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公开(公告)号：CN102941536B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210476402.X
申请日：2012-11-21
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种新型的弹簧预强化精整复合喷丸方法，该方法为：采用喷丸机对弹簧进行预强化精整复合喷丸处理，预强化精整复合喷丸处理包括三道工序：第一道工序喷丸强度0.23Amm，第二道工序喷丸强度0.45Amm，第三道工序喷丸强度0.15Amm，三次喷丸的弹丸介质相同，得到处理后的弹簧产品。与现有技术相比，本发明在增大残余压应力的有益效应外，还可以最大程度避免零件表面粗糙度所带来的一些不利影响。
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公开(公告)号：CN102922431A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210465584.0
申请日：2012-11-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: B24C1/00
Abstract: 本发明涉及一种提高两相材料中低硬度高弹性物相表面强化的喷丸方法，该方法为：在待处理材料两端加载预应力，该预应力的强度低于待处理材料中低硬度物相的屈服强度，然后在相同的抛丸强度下，利用气压式喷丸机进行喷丸处理。与现有技术相比，本发明属于一种优化表面强化技术，仅需要增加预应力装置，设备及物资投资小，工艺操作简单，表面优化效果明显。本发明的工作原理成熟，对有利于提高硬度低但其弹性回复力高物相的残余压应力。从而优化整个材料表面残余压应力分布的均匀性，实施方案简便易行。
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公开(公告)号：CN100494959C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510023778.5
申请日：2005-02-03
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种用于材料分析测试技术领域的X射线奥氏体测量标定试样的制备方法，本发明具体步骤如下：(1)粉末颗粒尺寸筛选：对奥氏体粉末和铁素体粉末的粒颗进行筛选；(2)混粉：将奥氏体粉末和铁素体粉末放入无水酒精中，按照奥氏体体积分数，利用机械混合方式，将奥氏体粉末与铁素体粉末均匀地混合；(3)热压成型：在高温及真空状态下，将混合粉末热压成型为块体材料；(4)加工处理：利用上述块体材料加工出标定试样，在真空炉中进行退火处理。本发明所制备的X射线奥氏体测量标定试样，用于标定X射线衍射系统。标定试样表面美观，不易生锈，携带方便，奥氏体含量长期保持稳定，可以提高测量结果的可靠性。
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公开(公告)号：CN100443626C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200610024078.2
申请日：2006-02-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种薄膜技术领域的单靶磁控溅射Cu1-xCrx合金薄膜的方法。本发明首先把铜板加工成溅射仪要求的铜靶，并按照溅射仪的溅射参数在铜靶的溅射区靶径上钻不同数量和不同直径的圆形或者锥形小孔，并附加以靶材的挡片，同时将铬金属加工成相应尺寸和形状的小棒，并使其与小孔达到紧密配合，铜挡片、靶材和基底经过清洗后先后装入溅射仪，选择溅射功率，调整溅射靶位和溅射参数，制备铜铬合金膜，所述的Cu1-xCrx，x＝1.19～2.37，x为原子百分比。本发明具有能够节省原材料，提高薄膜纯度的特点。且制备工艺简单，能够随时调节合金含量，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN100334686C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410089294.6
申请日：2004-12-09
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/3205 , C23C14/34 , C23C14/14
Abstract: 一种提高CoSi2薄膜热稳定性的方法，用于材料制备技术领域。本发明通过共溅射制备具有CoSi2成分的非晶薄膜，并且通过共溅射在薄膜中添加元素Zr，利用Zr不溶于CoSi2薄膜的特点，采用退火使非晶薄膜晶化，非晶态薄膜结晶后，Zr将会分布在晶粒周围，从而降低晶界扩散，提高薄膜的热稳定性；同时，高温下退火，部分Zr形成细小的ZrSi2弥散分布在晶界上，阻碍薄膜晶粒长大，阻碍结块现象的形成，从而也提高薄膜的热稳定性。本发明添加5%Zr的薄膜850℃处理后电阻率为29μΩcm。Zr的添加提高了薄膜的热稳定性但是仅仅稍微提高了薄膜的电阻率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1617301A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410089294.6
申请日：2004-12-09
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/322 , H01L21/3205 , C23C14/34 , C23C14/14
Abstract: 一种提高CoSi2薄膜热稳定性的方法，用于材料制备技术领域。本发明通过共溅射制备具有CoSi2成分的非晶薄膜，并且通过共溅射在薄膜中添加元素Zr，利用Zr不溶于CoSi2薄膜的特点，采用退火使非晶薄膜晶化，非晶态薄膜结晶后，Zr将会分布在晶粒周围，从而降低晶界扩散，提高薄膜的热稳定性；同时，高温下退火，部分Zr形成细小的ZrSi2弥散分布在晶界上，阻碍薄膜晶粒长大，阻碍结块现象的形成，从而也提高薄膜的热稳定性。本发明添加5％Zr的薄膜850℃处理后电阻率为29μΩcm。Zr的添加提高了薄膜的热稳定性但是仅仅稍微提高了薄膜的电阻率。
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公开(公告)号：CN104831337B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510060728.8
申请日：2015-02-05
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25D15/00
Abstract: 本发明涉及一种Zr颗粒改进的电沉积纳米复合镀层及其制备方法，该复合镀层为Ni‑Zr复合镀层，包括均匀分布Zr颗粒的纳米晶粒，所述的复合镀层的织构为(111)织构。制备方法包括以下步骤：(1)在电镀池中加入去离子水，硫酸镍，氯化镍，硼酸，Zr颗粒，配成电镀液；(2)将配置好的电镀液超声波震动10～60min，随后磁力搅拌2～5h；(3)将抛光、清洗后阴极和阳极置于电镀液中并连接电源；(4)启动磁力搅拌器，搅拌速度设置为300转每分钟；接通电源，开始电镀，沉积1～2h，结束取出试样即可。与现有技术相比，本发明纳米复合镀层的硬度高，抗腐蚀能力高。
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公开(公告)号：CN102654468A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210138172.6
申请日：2012-05-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N23/20
Abstract: 本发明涉及一种表征喷丸残余应力均一性的云图测量法，利用X射线衍射残余应力测量衍射技术，用小直径0.5mm的准直管控制光斑面积，在样品有效喷丸区内选择一面积为10*10mm正方形区域按1mm的间隔，对纵横两个方向进行应力云图测量，获取100个点的应力测量数据，分别求取残余应力平均值、方差及标准差，用标准差与平均应力值的比值作为表征表层残余应力均一性的指标。本发明属于一种无损检测技术，不需要破坏工件，对于同一种材料一旦建立起均一性表征指标，可对于相同的金属材料，不同喷丸工艺条件下表层残余应力均一性进行评价，测量精度高，可以广泛应用于金属件喷丸层均一性评估。
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公开(公告)号：CN101968454A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010285276.0
申请日：2010-09-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N23/20 , G01N23/207
Abstract: 一种基于X射线能量色散衍射危险品检测方法，首先采用X射线透视检获得待检测物的投影像，通过目测是否为爆炸物等；将待测物置于衍射装置上进行对光抄作；将待测物置于衍射装置上进行X射线能量色散衍射，实现对危险品的检测和鉴定。本发明对隐藏在包裹中的炸药/毒品等能够用透射式能量色散衍射进行快速在线检测(检测厚度在20～30cm)和反射式能量色散衍射作现场快速鉴定。适用于机场、车站、码头、海关及公共场所、政府保卫部门的在线和现场炸药/毒品检测和鉴定，还适用于真假药等其它物质的鉴定等。
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公开(公告)号：CN101104944A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710039634.8
申请日：2007-04-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25D11/04
Abstract: 一种材料技术领域的制备方法，具体的是一种有序多孔氧化铝薄膜的制备方法。首先，铝片进行电解抛光；其次，在低电压下预氧化一段时间；随后，缓慢升高氧化电压达到预定的高电压再继续氧化一段时间；最后，为了便于观察氧化膜底部的有序结构，用溶液选择性腐蚀去除铝基体。通过低压下预氧化，以及向草酸电解液中加入乙醇的方法拓宽了操作条件，实现了高电压下稳定氧化而不发生击穿。在较短的氧化时间内得到高度有序的多孔氧化铝薄膜，且孔间距在300nm至360nm范围内精确可控。这种简单高效的制备方法可以大大推动多孔氧化铝模板在工业及纳米材料制备领域的应用。
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