛋白修饰试剂N-琥珀酰亚胺-S-乙酰基硫代乙酸酯或N-琥珀酰亚胺-3-乙酰硫代丙酸酯修饰为巯基，最后将Boc保护基团脱除，并与巯基化的蛋白反应，从而将蛋白修饰到磁纳米或者微米颗粒上。本发明步骤简单，操作简便，价格相对便宜，可以实现蛋白等的分离纯化，临床分子诊断，单分子磁镊技术研究蛋白分子间相互作用等的目标。
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公开(公告)号：CN102719792A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210199801.6
申请日：2012-06-18
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种运用磁控溅射法制备透明导电薄膜的方法，该方法利用磁控溅射方法，室温下在清洗干净的基片上依次沉积Zn1-xCuxO膜、Cu膜、Zn1-xCuxO膜，得到Zn1-xCuxO/Cu/Zn1-xCuxO透明导电薄膜；通过改变溅射功率和溅射时间改变Zn1-xCuxO膜和Cu膜的厚度，最终可得到电阻率小于10-3Ω·cm，透光率大于80%的透明导电薄膜，可用于太阳能电池、平板显示器等领域。由于磁控溅射法具有设备简单、价格便宜、成膜均匀、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102277570A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110239699.3
申请日：2011-08-19
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 本发明公开一种光电材料技术领域的ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法，通过在基片上依次进行原子层沉积ZnO薄膜，磁控溅射沉积Cu中间层，原子层沉积ZnO薄膜。利用ZnO良好的光电特性和Cu的低电阻率，加入Cu中间层，形成ZnO/Cu/ZnO的三明治结构。由于Cu的掺入，载流子浓度增加，薄膜的导电性能有了很大的提高，电阻率可低至8.6×10-5Ω·cm，同时可见光透过率高，可达80%以上；且由于原子层沉积为自限制反应，薄膜的均匀性极好。
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公开(公告)号：CN101921984A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010282390.8
申请日：2010-09-15
Applicant: 上海交通大学 , 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
Abstract: 一种纳米表面处理技术领域的基于MoS2-TiC-C的自润滑减摩复合薄膜及其制备方法，通过在不锈钢基片溅射纯钛或纯镍后进一步进行反应磁控溅射制备得到MoS2-TiC-C复合薄膜。本发明制备工艺简单，沉积过程易于控制，沉积后的复合薄膜无需进行热处理，可直接作为机械零部件表面的减摩防护薄膜使用。本工艺制备所得的复合薄膜硬度高，纳米硬度达到7.6GPa，抗磨减摩性能优异，摩擦系数可达到0.04，经摩擦磨损测试后薄膜表面未见磨穿脱落现象。
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公开(公告)号：CN101530985A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910048995.8
申请日：2009-04-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种兼顾表面强化和抛光的复合喷丸处理方法，步骤如下：第一步，对材料进行一次喷丸，使达到饱和喷丸强度；在一次喷丸的基础上，进行二次喷丸，二次喷丸饱和喷丸强度为一次喷丸饱和喷丸强度的0.6倍左右，喷丸设备和所用弹丸与一次喷丸完全相同。本发明在不需要更换喷丸设备和弹丸前提下，增大了表面及近表面区残余压应力，提高表面及近表面区显微硬度，并显著降低零件表面粗糙度，提高喷丸材料表面质量。
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公开(公告)号：CN101476092A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910045074.6
申请日：2009-01-08
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种金属表面处理技术领域的金属材料变温应力喷丸方法，步骤如下：第一步，首先对材料进行预加拉应力，应力的大小和加载方式：预加拉应力小于材料的屈服强度，加载方式为三点弯曲；第二步，对加载拉应力后的材料进行预热，预热温度及预热方式：材料预热温度在再结晶温度附近，加热方式为整体预热，喷丸过程中不加热；第三步，对加载拉应力并预热后的材料立即实施喷丸处理，喷丸强度和喷丸时间：喷丸强度大于0.1mmA，喷丸时间30～90秒，工件喷丸表面积增大，喷丸时间越长。本发明最大程度的优化了材料表层残余应力分布，材料表面残余压应力、最大残余压应力及其对应层深，和残余压应力总体层深均得到明显提高。
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公开(公告)号：CN100371496C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200510050611.8
申请日：2005-07-07
Abstract: 本发明公开的自润多层滑复合涂层是由厚度为10-50nm的金属Mo层与厚度为20-100nm的IF-MoS2层交替形成的多层Mo/IF-MoS2复合涂层，复合涂层的总厚度为1-5μm。该复合涂层的制备是以层状结构的MoS2粉末、纯S粉和金属Mo片为基本原料，采用磁控溅射和多弧离子镀反复交叉溅射沉积金属Mo层与IF-MoS2层而制成。它具有优良的环境稳定性、极低的摩擦系数，较高的耐磨性能，并与金属基底有良好的结合强度，可用于制造在真空和大气等环境中通用的轴承、陀螺仪和齿轮等表面的自润滑耐磨防护涂层。
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